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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRGB15B60KDPBF	-	RFQ	8119	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		208 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，15A，22OHM，15V											92 ns	npt	600 v	31 a	62 a	2.2V @ 15V，15a	（220µJ）（在340µJ上）	84 NC	34NS/184NS
IRF7805pbf	-	RFQ	6853	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	13A（TA）		11MOHM @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
IRF6662TRPBF	1.0900	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载					Ear99	8542.39.0001	275		n通道		100 v	8.3a（ta），47a（tc）	10V	22mohm @ 8.2a，10v	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
auirlr014ntrl	-	RFQ	9962	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	10A（TC）	4.5V，10V	140MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	7.9 NC @ 5 V	±16V	265 pf @ 25 V	-	28W（TC）
IRF6655TRPBF	1.0000	RFQ	8775	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距sh			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SH	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	4.2A（TA），19a （TC）	10V	62MOHM @ 5A，10V	4.8V @ 25µA	11.7 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRG8P40N120KDEPB	4.6400	RFQ	100	国际整流器	-	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1
Auirfz44n	0.9400	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	94W（TC）
AUIRF1404ZSTRL	1.9900	RFQ	949	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263ab）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	160a（TC）	10V	3.7MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 25 V	-	200W（TC）
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AUIRF3710ZSTRR	1.2300	RFQ	6113	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	73		n通道		100 v	59A（TC）		18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V		2900 PF @ 25 V	-
AUIRR3705ZSTRL	1.7800	RFQ	13	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	75A（TC）		8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V		2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
Auirfu8401	0.6100	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 500µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
IRG4PSC71UPBF	-	RFQ	4897	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，60a，5ohm，15V												-	600 v	85 a	200 a	2V @ 15V，60a	420µJ（在）上，1.99mj off）	340 NC	34NS/56NS
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irfu3410pbf	-	RFQ	9801	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	31a（TC）	10V	39mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	（3W）（110W）（TC）
IRFSL3607pbf	-	RFQ	2715	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	429		n通道		75 v	80A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
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IRFSL4620PBF	1.0000	RFQ	4772	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	24A（TC）	10V	77.5MOHM @ 15A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
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IRF432	1.2100	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		500 v	4a	-	-	-		-		-	75W
IRFU2607ZPBF	-	RFQ	5619	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75		n通道		75 v	42A（TC）	10V	22mohm @ 30a，10v	4V @ 50µA	51 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF7309pbf	-	RFQ	2632	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	1.4W（TA）	8-so	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,800	n和p通道			30V	（4A）（3A）（3a ta）		50mohm @ 2.4a，10v，100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 4.5V		520pf，440pf @ 15V	-
IRFH5301TRPBF	-	RFQ	8476	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）单个死亡	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	35A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.85MOHM @ 50a，10v	2.35V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	5114 PF @ 15 V	-	3.6W（ta），110W（TC）
IRFP4321pbf	-	RFQ	6990	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	-						0000.00.0000	1		n通道		150 v	78A（TC）	10V	15.5MOHM @ 33A，10V	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	310W（TC）
auirfs8403trr	1.4500	RFQ	800	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		n通道		40 V	123A（TC）		3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRG4PSC71UDPBF	-	RFQ	1583年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，60a，5ohm，15V											82 ns	-	600 v	85 a	200 a	2V @ 15V，60a	3.26mj（在）上，2.27mj（2.27MJ）	340 NC	90NS/245NS
IRGSL6B60KDPBF	1.0300	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		90 W	TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，5A，100OHM，15V											70 ns	npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²