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（1222））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
AUIRF2805	2.0000	RFQ	1	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		55 v	75A（TC）	10V	4.7MOHM @ 104A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IRLR8729PBF	-	RFQ	2904	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	58A（TC）		8.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	16 NC @ 4.5 V	±20V	1350 pf @ 15 V	-	55W（TC）
IRFH7004TRPBF	-	RFQ	3280	国际整流器	hexfet®，strongirfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	-						0000.00.0000	1	n通道		40 V	100A（TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	194 NC @ 10 V	±20V	6419 PF @ 25 V	-	156W（TC）
IRFP4368PBF	-	RFQ	6132	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n通道		75 v	195a（TC）	10V	1.85MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	570 NC @ 10 V	±20V	19230 PF @ 50 V	-	520W（TC）
IRG4PC50UPBF	1.0000	RFQ	1578年	国际整流器	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，27a，5ohm，15V												-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（120µJ）（在540µJ上）	180 NC	32NS/170NS
IRF3710LPBF	1.0000	RFQ	2914	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
AUIRF1405ZSTRL	1.0000	RFQ	6259	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	150a（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IRGP4640-EPBF	-	RFQ	7176	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247AD	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25		400V，24a，10ohm，15V												-	600 v	65 a	72 a	1.9V @ 15V，24a	（100µJ）（600µJ）（off）	75 NC	40NS/105NS
IRF120CECC	-	RFQ	6415	国际整流器	*	大部分	积极的				IRF120		-			-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1											-
IRG4PC60UPBF	1.0000	RFQ	7985	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		520 w	TO-247AC	下载	不适用	3（168））	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		480V，40a，5ohm，15V												-	600 v	75 a	300 a	2V @ 15V，40a	280µJ（在）上，1.1MJ OFF）	310 NC	39NS/200NS
IRGS4045DPBF	1.0100	RFQ	8	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		77 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		400V，6A，47OHM，15V											74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRF7456pbf	1.0000	RFQ	6648	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		20 v	16A（TA）	2.8V，10V	6.5MOHM @ 16a，10v	2V @ 250µA	62 NC @ 5 V	±12V	3640 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRLR8726PBF	-	RFQ	4307	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	86A（TC）		5.8mohm @ 25a，10v	2.35V @ 50µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRFR4104TRLPBF	-	RFQ	2698	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载						0000.00.0000	1	n通道		40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRGS4715DPBF	1.1500	RFQ	2	国际整流器	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		100 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		400V，8A，50OHM，15V											86 ns	-	650 v	21 a	24 a	2V @ 15V，8a	200µJ（在）上，90µJ（OFF）	30 NC	30n/100n
IRFH3707TRPBF	0.1500	RFQ	1456	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn （3x3）	下载					Ear99	8542.39.0001	250	n通道		30 V	12a（12A），29a （TC）	4.5V，10V	12.4mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	8.1 NC @ 4.5 V	±20V	755 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
IRG4RC10UDTRRP	1.0000	RFQ	1038	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		480V，5A，100OHM，15V											28 ns	-	600 v	8.5 a	34 a	2.6V @ 15V，5A	140µJ（在）上，120µJ（120µJ）	15 NC	40NS/87NS
IRF7834pbf	-	RFQ	6385	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		30 V	（19a ta）		4.5MOHM @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3710 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
SI4420DYPBF	-	RFQ	6614	国际整流器	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	95	n通道		30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFB3207ZGPBF	-	RFQ	9377	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	145	n通道		75 v	120A（TC）		4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
AUIRFS4010-7P	-	RFQ	1043	国际整流器	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1	n通道		100 v	190a（TC）		4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
IRGP4660D-EPBF	5.7700	RFQ	150	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		330 w	TO-247AD	下载					Ear99	8541.29.0095	52		400V，48a，10ohm，15V											115 ns	-	600 v	100 a	144 a	1.9V @ 15V，48a	（625µJ）（在），1.28mj off）	140 NC	60NS/145NS
IRFZ34NSPBF	-	RFQ	3502	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	7	n通道		55 v	29A（TC）		40mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
IRG7PH42UPBF	1.0000	RFQ	4705	国际整流器	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		385 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		600V，30a，10ohm，15V												沟	1200 v	90 a	90 a	2V @ 15V，30a	（2.105mj）（在），1.182mj（OFF）中）	236 NC	25NS/229NS
IRGP4086PBF	-	RFQ	3911	国际整流器	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w	TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		196V，25a，10ohm												沟	300 v	70 a		2.96V @ 15V，120a	-	65 NC	36NS/112NS
AUIRF3805L	1.9700	RFQ	2	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道		55 v	160a（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	7960 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFP4227pbf	-	RFQ	9408	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载						0000.00.0000	1	n通道		200 v	65A（TC）	10V	25mohm @ 46a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	4600 PF @ 25 V	-	330W（TC）
AUIRF6218S	-	RFQ	8744	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		供应商不确定	到达受影响	2156-AUIRF6218S-600047			1	P通道		150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRF9143	4.3400	RFQ	80	国际整流器	Hexfet®	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AE			MOSFET （金属 o化物）		TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	80	P通道		80 V	15a		-	-		-		标准	125W
IRL520NSPBF	-	RFQ	7791	国际整流器	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	-				2156-irl520NSPBF			1	n通道		100 v	10A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1222））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²