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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFHM8337TRPBF-IR	-	RFQ	4037	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	12a（12a）		12.4mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	8.1 NC @ 4.5 V	±20V	755 pf @ 15 V	-	2.8W（25W），25W（tc）
IRF7607TRPBF	-	RFQ	8338	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7607		MOSFET （金属 o化物）		Micro8™	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±12V	1310 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
Auirls3036-7p	2.9100	RFQ	2347	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 180a，10v	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 V	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRF1404STRRPBF	-	RFQ	4329	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1404		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	162a（TC）	10V	4mohm @ 95a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7360 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRFSL7530pbf	-	RFQ	5002	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		60 V	195a（TC）	6V，10V	2MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	411 NC @ 10 V	±20V	13703 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRLMS1503TRPBF	-	RFQ	9212	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）		Micro6™tsop-6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	210 pf @ 25 V	-	1.7W（TA）
AUIRFR120Z	0.5200	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
irfu2405pbf	-	RFQ	7486	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	-				2156-IRFU2405pbf			1		n通道		55 v	56A（TC）	10V	16mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2430 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRLR9343PBF	-	RFQ	6788	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		55 v	20A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
Auirls3034-7trl	3.0900	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 200a，10v	2.5V @ 250µA	180 NC @ 4.5 V	±20V	10990 pf @ 40 V	-	380W（TC）
IRGP4750DPBF	3.5900	RFQ	31	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		273 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25			400V，35a，10ohm，15V											150 ns	-	650 v	70 a	105 a	2V @ 15V，35a	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	105 NC	50NS/105NS
AUIRFSL8403	0.9000	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	123A（TC）	10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRGB4610DPBF	1.0000	RFQ	7090	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		77 w	TO-220AB	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	13 NC	27ns/75ns
IRFR1010ZPBF	0.5000	RFQ	5315	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	75		n通道		55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFS4615TRLPBF	-	RFQ	5625	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载						0000.00.0000	1		n通道		150 v	33A（TC）	10V	42MOHM @ 21a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
IRF6810STRPBF	0.7300	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距S1			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet S1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		25 v	16a（16A），50A（tc）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 16A，10V	2.1V @ 25µA	11 NC @ 4.5 V	±16V	1038 PF @ 13 V	-	2.1W（TA），20W（20W）TC）
IRFS4310TRRPBF	-	RFQ	4204	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	130a（TC）		7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRL60SL216	4.6500	RFQ	1	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262-3	下载					Ear99	8542.39.0001	65		n通道		60 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	255 NC @ 4.5 V	±20V	15330 PF @ 25 V	-	375W（TC）
IRFF9211	-	RFQ	7628	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	145		n通道		150 v	1.6a	-	-	-		-		-	15W
IRF8252PBF	0.5900	RFQ	4827	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	116		n通道		25 v	25A（TA）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	53 NC @ 4.5 V	±20V	5305 pf @ 13 V	-	2.5W（TA）
IRG4PC50UD-EPBF	1.0000	RFQ	2113	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，27a，5ohm，15V											50 ns	-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（990µJ）（在590µJ上）	180 NC	46NS/140NS
irlr2905ztrlpbf	-	RFQ	4576	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	810		n通道		55 v	42A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRLR8103VPBF-IR	1.0000	RFQ	1648年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	91A（TC）		9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	115W（TC）
IRF7902TRPBF	-	RFQ	4057	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7902		-	1.4W（TA），2W（2W））	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	2 n 通道（双）			30V	6.4a（ta），9.7a（ta）		22.6mohm @ 6.4a，10v，14.4mohm @ 9.7a，10v	2.25V @ 25µA	6.9nc @ 4.5V，9.8NC @ 4.5V		580pf @ 15V，900pf @ 15V	-
Auirru3114z	1.1500	RFQ	11	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载					Ear99	8541.29.0095	261		n通道		40 V	130a（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRLR2703PBF	-	RFQ	8058	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	315		n通道		30 V	23A（TC）	4V，10V	45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF7665S2TRPBF	1.0000	RFQ	6187	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SB			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距SB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	775		n通道		100 v	4.1A（TA），14.4a tc）		62MOHM @ 8.9a，10V	5V @ 25µA	13 NC @ 10 V	±20V	515 pf @ 25 V	-	2.4W（TA），30W（TC）
IRF2804SPBF-IR	1.0000	RFQ	5053	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	75A（TC）	10V	2mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFHM8342TRPBF	1.0000	RFQ	7246	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3），Power33	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRFHM8342TRPBF-600047			1		n通道		30 V	10a（10a），28a（tc）		16mohm @ 17a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 10 V	±20V	560 pf @ 25 V	-	2.6W（TA），20W（20W）TC）
auirfs4410ztrl	-	RFQ	4604	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4410		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	97A（TC）		9mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V		4820 PF @ 50 V	-	230W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²