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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRFR024N	0.9600	RFQ	5	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	17a（TC）		75mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFZ44ESPBF	-	RFQ	6663	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	48A（TC）	10V	23mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	110W（TC）
Auirlr2908Trl	-	RFQ	5012	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		80 V	30A（TC）		28mohm @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V		1890 pf @ 25 V	-	120W（TC）
irg7ph28ud1pbf	2.0300	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		115 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		600V，15A，22OHM，15V												沟	1200 v	30 a	100 a	2.3V @ 15V，15a	543µJ（OFF）	90 nc	- /229ns
IRF323	0.6400	RFQ	901	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		350 v	2.8a	-	-	-		-		-	50W
IRG4BC40UPBF	1.8600	RFQ	950	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		160 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	320µJ（在）上，350µJ（350µJ）	150 NC	34NS/110NS
IRG4BC30W-STRLP	1.4400	RFQ	3912	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	156		480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
IRG4PH40UPBF	-	RFQ	5322	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		960V，21a，10ohm，15V												-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V，21a	1.04mj（在）上，3.4MJ off）	130 NC	24NS/220NS
IRGS4640DPBF	2.4300	RFQ	244	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		250 w	D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											89 ns	-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
IRGSL4062DPBF	2.3700	RFQ	54	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		250 w	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											89 ns	沟	600 v	48 a	96 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	50 NC	41NS/104NS
IRGP4263-EPBF	-	RFQ	4023	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		300 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，48a，10ohm，15V												-	650 v	90 a	192 a	2.1V @ 15V，48a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	150 NC	70NS/140NS
IRGSL30B60KPBF	1.3100	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		370 w	TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，30a，10ohm，15V												npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	102 NC	46NS/185NS
IRF8736PBF	-	RFQ	6310	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	18A（18A）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2315 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
Auirfu1010z	0.8800	RFQ	825	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	42A（TC）		7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRFS4610	-	RFQ	4130	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	73A（TC）		14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IRGP4063D-EPBF	-	RFQ	9796	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4063D	标准		330 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，48a，10ohm，15V											115 ns	沟	600 v	96 a	200 a	2.14V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	140 NC	60NS/145NS
IRGP4078D-EPBF	2.8900	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		278 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，50a，10ohm，15V												沟	600 v	74 a	150 a	2.2V @ 15V，50a	1.1mj（（）	92 NC	- /116ns
AUIRG4PC40S-E	-	RFQ	6803	国际整流器	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	auirg4	标准		160 w	TO-247AD	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，31a，10ohm，15V												-	600 v	60 a	120 a	1.5V @ 15V，31a	450µJ（在）上，6.5MJ（6.5MJ）	150 NC	22NS/650NS
IRF630NSPBF	1.0000	RFQ	4978	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	9.3A（TC）	10V	300MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W（TC）
IRGP4066PBF	1.0000	RFQ	2016	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，75A，10欧姆，15V												沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.465MJ（在）上，2.155mj（OFF））	225 NC	50NS/200NS
IRL8114pbf	1.2200	RFQ	5	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	90A（TC）		4.5mohm @ 40a，10v	2.25V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2660 pf @ 15 V	-	115W（TC）
AUIRFS8408-7P	-	RFQ	4693	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	195a（TC）		1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
irfr6215pbf	-	RFQ	6477	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	P通道		150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
Auirgp35b60pd	-	RFQ	8980	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	auirgp35b	标准		308 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		390V，22a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	240 NC	26NS/110NS
IRGP50B60PD1PBF	1.0000	RFQ	4039	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		390 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		390V，33a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.85V @ 15V，50a	（255µJ）（在），375µj（（（（（）	308 NC	30NS/130NS
IRL530NSPBF	-	RFQ	9316	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	17a（TC）	4V，10V	100mohm @ 9a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），79w（tc）
IRL540NSPBF	-	RFQ	6319	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	36a（TC）	4V，10V	44mohm @ 18a，10v	2V @ 250µA	74 NC @ 5 V	±16V	1800 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
AUIRF4905L	2.2800	RFQ	5	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	P通道		55 v	42A（TC）	10V	20mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRG4BC30FDPBF	-	RFQ	6216	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，17a，23ohm，15v											42 ns	-	600 v	31 a	124 a	1.8V @ 15V，17a	630µJ（在）上，1.39mj off）	51 NC	42NS/230NS
irfr1205pbf	-	RFQ	7675	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	44A（TC）	10V	27mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	107W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²