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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRLS3036PBF	-	RFQ	4499	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	48		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
Auirfr4104trl	1.4700	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	42A（TC）		5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V		2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFU3707ZPBF	-	RFQ	6221	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（to-251）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	56A（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 15a，10v	2.25V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1150 pf @ 15 V	-	50W（TC）
IRFS7430-7PPBF	-	RFQ	5335	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	240a（TC）	6V，10V	0.75MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	13975 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRF7307pbf	-	RFQ	1986	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n和p通道			20V	5.2a，4.3a		50mohm @ 2.6a，4.5V	700MV @ 250µA	20NC @ 4.5V		660pf @ 15V	逻辑级别门
AUIRR1404STRL	1.7900	RFQ	820	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
AUIRFS3307Z	-	RFQ	4605	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
auirfs4310trl	1.0000	RFQ	7915	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRFS33N15DTRLP-IR	-	RFQ	2617	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		n通道		150 v	33A（TC）		56mohm @ 20a，10v	5.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	2020 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
AUIRFB8405-071	3.2300	RFQ	2	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-AUIRFB8405-071-600047			101
AUIRFS8408	1.4000	RFQ	268	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRFS8408		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	195a（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
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IRF1405ZLPBF	-	RFQ	7408	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	-				2156-IRF1405ZLPBF			1		n通道		55 v	75A（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
AUIRFB4610	1.6600	RFQ	15	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
AUIRFB8405	3.2300	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	93		n通道		40 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
IRFH7936TRPBF	0.3600	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	20A（20A），54A （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2360 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
IPS70R2K0CEAKMA1	-	RFQ	1786年	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251	-				2156-IPS70R2K0CEAKMA1			1		n通道		700 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 1a，10v	3.5V @ 70µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	163 pf @ 100 V	-	42W（TC）
IRG4PC50FD-EPBF	-	RFQ	9734	国际整流器	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			480V，39A，5OHM，15V											50 ns	-	600 v	70 a	280 a	1.6V @ 15V，39a	1.5MJ（在）上，2.4MJ off）	190 NC	55NS/240NS
IRF225	2.1600	RFQ	288	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	3.3a	-	-	-		-		-	40W
IRF60B217	0.7000	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRF60B217	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	60a（TC）	6V，10V	9mohm @ 36a，10v	3.7V @ 50µA	66 NC @ 10 V	±20V	2230 PF @ 25 V	-	83W（TC）
AUIRFS3607	2.0400	RFQ	550	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	80A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRF7413TRPBF-1	-	RFQ	2729	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1,090		n通道		30 V	13A（TA）	4.5V，10V	11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFR3910TRPBF	-	RFQ	2497	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR3910		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	16A（TC）	10V	115mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	79W（TC）
Auirfr8405trl	1.5200	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	100A（TC）	10V	1.98mohm @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W（TC）
IRG4BC20SD-SPBF	1.1400	RFQ	11	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，10a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	320µJ（在）上，2.58MJ off）	27 NC	62NS/690NS
IRLR8256PBF	-	RFQ	9841	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	648		n通道		25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
IRFR3411pbf	0.3200	RFQ	6205	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件			2156-irfr3411pbf-ir	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		100 v	32A（TC）		44mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 V	-	130W（TC）
Auirfr5305trl	1.0000	RFQ	5245	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		55 v	31a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRF3007pbf	-	RFQ	2011	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF3007		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	75A（TC）	10V	12.6mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFS3306pbf	-	RFQ	5528	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		60 V	120A（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²