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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRGP4069PBF	2.1600	RFQ	7	国际整流器	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		268 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		400V，35a，10ohm，15V												沟	600 v	76 a	105 a	1.85V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS
IRGP6630DPBF	-	RFQ	4635	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		192 w	TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		400V，18A，22OHM，15V											70 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	75µJ（在）上，350µJ（OFF）	30 NC	40NS/95NS
Auirrr3705ztrl	-	RFQ	1184	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	98	n通道		55 v	42A（TC）		8mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V		2900 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IRFAUIRF3805S	-	RFQ	6345	国际整流器	-	大部分	积极的									下载					Ear99	8541.29.0095	1
IRG4PH20KDPBF	-	RFQ	4020	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		60 W	TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		800V，5A，50OHM，15V											51 ns	-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	620µJ（在）上，300µJ（OFF）	28 NC	50NS/100NS
IRG8P45N65UD1-EPBF	4.8600	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	过时的									-					Ear99	8542.39.0001	1
IRG4BC30KPBF	1.1700	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，16a，23ohm，15v												-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	360µJ（在）上，510µJ（OFF）	100 NC	26NS/130NS
IRFIB41N15DPBF	-	RFQ	5703	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	41A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	5.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	48W（TC）
irfr7540pbf	1.0000	RFQ	5147	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		60 V	90A（TC）		4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
Auirfz48n	1.5100	RFQ	18	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	69A（TC）	10V	14mohm @ 40a，10v	4V @ 100µA	63 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IRFR3411TRPBF	-	RFQ	4330	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	60	n通道		100 v	32A（TC）	10V	44mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 V	-	130W（TC）
AUIRFC8407TR	0.5600	RFQ	306	国际整流器	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-AUIRFC8407TR-600047	Ear99	8541.29.0040	1
IRLR7833TRLPBF	-	RFQ	9945	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	172	n通道		30 V	140a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IRFS31N20DPBF	-	RFQ	2471	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
IRFS7537pbf	-	RFQ	1776年	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		60 V	173a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRF3315pbf	-	RFQ	9658	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	23A（TC）		70mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	94W（TC）
IRF7476TRPBF	1.0000	RFQ	5279	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000	n通道		12 v	15A（TA）	2.8V，4.5V	8mohm @ 15a，4.5V	1.9V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±12V	2550 pf @ 6 V	-	2.5W（TA）
IRLR8729TRLPBF	-	RFQ	8847	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8729		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	58A（TC）	4.5V，10V	8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
IRFF1210	1.0000	RFQ	9966	国际整流器	-	大部分	积极的									下载						0000.00.0000	1
irfu1018epbf	0.5500	RFQ	763	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	547	n通道		60 V	56A（TC）		8.4mohm @ 47a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 50 V	-	110W（TC）
IRF3315SPBF	-	RFQ	1127	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
AUIRR1404Z	1.7400	RFQ	22	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		40 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	200W（TC）
2N6763	2.5900	RFQ	7858	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载					Ear99	8541.29.0095	24	n通道		60 V	31a（TC）	10V	80Mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W
IRF4104SPBF	1.0000	RFQ	2451	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载						0000.00.0000	1	n通道		40 V	75A（TC）	10V	5.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF2807ZSPBF	1.0000	RFQ	1190	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		75 v	75A（TC）		9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IRF2804LPBF	-	RFQ	9475	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF2804		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		40 V	75A（TC）		2.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V		6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRL1404PBF	1.0600	RFQ	5834	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6590 pf @ 25 V	-	200W（TC）
auirlr3110ztrl	-	RFQ	3497	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	42A（TC）		14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRRR2703	0.6500	RFQ	6	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	20A（TC）		45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFR5505pbf	-	RFQ	9788	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道		55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²