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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM4NB60CI C0G	1.1907	RFQ	7682	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4NB60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM052N06PQ56 RLG	-	RFQ	6174	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	100A（TC）	10V	5.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	3686 pf @ 30 V	-	83W（TC）
TSM10N60CI C0G	-	RFQ	8807	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM10N60CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	50W（TC）
TSM1N45DCS RL	-	RFQ	9728	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM1N	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM1N45DCSRL	过时的	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			500mA（ta）		4.25ohm @ 250mA，10V	4.9V @ 250mA				-
TSM110NB04LDCR	1.1455	RFQ	5240	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），48W（tc）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM110NB04LDCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		40V	10a（10A），48a tc（TC）		11mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		1269pf @ 20V	-
TSM60NB099PW C1G	15.1800	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 11.7a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	329W（TC）
TSM190N08CZ C0G	9.6300	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	190a（TC）	10V	4.2MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 30 V	-	250W（TC）
KTC3198-Y-B0 B1G	-	RFQ	9128	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-B0B1G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
BC549B B1G	-	RFQ	7186	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC549		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
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TSM4NB65CI	1.1907	RFQ	6270	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	25W（TC）
TSM220NB06CR RLG	1.6800	RFQ	12	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM220	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	8a（8a ta），35A （TC）	10V	22mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1454 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
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BC550B	0.0447	RFQ	2702	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC550		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC550BTB	Ear99	8541.21.0095	5,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM055N03PQ56	0.7033	RFQ	5653	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM055	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x5.8）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM055N03PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	74W（TC）
ktc3198-gr a1g	-	RFQ	9205	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
BC546B	0.0447	RFQ	5561	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC546BTB	Ear99	8541.21.0095	10,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BSS138 RFG	0.3700	RFQ	64	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	260mA ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 260mA，10V	1.6V @ 250µA	2 NC @ 10 V	±20V	32 pf @ 25 V	-	357MW（TA）
TSM4N80CI C0G	-	RFQ	3169	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4N80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	955 pf @ 25 V	-	38.7W（TC）
TSM3443CX6	0.3395	RFQ	2478	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3443	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3443CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	20 v	4.7a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	640 pf @ 10 V	-	2W（TA）
TSM2311CX-01 RFG	-	RFQ	5218	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	TSM2311CX-01RFG	Ear99	8541.21.0095	1		P通道	20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	55MOHM @ 4A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	640 pf @ 6 V	-	900MW（TA）
TQM056NH04CR RLG	2.9900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM056	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	17a（17a），54A（tc）	7V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2912 PF @ 25 V	-	78.9W（TC）
KTC3198-BL A1G	-	RFQ	7523	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
TSM110NB04CR RLG	1.6800	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	12a（12a），54a（tc）	10V	11mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1443 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
TSM60NB600CP	1.6363	RFQ	2157	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB600CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	516 pf @ 100 V	-	63W（TC）
BC847A RFG	0.0343	RFQ	6411	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
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TSM300NB06LCV RGG	1.5100	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM300	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	5A（5A），24a （TC）	4.5V，10V	30mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	962 PF @ 30 V	-	1.9W（TA），39W（tc）
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TSM2307CX RFG	0.1576	RFQ	5123	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2307	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	565 pf @ 30 V	-	1.25W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²