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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
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BC550C B1G	-	RFQ	6081	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC550		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
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BC848CW RFG	0.0368	RFQ	6348	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BC546A B1	-	RFQ	2238	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546AB1	过时的		1													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
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TQM150NB04DCR RLG	3.1900	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM150	MOSFET （金属 o化物）	2.4W（ta），48W（tc）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	（9A）（ta），39A （TC）		15mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	18NC @ 10V		1135pf @ 20V	-
TSM500P02DCQ	0.4623	RFQ	7294	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM500	MOSFET （金属 o化物）	620MW（TC）	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM500P02DCQTR	Ear99	8541.21.0095	12,000	2个p通道		20V	4.7A（TC）		50mohm @ 3A，4.5V	0.8V @ 250µA	13nc @ 4.5V		1230pf @ 10V	标准
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TSM10N60CZ C0G	-	RFQ	7025	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM10N60CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	166W（TC）
TSM300NB06DCR RLG	2.2400	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM300	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6a（6a），25a tc（25a））		30mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17NC @ 10V		1079pf @ 30V	-
BC338-25 A1	-	RFQ	2708	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-25A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，5V	100MHz
TSM70N750CP ROG	4.2900	RFQ	6	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
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TSM300NB06CR RLG	1.5000	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM300	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6A（6A），27a （TC）	10V	30mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1110 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
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MMBT3904L-UA RF	-	RFQ	3419	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23	-				1801-MMBT3904L-uarf	过时的		1													40 V	200 ma	50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
BC817-40W	0.0350	RFQ	4430	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-40WTR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
BC550B B1G	-	RFQ	6676	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC550		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC547A A1G	-	RFQ	3073	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC547		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
BC337-40 B1	-	RFQ	3889	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-40B1	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
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TSM150NB04LDCR RLG	2.2400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM150	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	8a（8a ta），37a tc（TC）		15mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	18NC @ 10V		966pf @ 20V	-
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²