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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFF9211	-	RFQ	7628	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	145		n通道		150 v	1.6a	-	-	-		-		-	15W
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IRG4PC50UD-EPBF	1.0000	RFQ	2113	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，27a，5ohm，15V											50 ns	-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（990µJ）（在590µJ上）	180 NC	46NS/140NS
irlr2905ztrlpbf	-	RFQ	4576	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	810		n通道		55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRLR8103VPBF-IR	1.0000	RFQ	1648年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	91A（TC）		9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	115W（TC）
IRF7902TRPBF	-	RFQ	4057	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7902		-	1.4W（TA），2W（2W））	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	2 n 通道（双）			30V	6.4a（ta），9.7a（ta）		22.6mohm @ 6.4a，10v，14.4mohm @ 9.7a，10v	2.25V @ 25µA	6.9nc @ 4.5V，9.8NC @ 4.5V		580pf @ 15V，900pf @ 15V	-
IRGS14C40LTRLP	-	RFQ	1076	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		逻辑		125 w	TO-263AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1			-												-	430 v	20 a		1.75V @ 5V，14a	-	27 NC	900NS/6µS
IRF8721pbf	-	RFQ	4195	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	14A（TA）		8.5mohm @ 14a，10v	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1040 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFSL3207ZPBF	1.0000	RFQ	6714	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRF332	1.1900	RFQ	9430	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	49		n通道		400 v	4.5a	-	-	-		-		-	75W
IRGP50B60PDPBF	-	RFQ	8520	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		370 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			390V，33a，3.3孔，15V											50 ns	npt	600 v	75 a	150 a	2.6V @ 15V，50a	（360µJ）（在380µJ上）	360 NC	34NS/130NS
AUIRFR4292	0.8100	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	9.3A（TC）	10V	345MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	705 pf @ 25 V	-	100W（TC）
AUIRF1405ZS-7TRL	1.0000	RFQ	5434	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	120A（TC）	10V	4.9mohm @ 88a，10v	4V @ 150µA	230 NC @ 10 V	±20V	5360 pf @ 25 V	-	230W（TC）
AUIRF2804S-7P-IR	-	RFQ	8609	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRF2804S-7P-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	240a（TC）	10V	1.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRF7834TRPBF	-	RFQ	3796	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	（19a ta）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3710 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFAF40	5.6300	RFQ	934	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		900 v	4.3A（TC）	10V	2.9ohm @ 4.3a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 25 V	-	125W（TC）
AUIRR1404ZL	1.5200	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	200W（TC）
AUIRF1324S-7P-IR	-	RFQ	4342	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRF1324S-7P-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		24 V	240a（TC）		1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
IRL60HS118	-	RFQ	3321	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子			MOSFET （金属 o化物）		6-PQFN （2x2）	下载						0000.00.0000	1		n通道		60 V	18.5A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 11a，10v	2.3V @ 10µA	8 NC @ 4.5 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	11.5W（TC）
IRFS4010Trl7pp	-	RFQ	6878	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	190a（TC）	10V	4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
auirfs4610trl	-	RFQ	8690	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	73A（TC）		14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V		3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IRF7328pbf	1.0000	RFQ	1583年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF732		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2（p 通道（双）			30V	8a		21mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	78nc @ 10V		2675pf @ 25V	逻辑级别门
IRL6297SDTRPBF	0.6000	RFQ	84	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SA	IRL6297		MOSFET （金属 o化物）	1.7W	DirectFet™SA	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）			20V	15a		4.9mohm @ 15a，4.5V	1.1V @ 35µA	54NC @ 10V		2245pf @ 10V	逻辑级别门
IRFAUIRF4905	-	RFQ	8218	国际整流器	-	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	95
irfu7540pbf	-	RFQ	4150	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		60 V	90A（TC）	6V，10V	4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF241	1.5300	RFQ	370	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	18A（TC）		-	-		-		-	125W
Irfae30	1.0000	RFQ	9399	国际整流器	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRF7205TRPBF	0.3000	RFQ	32	国际整流器	*	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	1,013
AUIRFS3206TRL-IR	-	RFQ	5162	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRFS3206TRL-IR	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	120A（TC）	10V	3mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRFR3505pbf	1.0000	RFQ	5064	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		55 v	30A（TC）	10V	13mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 25 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²