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（1222））

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IRFF9213	-	RFQ	5237	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	1.3A（TC）		-	-		-		-	15W
IRF6618TRPBF	-	RFQ	1163	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MT	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRF6618TRPBF-600047			1	n通道		30 V	（30a）（TA），170A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.35V @ 250µA	65 NC @ 4.5 V	±20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRG4PC50KDPBF	-	RFQ	2019	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRG4PC50KDPBF-600047	Ear99	8541.29.0095	1
AUIRGS30B60K	1.0000	RFQ	8852	国际整流器	*	大部分	积极的				AUIRGS30					下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRGS30B60K-600047			1
IRFSL7534PBF	-	RFQ	6583	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		60 V	195a（TC）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	279 NC @ 10 V	±20V	10034 pf @ 25 V	-	294W（TC）
IRG7PSH50UDPBF	7.7100	RFQ	157	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		462 w	SUPER-247™to-274AA）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		600V，50A，5OHM，15V											190 ns	沟	1200 v	116 a	150 a	2V @ 15V，50a	3.6mj（在）上，2.2mj off）	440 NC	35NS/430NS
IRGB4630DPBF	2.3200	RFQ	650	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		206 w	TO-220AC	下载					Ear99	8542.39.0001	130		400V，18A，22OHM，15V											100 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
IRF6613TRPBF	1.1700	RFQ	22	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MT	下载					Ear99	8542.39.0001	258	n通道		40 V	（23A）（TA），150A （TC）	4.5V，10V	3.4mohm @ 23A，10V	2.25V @ 250µA	63 NC @ 4.5 V	±20V	5950 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
AUIRFR4292TRL	-	RFQ	9177	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		250 v	9.3A（TC）	10V	345MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	705 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IRG4BC10SD-SPBF	1.0400	RFQ	2	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		38 w	D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		480V，8A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
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IRG4PH50S-EPBF	-	RFQ	5439	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1		960V，33A，5OHM，15V												-	1200 v	57 a	114 a	1.7V @ 15V，33a	1.8MJ（在）中，19.6MJ OFF）	167 NC	32NS/845NS
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Auirrr3705ztrl	-	RFQ	1184	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8541.29.0095	98	n通道		55 v	42A（TC）		8mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	66 NC @ 5 V		2900 PF @ 25 V	-	130W（TC）
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IRFS4610TRLPBF	1.0000	RFQ	3998	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
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IRG8P15N120KD-EPBF	3.3700	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	90		600V，10a，10ohm，15V											60 ns	-	1200 v	30 a	30 a	2V @ 15V，10a	600µJ（在）上，600µJ（600µJ）off）	98 NC	15NS/170NS
IRFR3711ZTRPBF	-	RFQ	2252	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		20 v	93A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2160 pf @ 10 V	-	79W（TC）
IRGB4B60KD1PBF	0.9200	RFQ	57	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		63 W	TO-220AB	-					Ear99	8542.39.0001	1		400V，4A，100OHM，15V											93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
IRF9230	4.5800	RFQ	10	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AA（TO-3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道		200 v	6.5A（TC）	10V	940MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF7424TRPBF	-	RFQ	1556年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1	P通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13.5mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4030 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRG4BC30KPBF	1.1700	RFQ	9	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，16a，23ohm，15v												-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	360µJ（在）上，510µJ（OFF）	100 NC	26NS/130NS
IRG4RC10SDPBF	-	RFQ	8471	国际整流器	s	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w	D-pak（TO-252AA）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4RC10SDPBF-600047			1		480V，8A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
IRFR5505pbf	-	RFQ	9788	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1	P通道		55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IRL1404PBF	1.0600	RFQ	5834	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6590 pf @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²