RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRGS4620DPBF	1.4300	RFQ	30	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		140 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		400V，12A，22OHM，15V											68 ns	-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
AUIRR3705ZSTRL	1.7800	RFQ	13	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	75A（TC）		8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V		2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
Auirfu8401	0.6100	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 500µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
IRLR8721TRPBF-IR	-	RFQ	2961	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000	n通道		30 V	65A（TJ）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	65W（TC）
IRFS59N10DPBF	-	RFQ	9071	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	59A（TC）	10V	25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRLZ24NSPBF	1.0000	RFQ	8288	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	18A（TC）	4V，10V	60mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
AUIRGB4062D1	-	RFQ	8090	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	auirgb4	标准		246 w	TO-220AB	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											102 ns	沟	600 v	59 a	72 a	1.77V @ 15V，24a	（532µJ）（在311µJ上）	77 NC	19NS/90NS
IRL3803SPBF	1.5700	RFQ	231	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	140a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 71a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
irlu7843pbf	0.8100	RFQ	5775	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道		30 V	161a（TC）		3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
IRF2907ZPBF	2.4200	RFQ	21	国际整流器	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	124
IRF432	1.2100	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		500 v	4a	-	-	-		-		-	75W
Auirfz44vz	-	RFQ	2296	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
IRG7PG42UD-EPBF	6.0500	RFQ	600	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		320 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		600V，30a，10ohm，15V											153 ns	沟	1000 v	85 a	90 a	2V @ 15V，30a	（2.105mj）（在），1.182mj（OFF）中）	157 NC	25NS/229NS
AUIRF1404ZSTRLCT	1.9900	RFQ	548	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRF1404ZSTRLCT-600047			1
IRF234	1.0100	RFQ	789	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		250 v	8.4a	-	-	-		-		-	74W
IRFS3006Trl7pp	1.0000	RFQ	4778	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		60 V	240a（TC）	10V	2.1MOHM @ 168A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8850 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRLH7134TRPBF	-	RFQ	4707	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-10	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	n通道		40 V	26a（26A），50A（tc）		3.3mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	58 NC @ 4.5 V	±16V	3720 PF @ 25 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
AUIRFS8407	-	RFQ	2797	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	195a（TC）	10V	1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
AUIRFS3607TRL	2.0700	RFQ	15	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		75 v	80A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
AUIRFR3607TRL	-	RFQ	9129	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		75 v	56A（TC）		9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V		3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRGS4607DTRLPBF	0.9300	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		58 w	D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，4A，100OHM，15V											48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
auirlr3105trl	-	RFQ	8023	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	25A（TC）		37mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V		710 PF @ 25 V	-	57W（TC）
IRFS3006TRLPBF	-	RFQ	9240	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载						0000.00.0000	1	n通道		60 V	195a（TC）	10V	2.5MOHM @ 170A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	8970 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRFR3704ZPBF	-	RFQ	7778	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		20 v	60a（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1190 pf @ 10 V	-	48W（TC）
AUIRF7484QTR	-	RFQ	5539	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	n通道		40 V	14A（TA）	7V	10mohm @ 14a，7v	2V @ 250µA	100 nc @ 7 V	±8V	3520 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
irfu3410pbf	-	RFQ	9801	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		100 v	31a（TC）	10V	39mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	（3W）（110W）（TC）
irlr2908pbf	-	RFQ	3616	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		80 V	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1890 pf @ 25 V	-	120W（TC）
AUIRGF66524D0	-	RFQ	1539年	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Coolirigbt™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		214 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-AUIRGF66524D0-600047			1		400V，24a，10ohm，15V											176 ns	沟	600 v	60 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（915µJ）（在），280µJ（（（（（（）	50 NC	30ns/75ns
IRGSL6B60KDPBF	1.0300	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		90 W	TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，5A，100OHM，15V											70 ns	npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IRG4PSC71UDPBF	-	RFQ	1583年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		350 w	SUPER-247™to-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，60a，5ohm，15V											82 ns	-	600 v	85 a	200 a	2V @ 15V，60a	3.26mj（在）上，2.27mj（2.27MJ）	340 NC	90NS/245NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²