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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRFS3107-7P	1.0000	RFQ	6024	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	240a（TC）	10V	2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRF6775MTRPBF	1.2100	RFQ	597	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载				Ear99	8541.29.0095	249		n通道		150 v	4.9a（ta），28a tc）（TC）	10V	56mohm @ 5.6A，10V	5V @ 100µA	36 NC @ 10 V	±20V	1411 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
AUIRFBA1405	-	RFQ	2709	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载				Ear99	8541.29.0095	163		n通道		55 v	95A（TC）	10V	5mohm @ 101a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IRGSL4B60KD1PBF	0.9500	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		63 W	TO-262	下载				Ear99	8542.39.0001	1			400V，4A，100OHM，15V											93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
AUIRFR8401TRL	-	RFQ	6221	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					0000.00.0000	1		n通道		40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 50µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
IRG4PH30KDPBF	-	RFQ	7345	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			800V，10a，23ohm，15V											50 ns	-	1200 v	20 a	40 a	4.2V @ 15V，10a	950µJ（在）（1.15MJ）上	53 NC	39NS/220NS
IRF123	0.6300	RFQ	738	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	7A（TC）	10V	400MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRG4BH20K-SPBF	-	RFQ	9850	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			960V，5A，50OHM，15V												-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	（450µJ）（在440µJ上）	28 NC	23ns/93ns
IRGR3B60KD2TRLP	-	RFQ	6439	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR3B60	标准		52 w	D-pak	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000			400V，3A，100OHM，15V											77 ns	npt	600 v	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V，3A	（62µJ）（在），39µJ（39µJ）中	13 NC	18NS/110NS
IRF7739L2TRPBF	1.0000	RFQ	7657	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L8	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	246		n通道		40 V	46A（TA），375A （TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	330 NC @ 10 V	±20V	11880 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），125W（tc）
IRGS4045DTRLPBF	1.0400	RFQ	5	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		77 w	D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRFS59N10DTRLP	-	RFQ	4464	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	59A（TC）		25mohm @ 35.4a，10v	5.5V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF7805TRPBF	0.4600	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	13A（TA）	4.5V	11MOHM @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
AUIRFR3504	1.0600	RFQ	10	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		40 V	56A（TC）	10V	9.2MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRGR3B60KD2TRRP	-	RFQ	8242	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR3B60	标准		52 w	D-pak	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	3,000			400V，3A，100OHM，15V											77 ns	npt	600 v	7.8 a	15.6 a	2.4V @ 15V，3A	（62µJ）（在），39µJ（39µJ）中	13 NC	18NS/110NS
irlr3410pbf	-	RFQ	8585	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
irg7pk35ud1pbf	-	RFQ	3045	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		167 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			600V，20a，10ohm，15V												-	1400 v	40 a	200 a	2.35V @ 15V，20A	650µJ（离）	98 NC	- /150ns
IRF6802SDTRPBF	0.8100	RFQ	5	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SA	IRF6802		MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA），21W（21W）TC）	DirectFet™等距SA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1,117	2 n 通道（双）			25V	16a（16A），57A （TC）		4.2MOHM @ 16a，10v	2.1V @ 35µA	13nc @ 4.5V		1350pf @ 13V	-
IRG4RC20FPBF	0.7700	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC20FPBF	标准		66 W	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，12A，50OHM，15V												-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	27 NC	26NS/194NS
IRFR4105ZPBF	-	RFQ	5409	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	30A（TC）		24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRG4PC40KDPBF-IR	1.0000	RFQ	6710	国际整流器	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
IRFR13N20DPBF-IR	-	RFQ	3841	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		200 v	13A（TC）		235mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	830 pf @ 25 V	-	110W（TC）
64-9174pbf	1.0000	RFQ	3748	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			336
IRGB4059DPBF	1.0800	RFQ	600	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		56 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，4A，100OHM，15V											55 ns	沟	600 v	8 a	16 a	2.05V @ 15V，4A	（35µJ）（在75µj of）上	13 NC	25NS/65NS
IRF1324STRL-7PP	-	RFQ	3821	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		24 V	240a（TC）		1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
IRG4BC15UD-SPBF	1.2500	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		49 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			480V，7.8a，75ohm，15V											28 ns	-	600 v	14 a	42 a	2.4V @ 15V，7.8a	240µJ（在）上，260µJ（OFF）	23 NC	17ns/160ns
IRFH4257DTRPBF	0.9800	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4257		MOSFET （金属 o化物）	25W，28W	PQFN（5x4）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			25V	25a		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1321pf @ 13V	逻辑级别门
IRGS6B60KPBF	1.0000	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		90 W	pg-to263-3-901	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			400V，5A，100OHM，15V												-	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IRF8113PBF	-	RFQ	5677	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFAE32	5.7800	RFQ	523	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²