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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRGS14C40LTRLP	-	RFQ	1076	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		125 w	TO-263AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1			-												-	430 v	20 a		1.75V @ 5V，14a	-	27 NC	900NS/6µS
AUIRFR4292	0.8100	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	9.3A（TC）	10V	345MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	705 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IRF332	1.1900	RFQ	9430	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	49		n通道		400 v	4.5a	-	-	-		-		-	75W
IRGP50B60PDPBF	-	RFQ	8520	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		370 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			390V，33a，3.3孔，15V											50 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.6V @ 15V，50a	（360µJ）（在380µJ上）	360 NC	34NS/130NS
AUIRF1405ZS-7TRL	1.0000	RFQ	5434	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	120A（TC）	10V	4.9mohm @ 88a，10v	4V @ 150µA	230 NC @ 10 V	±20V	5360 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRGB4640DPBF	-	RFQ	7625	国际整流器	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		250 w	TO-220AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			400V，24a，10ohm，15V											89 ns	-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
AUIRF7313QTR	1.0000	RFQ	8983	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7313		MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载					Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			30V	6.9a		29mohm @ 6.9a，10V	3V @ 250µA	33nc @ 10V		755pf @ 25V	逻辑级别门
AUIRRR3636TRL	-	RFQ	9614	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR3636		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	50A（TC）		6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V		3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IRGR4610DTRPBF	-	RFQ	2274	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP		标准		77 w	176-LQFP（24x24）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	33			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	13 NC	27ns/75ns
IRF441	1.4400	RFQ	219	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	219		n通道		450 v	8a	-	-	-		-		-	125W
IRFR6215TRPBF	1.0000	RFQ	6710	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道		150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFAC30	5.1000	RFQ	427	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	59		n通道		600 v	3.6A（TC）	10V	2.5OHM @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	75W（TC）
AUIRFP4110	-	RFQ	1343	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	120A（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9620 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRF7473PBF	-	RFQ	4124	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	6.9a（ta）	10V	26mohm @ 4.1A，10V	5.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFS7787PBF-IR	-	RFQ	5428	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-IRFS7787pbf-ir	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	76A（TC）		8.4mohm @ 46A，10V	3.7V @ 100µA	109 NC @ 10 V	±20V	4020 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRLS3036-7PPBF	-	RFQ	2232	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 180a，10v	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 V	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRFZ34NSTRRPBF	-	RFQ	8825	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	100		n通道		55 v	29A（TC）	10V	40mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IRF8734pbf	-	RFQ	3081	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	21a（21a）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 21A，10V	2.35V @ 50µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	3175 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
auirfs8408trr	1.4000	RFQ	490	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	195a（TC）		1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
AUIRF7379QTR	-	RFQ	8698	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7379		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道			30V	5.8a，4.3a		45MOHM @ 5.8A，10V	3V @ 250µA	25nc @ 10V		520pf @ 25V	逻辑级别门
IRF141	-	RFQ	4623	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	33		n通道		80 V	28a	-	-	-		-		-	150W
AUIRFR540Z	1.0000	RFQ	5782	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	35A（TC）	10V	28.5mohm @ 21a，10v	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	91W（TC）
AUIRFR4104	1.1300	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
auirfs8405trl	1.2500	RFQ	134	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
IRFP044NPBF	-	RFQ	9289	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	53A（TC）	10V	20mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IRFAF30	5.1400	RFQ	5958	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	44		n通道		900 v	2A（TC）	10V	4.6OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
AUIRFN7107TR-IR	-	RFQ	7590	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-10	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRFN7107TR-IR	Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		75 v	（14a）（ta），75a（tc）		8.5MOHM @ 45A，10V	4V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	3001 PF @ 25 V	-	4.4W（ta），125W（tc）
2N6847	4.3400	RFQ	127	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		200 v	2.5A（TC）	10V	1.725ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	8.4 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	20W（TC）
IRF8308MTRPBF	1.1400	RFQ	10	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,012		n通道		30 V	27a（27A），150a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 27a，10v	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4404 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF6620TRPBF	0.6800	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载					Ear99	8542.39.0001	439		n通道		20 v	27a（27A），150a （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 27A，10V	2.45V @ 250µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4130 PF @ 10 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²