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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
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IRFF9233	1.6200	RFQ	289	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	185	n通道		150 v	3.5a	-	-	-		-		-	25W
IRGS4064DTRLPBF	-	RFQ	3807	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		101 w	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，10a，22ohm，15V											62 ns	沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	32 NC	27NS/79NS
IRFR1205TRPBF	-	RFQ	7056	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）
AUIRF2804STRL7P	-	RFQ	3280	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W（TC）
AUIRFSL6535	1.5600	RFQ	13	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO262-3-901	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		300 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a，10v	5V @ 150µA	57 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	210W（TC）
IRFU7546PBF	-	RFQ	3757	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		60 V	56A（TC）	6V，10V	7.9MOHM @ 43A，10V	3.7V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 25 V	-	99W（TC）
Auirfr2905ztrl	-	RFQ	6366	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	42A（TC）	10V	14.5mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRGP4690D-EPBF	5.4000	RFQ	609	国际整流器	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		400V，75A，10欧姆，15V											155 ns	-	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
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IRF3717TRPBF	-	RFQ	5381	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		20 v	20A（TA）	4.5V，10V	4.4mohm @ 20a，10v	2.45V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±20V	2890 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
AUIRGP4066D1	-	RFQ	2564	国际整流器	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-AUIRGP4066D1-600047			1		400V，75A，10欧姆，15V											240 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	4.24mj（在）上，2.17MJ off）	225 NC	50NS/200NS
IRG7PH35UDPBF	-	RFQ	2257	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG7PH35UDPBF-600047			1		600V，20a，10ohm，15V											105 ns	沟	1200 v	50 a	60 a	2.2V @ 15V，20A	1.06µJ（在）上，620µj（（）	85 NC	30NS/160NS
IRGS4B60KD1PBF	-	RFQ	2030	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		63 W	D2PAK	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRGS4B60KD1PBF-600047			1		400V，4A，100OHM，15V											93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
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IRG4PC40UD-EPBF	-	RFQ	9897	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，20A，10欧姆，15V											42 ns	-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	（710µJ）（在350µJ上）	100 NC	54NS/110NS
IRFI7440GPBF	-	RFQ	7625	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	191	n通道		40 V	95A（TC）	10V	2.5MOHM @ 57A，10V	3.9V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	4549 PF @ 25 V	-	42W（TC）
IRGP4263DPBF	4.7500	RFQ	250	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		325 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		400V，48a，10ohm，15V											170 ns	-	650 v	90 a	192 a	2.1V @ 15V，48a	2.9MJ（在）上，1.4MJ off）	145 NC	70NS/140NS
IRF8714pbf	1.0000	RFQ	8405	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,800	n通道		30 V	14A（TA）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 14A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1020 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
auirfn8403tr	-	RFQ	9243	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	95A（TC）		3.3mohm @ 50a，10v	3.9V @ 100µA	98 NC @ 10 V	±20V	3174 PF @ 25 V	-	4.3W（ta），94W（tc）
IRFS59N10DPBF	-	RFQ	9071	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	59A（TC）	10V	25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
AUIRGB4062D1	-	RFQ	8090	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	auirgb4	标准		246 w	TO-220AB	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											102 ns	沟	600 v	59 a	72 a	1.77V @ 15V，24a	（532µJ）（在311µJ上）	77 NC	19NS/90NS
IRFZ46ZSPBF	0.7100	RFQ	800	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRFZ46ZSPBF	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	51A（TC）	10V	13.6mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	82W（TC）
IRG4BC40WPBF	-	RFQ	4525	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		160 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.5V @ 15V，20A	（110µJ）（在230µJ上）	98 NC	27n/100ns
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IRLZ24NSPBF	1.0000	RFQ	8288	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	18A（TC）	4V，10V	60mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRLR8721TRPBF-IR	-	RFQ	2961	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000	n通道		30 V	65A（TJ）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	65W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²