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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRF1324STRL-7PP	-	RFQ	3821	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		24 V	240a（TC）		1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
IRG8P25N120KDPBF	3.2100	RFQ	13	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		180 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			600V，15a，10ohm，15V											70 ns	-	1200 v	40 a	45 a	2V @ 15V，15a	（800µJ）（在），900µJ（900µJ）中	135 NC	20N/170NS
IRF122	0.8800	RFQ	731	国际整流器	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF122-600047		0000.00.0000	1
AUIRR3705Z	1.4700	RFQ	8	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IRFH4257DTRPBF	0.9800	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH4257		MOSFET （金属 o化物）	25W，28W	PQFN（5x4）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			25V	25a		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 35µA	15nc @ 4.5V		1321pf @ 13V	逻辑级别门
irll3303pbf	-	RFQ	5319	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	160		n通道		30 V	4.6a（ta）		31MOHM @ 4.6A，10V	1V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	840 pf @ 25 V	-	1W（ta）
64-9142pbf	0.5500	RFQ	704	国际整流器	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				310
IRFR5305pbf	-	RFQ	5132	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		55 v	31a（TC）	10V	65mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRFR7746TRPBF	-	RFQ	8932	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	176-LQFP			MOSFET （金属 o化物）		176-LQFP（24x24）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		75 v	56A（TC）	6V，10V	11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRFAF42	6.5000	RFQ	60	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		500 v	7a		-	-		-		-	125W
Auirgp35b60pd-e	-	RFQ	2812	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	auirgp35b	标准		308 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			390V，22a，3.3孔，15V											42 ns	npt	600 v	60 a	120 a	2.55V @ 15V，35a	（220µJ）（在），215µJ（215µJ）中	240 NC	26NS/110NS
IRGP4069D-EPBF	-	RFQ	8386	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		268 w	TO-247AD	下载					Ear99	8542.39.0001	1			400V，35a，10ohm，15V											120 ns	沟	600 v	76 a	105 a	1.85V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS
IRGP4063PBF	-	RFQ	7714	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		330 w	TO-247AC	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-IRGP4063PBF-600047			1			400V，48a，10ohm，15V												沟	600 v	96 a	144 a	2.14V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	95 NC	60NS/145NS
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IRG4BH20K-SPBF	-	RFQ	9850	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	D2PAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			960V，5A，50OHM，15V												-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	（450µJ）（在440µJ上）	28 NC	23ns/93ns
IRFSL7430pbf	1.9800	RFQ	4	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	195a（TC）	6V，10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	460 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRF7304pbf	1.0000	RFQ	3739	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	2（p 通道（双）			20V	4.3a（ta）		90MOHM @ 2.2a，4.5V	700MV @ 250µA	22nc @ 4.5V		610pf @ 15V	逻辑级别门
IRG4BC30F-SPBF	1.3300	RFQ	10	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30F-SPBF	标准		100 W	D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			480V，17a，23ohm，15v												-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
IRG4PH40UDPBF	-	RFQ	4910	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	-	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			800V，21a，10ohm，15V											63 ns	-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V，21a	1.8mj（在）上，1.93mj off）	86 NC	46NS/97NS
IRF6218pbf	-	RFQ	8651	国际整流器	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	50		P通道		150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRG4IBC30UDPBF	1.0000	RFQ	9741	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W	TO-220AB全盘	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，12a，23ohm，15V											42 ns	-	600 v	17 a	68 a	2.1V @ 15V，12A	（380µJ）（在160µJ上）	50 NC	40NS/91NS
IRF7834pbf	-	RFQ	6385	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	（19a ta）		4.5MOHM @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3710 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRGP4066D-EPBF	-	RFQ	1555年	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		454 w	TO-247AD	下载						0000.00.0000	1			400V，75A，10欧姆，15V											155 ns	沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
IRL7486MTRPBF	1.2100	RFQ	4	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距我			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距我	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		40 V	209a（TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 123A，10V	2.5V @ 150µA	111 NC @ 4.5 V	±20V	6904 PF @ 25 V	-	104W（TC）
IRLH6224TRPBF	1.0000	RFQ	5726	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		20 v	28a（28a），105a（tc）	2.5V，4.5V	3mohm @ 20a，4.5V	1.1V @ 50µA	86 NC @ 10 V	±12V	3710 PF @ 10 V	-	3.6W（TA），52W（TC）
AUIRFR3607	-	RFQ	7019	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR3607		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	56A（TC）	10V	9MOHM @ 46A，10V	4V @ 100µA	84 NC @ 10 V	±20V	3070 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IRF7811AVTRPBF	-	RFQ	2547	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	4,000		n通道		30 V	10.8a（ta）	4.5V	14mohm @ 15a，4.5V	3V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1801 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
AUIRFBA1405	-	RFQ	2709	国际整流器	Hexfet®	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）		SUPER-220™to-273AA）	下载					Ear99	8541.29.0095	163		n通道		55 v	95A（TC）	10V	5mohm @ 101a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	330W（TC）
irlr7821pbf	-	RFQ	7115	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRG4RC10UDTRRP	1.0000	RFQ	1038	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000			480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²