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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRGR4045DTRPBF	0.9200	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		77 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	2,000		400V，6A，47OHM，15V											74 ns	沟	600 v	12 a	12 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRF7601pbf	0.2500	RFQ	4069	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	870	n通道		20 v	5.7A（ta）		35mohm @ 3.8A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
irlu9343pbf	-	RFQ	3358	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	P通道		55 v	20A（TC）		105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
AUIRF1405	1.8600	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	75A（TC）		5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IRGP4062-EPBF	1.9900	RFQ	250	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V												沟	600 v	48 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（115µJ）（在600µJ上）	75 NC	41NS/104NS
IRG4PC60FPBF	-	RFQ	1735年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		520 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，60a，5ohm，15V												-	600 v	90 a	360 a	1.8V @ 15V，60a	300µJ（在）上，4.6MJ off）	290 NC	42NS/310NS
AUIRRR2905	-	RFQ	6015	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	42A（TC）		27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRG4BC40W-STRRP	-	RFQ	5987	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		160 w	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.5V @ 15V，20A	（110µJ）（在230µJ上）	98 NC	27n/100ns
IRF431	1.2400	RFQ	1	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		450 v	4.5a		1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
auirgs4062d1trl	1.0000	RFQ	2510	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRGS4062	标准		246 w	D²Pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，24a，10ohm，15V											102 ns	沟	600 v	59 a	72 a	1.77V @ 15V，24a	（532µJ）（在311µJ上）	77 NC	19NS/90NS
Auirls4030-7p	2.7000	RFQ	1	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	121	n通道		100 v	190a（TC）	4.5V，10V	3.9MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11490 pf @ 50 V	-	370W（TC）
AUIRR2203N	1.0000	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRG7PH46UPBF	1.0000	RFQ	1933年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		469 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		600V，40a，10ohm，15V												沟	1200 v	130 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.56mj（在）上，1.78mj off）	220 NC	45NS/410NS
IRG4PH50KDPBF	-	RFQ	6143	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		800V，24A，5OHM，15V											90 ns	-	1200 v	45 a	90 a	3.5V @ 15V，24a	3.83mj（在）上，1.9MJ off）	180 NC	87NS/140NS
IRGIB10B60KD1P	-	RFQ	3736	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		44 W	TO-220AB全盘	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，10A，50OHM，15V											79 ns	npt	600 v	16 a	32 a	2.1V @ 15V，10a	（156µJ）（165µJ）（OFF）	41 NC	25NS/180NS
IRFS23N15DTRLP	-	RFQ	3798	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		150 v	23A（TC）		90mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），136w（tc）
IRG4BC20KD-SPBF	1.5000	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC20KD-SPBF	标准		60 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，9a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（340µJ）（300µJ（）	34 NC	54NS/180NS
IRG4BC20FDPBF	-	RFQ	9159	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，9a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	16 a	64 a	2V @ 15V，9a	（250µJ）（在640µJ上）	27 NC	43NS/240NS
IRGS4B60KD1TRLP	0.8000	RFQ	1168	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS4B60	标准		63 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	266		400V，4A，100OHM，15V											93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
IRFH4210DTRPBF	1.2000	RFQ	937	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH4210		MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		25 v	44A（TA）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 50A，10V	2.1V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.5W（TA），125W（tc）
IRG4BC20KDPBF-IR	-	RFQ	3640	国际整流器	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
IRFH8316TRPBF-IR	0.3500	RFQ	4	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	27a（27A），50A（50A）（TC）	4.5V，10V	2.95MOHM @ 20A，10V	2.2V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 10 V	-	3.6W（TA），59w（tc）
IRFR6215TRRPBF-IR	-	RFQ	9716	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000	P通道		150 v	13A（TC）		295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
AUIRFS4310Z-IR	-	RFQ	3519	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	120A（TC）		6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IRG4BC40KPBF-IR	1.0000	RFQ	6494	国际整流器	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
IRG4PC50KDPBF-IR	-	RFQ	7456	国际整流器	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1
IRG4BC40W-SPBF	-	RFQ	6338	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		160 w	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，20A，10欧姆，15V												-	600 v	40 a	160 a	2.5V @ 15V，20A	（110µJ）（在230µJ上）	98 NC	27n/100ns
Auirgr4045d	1.1500	RFQ	4	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR4045	标准		77 w	TO-252AA	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		400V，6A，47OHM，15V											74 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRG4BC30WPBF	1.3900	RFQ	658	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		480V，12a，23ohm，15V												-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
IRG4BC40FPBF	1.0000	RFQ	7501	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		160 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		480V，27a，10ohm，15V												-	600 v	49 a	200 a	1.7V @ 15V，27a	370µJ（在）上，1.81mj off）	150 NC	26NS/240NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²