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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRLR3802PBF	0.4800	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		12 v	84A（TC）		8.5mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±12V	2490 pf @ 6 V	-	88W（TC）
IRFB3077pbf	-	RFQ	1405	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		75 v	120A（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRFH4234TRPBF	1.0000	RFQ	2190	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道		25 v	22a（22a）	4.5V，10V	4.6mohm @ 30a	2.1V @ 25µA	17 NC @ 10 V	±20V	1011 pf @ 13 V	-	3.5W（TA），27W（27W）TC）
2N6759	-	RFQ	2657	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204（TO-3）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2N6759-600047			1	n通道		350 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
irlu3802pbf	0.4800	RFQ	6	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		12 v	84A（TC）	2.8V，4.5V	8.5mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±12V	2490 pf @ 6 V	-	88W（TC）
AUIRF1010Z	1.0700	RFQ	12	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	281	n通道		55 v	75A（TC）		7.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRF7675M2TR	1.2800	RFQ	472	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M2			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距M2	下载					Ear99	8541.29.0095	235	n通道		150 v	4.4a（ta），18a（tc）	10V	56mohm @ 11a，10v	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	2.7W（ta），45W（tc）
IRG4PH40UD-EPBF	-	RFQ	6941	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		800V，21a，10ohm，15V											63 ns	-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V，21a	1.8mj（在）上，1.93mj off）	86 NC	46NS/97NS
IRFZ44ZLPBF	1.0600	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	284	n通道		55 v	51A（TC）	10V	13.9mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IRG8P50N120KDPBF	6.1800	RFQ	7	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		350 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		600V，35A，5OHM，15V											170 ns	-	1200 v	80 a	105 a	2V @ 15V，35a	2.3MJ（在）上，1.9MJ off）	315 NC	35NS/190NS
IRF6641TRPBF	2.0100	RFQ	22	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz	IRF6641		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		200 v	4.6A（TA），26a （TC）	10V	59.9MOHM @ 5.5A，10V	4.9V @ 150µA	48 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
AUIRFS4310	-	RFQ	3245	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	75A（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRF6892STRPBF	0.7700	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S3C			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™S3C	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		25 v	28a（28a），125a（tc）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 28A，10V	2.1V @ 50µA	25 NC @ 4.5 V	±16V	2510 pf @ 13 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
IRFZ44ESPBF	-	RFQ	6663	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	48A（TC）	10V	23mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFS23N15DTRLP	-	RFQ	3798	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	23A（TC）		90mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），136w（tc）
AUIRRR2905	-	RFQ	6015	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	42A（TC）		27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRFB7446GPBF	0.7900	RFQ	1	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	120A（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRFS7437-7PPBF	-	RFQ	7487	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	195a（TC）		1.4MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7437 PF @ 25 V	-	231W（TC）
auirrz44zl	0.8200	RFQ	9	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	51A（TC）		13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
irfr4105pbf	-	RFQ	6447	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	254	n通道		55 v	27a（TC）	10V	45mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRGB30B60KPBF	1.0000	RFQ	2503	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		370 w	TO-220AB	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，30a，10ohm，15V												npt	600 v	78 a	120 a	2.35V @ 15V，30a	（350µJ）（825µJ降），OFF）	102 NC	46NS/185NS
IRF6616TRPBF	1.1500	RFQ	37	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRF6616TRPBF-600047	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	（19a）（ta），106a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF141	-	RFQ	4623	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	33	n通道		80 V	28a	-	-	-		-		-	150W
IRGP6690DPBF	4.7100	RFQ	1465	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		483 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	9		400V，75A，10欧姆，15V											90 ns	-	600 v	140 a	225 a	1.95V @ 15V，75a	3.1MJ（在）上，2.8MJ（2.8MJ）	140 NC	85NS/222NS
IRLR8259TRPBF	-	RFQ	7852	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1	n通道		25 v	57A（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 21a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 4.5 V	±20V	900 pf @ 13 V	-	48W（TC）
IRFIRL60B216	-	RFQ	1503	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-904	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	258 NC @ 4.5 V	±20V	15570 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRFB4310ZPBF	2.0900	RFQ	9568	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	102	n通道		100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IRG4PC50SPBF	-	RFQ	2177	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，41A，5OHM，15V												-	600 v	70 a	140 a	1.36V @ 15V，41a	（720µJ）（在），8.27MJ（OFF）	180 NC	33NS/650NS
AUIRFR024N	0.9600	RFQ	5	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	17a（TC）		75mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF9233	2.1600	RFQ	301	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	P通道		150 v	5.5a		-	-		-		标准	75W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²