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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF6713STRPBF	1.0000	RFQ	2	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距平方英尺	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		25 v	22a（22a），95a（tc）		3mohm @ 22a，10v	2.4V @ 50µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	2880 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRF1407LPBF	-	RFQ	1444	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	150		n通道		75 v	100A（TC）		7.8mohm @ 78a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V		5600 pf @ 25 V	-
IRF6637TRPBF	0.8300	RFQ	31	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MP			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MP	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	14a（14A），59A （TC）	4.5V，10V	7.7MOHM @ 14A，10V	2.35V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1330 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
AUIRFB3207	-	RFQ	9778	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	75A（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 50 V	-	300W（TC）
AUIRF3805L	1.9700	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	160a（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	7960 pf @ 25 V	-	300W（TC）
AUIRFR1010Z	-	RFQ	8387	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252AA）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	42A（TC）		7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V		2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRFB3207ZPBF	-	RFQ	1010	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		75 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRFS7434-7PPBF	-	RFQ	2838	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载						0000.00.0000	1		n通道		40 V	240a（TC）	6V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	245W（TC）
AUIRFR5410-IR	0.7700	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IRF7304pbf	1.0000	RFQ	3739	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2（p 通道（双）			20V	4.3a（ta）		90MOHM @ 2.2a，4.5V	700MV @ 250µA	22nc @ 4.5V		610pf @ 15V	逻辑级别门
IRF40DM229	1.2100	RFQ	9	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MF			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距MF	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	159a（TC）	6V，10V	1.85MOHM @ 97A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5317 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IRFAE32	5.7800	RFQ	523	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
irlu3105pbf	-	RFQ	7293	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	300		n通道		55 v	25A（TC）		37mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V		710 PF @ 25 V	-
IRF7424TRPBF	-	RFQ	1556年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13.5mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4030 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRGP6640D-EPBF	1.0000	RFQ	1887年	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25			400V，24a，10ohm，15V											70 ns	-	600 v	53 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（90µJ）（在600µJ上）	50 NC	40NS/100NS
IRG4RC10SDPBF	-	RFQ	8471	国际整流器	s	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w	D-pak（TO-252AA）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRG4RC10SDPBF-600047			1			480V，8A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
AUIRGS30B60K	1.0000	RFQ	8852	国际整流器	*	大部分	积极的				AUIRGS30					下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRGS30B60K-600047			1
IRG4PC50KDPBF	-	RFQ	2019	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRG4PC50KDPBF-600047	Ear99	8541.29.0095	1
IRF6618TRPBF	-	RFQ	1163	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MT			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MT	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IRF6618TRPBF-600047			1		n通道		30 V	（30a）（TA），170A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.35V @ 250µA	65 NC @ 4.5 V	±20V	5640 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRFU7746PBF	0.6200	RFQ	3	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRFU7746PBF	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRG4PC50FDPBF	-	RFQ	2333	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	25			480V，39A，5OHM，15V											50 ns	-	600 v	70 a	280 a	1.6V @ 15V，39a	1.5MJ（在）上，2.4MJ off）	190 NC	55NS/240NS
IRG4PH50UPBF	-	RFQ	9259	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			960V，24A，5OHM，15V												-	1200 v	45 a	180 a	3.7V @ 15V，24a	530µJ（在）上，1.41MJ OFF）	160 NC	35NS/200NS
IRGP4263D-EPBF	4.8200	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		325 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，48a，10ohm，15V											170 ns	-	650 v	90 a	192 a	2.1V @ 15V，48a	2.9MJ（在）上，1.4MJ off）	145 NC	70NS/140NS
IRG4PH40KPBF	1.0000	RFQ	4152	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			960V，15a，10ohm，15V												-	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	（730µJ）（在），1.66mj（（）	94 NC	30NS/200NS
IRG4PF50WPBF	1.0000	RFQ	6368	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			720v，28a，5ohm，15V												-	900 v	51 a	204 a	2.7V @ 15V，28a	（190µJ）（在1.06mj）上	160 NC	29NS/110NS
AUIRFS3206	-	RFQ	5001	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	120A（TC）	10V	3mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRGP4263PBF	2.7900	RFQ	6	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		300 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，48a，10ohm，15V												-	650 v	90 a	192 a	2.1V @ 15V，48a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	150 NC	70NS/140NS
IRF7241pbf	-	RFQ	2031	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRGP4262D-EPBF	1.0000	RFQ	6163	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，24a，10ohm，15V											170 ns	-	650 v	60 a	96 a	2.1V @ 15V，24a	（520µJ）（在），240µJ（240µJ）中	70 NC	24ns/73ns
IRGP6690DPBF	4.7100	RFQ	1465	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		483 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	9			400V，75A，10欧姆，15V											90 ns	-	600 v	140 a	225 a	1.95V @ 15V，75a	3.1MJ（在）上，2.8MJ（2.8MJ）	140 NC	85NS/222NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²