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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRLS4030pbf	1.0000	RFQ	3152	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	180a（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±16V	11360 pf @ 50 V	-	370W（TC）
IRGP4066-EPBF	-	RFQ	8788	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，75A，10欧姆，15V												沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.465MJ（在）上，2.155mj（OFF））	225 NC	50NS/200NS
IRGS6B60KDTRRP	1.2400	RFQ	7372	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		90 W	D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	64		400V，5A，100OHM，15V											70 ns	npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IRFR15N20DPBF	-	RFQ	7869	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	17a（TC）	10V	165mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	910 PF @ 25 V	-	（3W）（140W）（TC）
IRFB7446GPBF	0.7900	RFQ	1	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	120A（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRFB4410ZGPBF	1.0600	RFQ	300	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	300	n通道		100 v	97A（TC）	10V	9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRGP4262D-EPBF	1.0000	RFQ	6163	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											170 ns	-	650 v	60 a	96 a	2.1V @ 15V，24a	（520µJ）（在），240µJ（240µJ）中	70 NC	24ns/73ns
IRFS7434pbf	-	RFQ	3548	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50	n通道		40 V	195a（TC）	6V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
IRGB4715DPBF	1.1200	RFQ	2	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		400V，8A，50OHM，15V												-	650 v	21 a	24 a	2V @ 15V，8a	200µJ（在）上，90µJ（OFF）	30 NC	30n/100n
IRF4104SPBF	1.0000	RFQ	2451	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载						0000.00.0000	1	n通道		40 V	75A（TC）	10V	5.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF341	1.5600	RFQ	2	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF341-600047			1
IRG8P45N65UD1PBF	4.6800	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的									-					Ear99	8542.39.0001	1
IRF7842PBF	1.0000	RFQ	3265	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	18A（18A）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	2.25V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4500 pf @ 20 V	-	2.5W（TA）
2N6847	4.3400	RFQ	127	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	P通道		200 v	2.5A（TC）	10V	1.725ohm @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	8.4 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	20W（TC）
IRGS6B60KDTRLP	1.2500	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS6B60	标准		90 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		400V，5A，100OHM，15V											70 ns	npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IRG7PH42UD-EP	-	RFQ	5281	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		320 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		600V，30a，10ohm，15V											153 ns	沟	1200 v	85 a	90 a	2V @ 15V，30a	2.11mj（在）上，1.18MJ OFF）	157 NC	25NS/229NS
IRG4PC30SPBF	-	RFQ	9818	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，18a，23ohm，15v												-	600 v	34 a	68 a	1.6V @ 15V，18A	（260µJ）（在3.45MJ上）	50 NC	22NS/540NS
IRG4IBC20KDPBF	-	RFQ	5274	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		34 W	TO-220AB全盘	下载					Ear99	8542.39.0001	1		480V，9a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	11.5 a	23 a	2.8V @ 15V，9a	（340µJ）（300µJ（）	34 NC	54NS/180NS
IRGP4620D-EPBF	1.7500	RFQ	1	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		140 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		400V，12A，22OHM，15V											68 ns	-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
AUIRFR024N	0.9600	RFQ	5	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	17a（TC）		75mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	45W（TC）
AUIRF1324STRL	2.5200	RFQ	15	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		24 V	195a（TC）	10V	1.65MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	7590 pf @ 24 V	-	300W（TC）
IRF6892STRPBF	0.7700	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S3C			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™S3C	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		25 v	28a（28a），125a（tc）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 28A，10V	2.1V @ 50µA	25 NC @ 4.5 V	±16V	2510 pf @ 13 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
Auirgr4045d	1.1500	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR4045	标准		77 w	TO-252AA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，6A，47OHM，15V											74 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRGP4263PBF	2.7900	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		300 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，48a，10ohm，15V												-	650 v	90 a	192 a	2.1V @ 15V，48a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	150 NC	70NS/140NS
IRF241	1.5300	RFQ	370	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	18A（TC）		-	-		-		-	125W
IRG4RC10UTRPBF	0.4500	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000		480V，5A，100OHM，15V												-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	80µJ（在）（160µJ）（OFF）上）	15 NC	19NS/116NS
IRLML0060TRPBF	1.0000	RFQ	4159	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		60 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	92MOHM @ 2.7A，10V	2.5V @ 25µA	2.5 NC @ 4.5 V	±16V	290 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
IRF8304MTRPBF	0.8400	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距MX	下载					Ear99	8541.29.0095	356	n通道		30 V	28a（28a），170a （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 28A，10V	2.35V @ 100µA	42 NC @ 4.5 V	±20V	4700 PF @ 15 V	-	2.8W（TA），100W（TC）
IRLR3636TRPBF	-	RFQ	7317	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		60 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IRFR7740TRPBF	1.0000	RFQ	7184	国际整流器	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²