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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRG4PC60UPBF	1.0000	RFQ	7985	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		520 w	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，40a，5ohm，15V												-	600 v	75 a	300 a	2V @ 15V，40a	280µJ（在）上，1.1MJ OFF）	310 NC	39NS/200NS
AUIRF6218S	-	RFQ	8744	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRF6218S-600047			1		P通道		150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRGS4045DPBF	1.0100	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		77 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			400V，6A，47OHM，15V											74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRFSL4310ZPBF	-	RFQ	3516	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 75a，10v	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6860 pf @ 50 V	-	250W（TC）
IRFH5250DTRPBF	0.8300	RFQ	902	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	362		n通道		25 v	40a（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	2.35V @ 150µA	83 NC @ 10 V	±20V	6115 PF @ 13 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
IRFHE4250DTRPBF	1.9300	RFQ	9	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	32-PowerVFQFN	IRFHE4250		MOSFET （金属 o化物）	156W（TC）	32-PQFN （6x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000	2 n 通道（双）			25V	86A（TC），303A （TC）		2.75mohm @ 27a，10v，900µhm @ 27A，10V	2.1V @ 35µA，2.1V @ 100µA	20nc @ 4.5V，53nc @ 4.5V		1735pf @ 13V，4765pf @ 13V	-
AUIRG4PC40S-E-IR	-	RFQ	6740	国际整流器	*	大部分	积极的				auirg4					-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	2156-AUIRG4PC40S-E-IR	Ear99	0000.00.0000	1
IRLZ44ZSPBF	-	RFQ	7338	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	51A（TC）		13.5MOHM @ 31a，10v	3V @ 250µA	36 NC @ 5 V	±16V	1620 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IPD50N04S308ATMA1	-	RFQ	1497	国际整流器	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500		n通道		40 V	50A（TC）	10V	7.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 40µA	35 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 25 V	-	68W（TC）
Auirlr3110Z	-	RFQ	5139	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	42A（TC）		14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRF4104STRL	1.4000	RFQ	456	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	75A（TC）		5.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V		3000 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRFB4410-IR	1.4500	RFQ	1	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-904	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	75A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 1.037mA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
auirfz44nstrl	1.1600	RFQ	12	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	800		n通道		55 v	49A（TC）		17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V		1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRF6713STRPBF	1.0000	RFQ	2	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距平方英尺	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		25 v	22a（22a），95a（tc）		3mohm @ 22a，10v	2.4V @ 50µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	2880 pf @ 13 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRLS3036Trl7pp	-	RFQ	6925	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	-						0000.00.0000	1		n通道		60 V	240a（TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 180a，10v	2.5V @ 250µA	160 NC @ 4.5 V	±16V	11270 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRL3803VPBF	1.0000	RFQ	5678	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	140a（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 71A，10V	1V @ 250µA	76 NC @ 4.5 V	±16V	3720 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFS7787pbf	-	RFQ	9853	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		75 v	76A（TC）		8.4mohm @ 46A，10V	3.7V @ 100µA	109 NC @ 10 V	±20V	4020 PF @ 25 V	-	125W（TC）
irfr1010ztrlpbf	-	RFQ	1966年	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
AUIRFS6535TRL	-	RFQ	7651	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		300 v	19a（tc）	10V	185mohm @ 11a，10v	5V @ 150µA	57 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	210W（TC）
IRF6721STRPBF	0.4400	RFQ	14	国际整流器	DirectFet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距平方英尺	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,183		n通道		30 V	14a（TA），60A （TC）		7.3mohm @ 14a，10v	2.4V @ 25µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1430 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
AUIRF3805S-7TRL	-	RFQ	5963	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRL7472L1TRPBF	1.0000	RFQ	8378	国际整流器	strongirfet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	-					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	375a（TC）	4.5V，10V	0.59MOHM @ 195a，10V	2.5V @ 250µA	330 NC @ 4.5 V	±20V	20082 PF @ 25 V	-	3.8W（341W）（TC）
IRLH6224TRPBF	1.0000	RFQ	5726	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		20 v	28a（28a），105a（tc）	2.5V，4.5V	3mohm @ 20a，4.5V	1.1V @ 50µA	86 NC @ 10 V	±12V	3710 PF @ 10 V	-	3.6W（TA），52W（TC）
IRF3709STRLPBF	1.0000	RFQ	8735	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	90A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	41 NC @ 5 V	±20V	2672 PF @ 16 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
IRFS4310pbf	-	RFQ	4036	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRFF9231	4.3400	RFQ	3	国际整流器	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		150 v	4A（TC）		-	-		-		-	25W
IRG4IBC20UDPBF	0.9700	RFQ	272	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		34 W	TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，6.5a，50ohm，15V											37 ns	-	600 v	11.4 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
AUIRF3710ZSTRL	-	RFQ	3571	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRFS7530-7PPBF	-	RFQ	5750	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		60 V	240a（TC）		1.4MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	354 NC @ 10 V	±20V	12960 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRLR2905PBF	-	RFQ	2667	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		55 v	42A（TC）	4V，10V	27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²