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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IRF7665S2TRPBF	1.0000	RFQ	6187	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SB		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距SB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	775		n通道	100 v	4.1A（TA），14.4a tc）		62MOHM @ 8.9a，10V	5V @ 25µA	13 NC @ 10 V	±20V	515 pf @ 25 V	-	2.4W（TA），30W（TC）
IRLS4030pbf	1.0000	RFQ	3152	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	180a（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±16V	11360 pf @ 50 V	-	370W（TC）
IRLR3636TRPBF	-	RFQ	7317	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IRF448	-	RFQ	1479年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE		MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	114		n通道	500 v	7.9a		-	-		-		-	-
IRF2804SPBF-IR	1.0000	RFQ	5053	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	40 V	75A（TC）	10V	2mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFHM8330TRPBF	-	RFQ	8838	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道	30 V	16a（16A），55a（tc）		6.6mohm @ 20a，10v	2.35V @ 25µA	20 nc @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	2.7W（TA），33W（tc）
irlu3705zpbf	0.9000	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	55 v	42A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V	±16V	2900 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IRFB4620pbf	1.0000	RFQ	2310	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	200 v	25A（TC）	10V	72.5Mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRFB4019pbf	-	RFQ	6584	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	150 v	17a（TC）	10V	95mohm @ 10a，10v	4.9V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	800 pf @ 50 V	-	80W（TC）
IRFHM8342TRPBF	1.0000	RFQ	7246	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3），Power33	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRFHM8342TRPBF-600047			1		n通道	30 V	10a（10a），28a（tc）		16mohm @ 17a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	560 pf @ 25 V	-	2.6W（TA），20W（20W）TC）
IRF221	1.0400	RFQ	8369	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	69		n通道	150 v	5a	-	-	-		-		-	40W
AUIRFR3710Z	-	RFQ	7548	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	100 v	42A（TC）	10V	18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
auirfs4410ztrl	-	RFQ	4604	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4410	MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	100 v	97A（TC）		9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V		4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
AUIRFR1018E-IR	-	RFQ	1703	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	60 V	56A（TC）	10V	8.4mohm @ 47a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 50 V	-	110W（TC）
IRF3704ZSPBF	-	RFQ	9563	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-						0000.00.0000	1		n通道	20 v	67A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 21a，10V	2.55V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1220 pf @ 10 V	-	57W（TC）
IRF6648TRPBF	-	RFQ	3453	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™Mn	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	60 V	86A（TC）	10V	7mohm @ 17a，10v	4.9V @ 150µA	50 NC @ 10 V	±20V	2120 PF @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF3575DTRPBF	1.8300	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-	表面安装	32-PowerWFQFN	IRF3575	MOSFET （金属 o化物）	-	32-PQFN （6x6）	下载	不适用	2（1年）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）		25V	303A（TC）		-	-	-		-	-
IRFS4115pbf	-	RFQ	3130	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	150 v	195a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRF7306PBF	-	RFQ	2287	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2（p 通道（双）		30V	3.6a（ta）		100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		440pf @ 25V	逻辑级别门
IRF341	1.5600	RFQ	2	国际整流器	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF341-600047			1
IRFH7440TRPBF	0.6800	RFQ	2	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH7440	MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	442		n通道	40 V	85A（TC）	6V，10V	2.4mohm @ 50a，10v	3.9V @ 100µA	138 NC @ 10 V	±20V	4574 PF @ 25 V	-	104W（TC）
AUIRFR540Z	1.0000	RFQ	5782	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	35A（TC）	10V	28.5mohm @ 21a，10v	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	91W（TC）
irlu3802pbf	0.4800	RFQ	6	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	12 v	84A（TC）	2.8V，4.5V	8.5mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±12V	2490 pf @ 6 V	-	88W（TC）
IRFR18N15DTRPBF	-	RFQ	4229	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000		n通道	150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	110W（TC）
auirfs8403trl	1.2800	RFQ	800	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达受影响	2156-AUIRFS8403TRL-600047	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	40 V	123A（TC）	10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRF1405ZSPBF	-	RFQ	8083	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	55 v	75A（TC）		4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
AUIRFS3004	-	RFQ	9432	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK-3（TO-263）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	40 V	195a（TC）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IRFH7914TRPBF	0.2500	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	30 V	（15A）（35A）（35A）（TC）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 14A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1160 pf @ 15 V	-	3.1W（TA）
IRF6795MTRPBF	1.1300	RFQ	36	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载					Ear99	8541.29.0095	267		n通道	25 v	32A（TA），160A （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 32a，10v	2.35V @ 100µA	53 NC @ 4.5 V	±20V	4280 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），75W（75W）TC）
IRFF9133	-	RFQ	1380	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					Ear99	8542.39.0001	70		n通道	80 V	6.5a	-	-	-		-		-	25W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²