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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRFS8403	1.1800	RFQ	7	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	123A（TC）	10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRFH5007TRPBF	-	RFQ	6663	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		75 v	17a（17A），100A（tc）	10V	5.9MOHM @ 50a，10v	4V @ 150µA	98 NC @ 10 V	±20V	4290 pf @ 25 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
IRFS4227TRLPBF	-	RFQ	3869	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载						0000.00.0000	1	n通道		200 v	62A（TC）	10V	26mohm @ 46a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	330W（TC）
Auirfs3207ztrl	-	RFQ	7809	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	86	n通道		75 v	120A（TC）		4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V		6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRF7749L1TRPBF	-	RFQ	3512	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		60 V	33A（TA），200a （TC）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF7807VTRPBF	-	RFQ	4494	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
IRFH5007TR2PBF	-	RFQ	2569	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的		表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道		75 v	17a（17A），100A（tc）		5.9MOHM @ 50a，10V	4V @ 150µA	98 NC @ 10 V		4290 pf @ 25 V	-
IRFH7194TRPBF	-	RFQ	5509	国际整流器	fastirfet™，hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	（11a）（ta），35a（tc）	10V	16.4mohm @ 21a，10v	3.6V @ 50µA	19 nc @ 10 V	±20V	733 PF @ 50 V	-	3.6W（39W），39w（tc）
AUIRFSL4310	-	RFQ	9636	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	100	n通道		100 v	75A（TC）		7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V		7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRF7204pbf	-	RFQ	7798	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,800	P通道		20 v	5.3a（ta）		60mohm @ 5.3a，10v	2.5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±12V	860 pf @ 10 V	-	2.5W（TC）
IRFBA90N20DPBF	-	RFQ	5308	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	98A（TC）	10V	23mohm @ 59a，10v	5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±30V	6080 pf @ 25 V	-	650W（TC）
IRF8327STRPBF	-	RFQ	7296	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™SQ	下载					Ear99	8542.39.0001	506	n通道		30 V	14a（TA），60A （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 14a，10v	2.4V @ 25µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
AUIRGP50B60PD1	-	RFQ	4598	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AUIRGP50	标准		390 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		390V，33a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	308 NC	30NS/130NS
Auirfu4104	0.8400	RFQ	21	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		PG至251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	42A（TC）		5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF1607pbf	-	RFQ	1978年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		75 v	142a（TC）		7.5MOHM @ 85A，10V	4V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±20V	7750 PF @ 25 V	-	380W（TC）
AUIRFB8407	1.0000	RFQ	8848	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	195a（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
AUIRF1018ES	1.2700	RFQ	15	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	79A（TC）	10V	8.4mohm @ 47a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 50 V	-	110W（TC）
IRFI3306GPBF	2.1300	RFQ	800	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220完整包	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-IRFI3306GPBF-600047	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	71A（TC）	10V	4.2MOHM @ 43A，10V	4V @ 1.037mA	135 NC @ 10 V	±20V	4685 pf @ 50 V	-	46W（TC）
IRF6668TRPBF	0.9400	RFQ	59	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载					Ear99	8541.29.0095	318	n通道		80 V	55A（TC）	10V	15mohm @ 12a，10v	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
auirfs3206trl	-	RFQ	1961年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	120A（TC）	10V	3mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 50 V	-	300W（TC）
Auirfu8403-701trl	0.9700	RFQ	11	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3-901	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		40 V	100A（TC）	10V	3.1MOHM @ 76A，10V	3.9V @ 100µA	99 NC @ 10 V	±20V	3171 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRFS4310ZPBF	-	RFQ	7368	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	120A（TC）		6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IRG4IBC10UDPBF	-	RFQ	3891	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		25 w	pg-to220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4IBC10UDPBF-600047			1		480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	6.8 a	27 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRFF332	0.5600	RFQ	2365	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					Ear99	8542.39.0001	99	n通道		400 v	3a	-	-	-		-		-	25W
auirfz34n	0.7500	RFQ	13	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	29A（TC）	10V	40mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
AUIRF7484QTR	-	RFQ	5539	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	n通道		40 V	14A（TA）	7V	10mohm @ 14a，7v	2V @ 250µA	100 nc @ 7 V	±8V	3520 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
AUIRF3805L-7P	-	RFQ	4859	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-7			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRG4RC10SDTRPBF-IR	-	RFQ	6719	国际整流器	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
IRFS4321pbf	1.0000	RFQ	9042	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRF664444TRPBF	1.4100	RFQ	606	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™Mn	下载					Ear99	8541.29.0095	214	n通道		100 v	10.3A（ta），60a（tc）	10V	13mohm @ 10.3a，10v	4.8V @ 150µA	47 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²