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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFB5620pbf	-	RFQ	8564	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRFB5620PBF-600047			1		n通道		200 v	25A（TC）	10V	72.5Mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRLB4132PBF	-	RFQ	4652	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	78A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 40a，10v	2.35V @ 100µA	54 NC @ 4.5 V	±20V	5110 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IRGP4069DPBF	-	RFQ	7252	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		不适用	到达不受影响	2156-IRGP4069DPBF-600047	Ear99	8541.29.0095	1
IRGP30B60KD-EP	1.0000	RFQ	2311	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		304 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，30a，10ohm，15V											125 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	102 NC	46NS/185NS
AUIRFR5410-IR	0.7700	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRF3710STRRPBF-IR	1.0000	RFQ	5353	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	57A（TC）		23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRF123	0.6300	RFQ	738	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	7A（TC）	10V	400MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRGB4059DPBF	1.0800	RFQ	600	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		56 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，4A，100OHM，15V											55 ns	沟	600 v	8 a	16 a	2.05V @ 15V，4A	（35µJ）（在75µj of）上	13 NC	25NS/65NS
IRF1324STRL-7PP	-	RFQ	3821	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		24 V	240a（TC）		1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
Auirfr3710ztrl	-	RFQ	8408	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	42A（TC）		18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V		2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRG4PH30KDPBF	-	RFQ	7345	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			800V，10a，23ohm，15V											50 ns	-	1200 v	20 a	40 a	4.2V @ 15V，10a	950µJ（在）（1.15MJ）上	53 NC	39NS/220NS
IRG4BH20K-SPBF	-	RFQ	9850	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			960V，5A，50OHM，15V												-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	（450µJ）（在440µJ上）	28 NC	23ns/93ns
IRG4BC15UD-SPBF	1.2500	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		49 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，7.8a，75ohm，15V											28 ns	-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IRFH4257DTRPBF	0.9800	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4257		MOSFET （金属 o化物）	25W，28W	PQFN（5x4）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			25V	25a		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1321pf @ 13V	逻辑级别门
IRG4BC30F-SPBF	1.3300	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30F-SPBF	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			480V，17a，23ohm，15V												-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
IRGS4615DTRRPBF	-	RFQ	3546	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		99 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，8A，47OHM，15V											60 ns	-	600 v	23 a	24 a	1.85V @ 15V，8a	（70µJ）（在145µJ上）	19 nc	30ns/95ns
IRF7304pbf	1.0000	RFQ	3739	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2（p 通道（双）			20V	4.3a（ta）		90MOHM @ 2.2a，4.5V	700MV @ 250µA	22nc @ 4.5V		610pf @ 15V	逻辑级别门
IRGS6B60KPBF	1.0000	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		90 W	pg-to263-3-901	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，5A，100OHM，15V												-	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IRF8113PBF	-	RFQ	5677	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFAE32	5.7800	RFQ	523	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IRF9335pbf	-	RFQ	8839	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,262		P通道		30 V	5.4A（ta）	4.5V，10V	59MOHM @ 5.4A，10V	2.4V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±20V	386 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
AUIRF2907ZS7PTL	-	RFQ	1459	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	180a（TC）	10V	3.8mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7580 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFR3711TRLPBF	0.4900	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		20 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	2.5W（ta），120W（tc）
AUIRGF65G40D0	-	RFQ	7938	国际整流器	Coolirigbt™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Auirgf65	标准		625 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，20A，4.7OHM，15V											41 ns	-	600 v	62 a	84 a	2.2V @ 15V，20A	298µJ（在）上，147µJ降低）	270 NC	35NS/142NS
IRFZ44NSTRRPBF	0.7900	RFQ	450	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	450		n通道		55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRF7807VPBF	1.0000	RFQ	2076	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±20V		-	2.5W（TA）
IRFPS3810pbf	-	RFQ	6400	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-274AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-247（TO-274AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	170a（TC）		9MOHM @ 100A，10V	5V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±30V	6790 pf @ 25 V	-	580W（TC）
IRGP4266DPBF	-	RFQ	6264	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		455 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，75A，10欧姆，15V											170 ns	-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	1059	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道		150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
IRG4PC30FPBF	1.8800	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，17a，23ohm，15V												-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	77 NC	21NS/200NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²