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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM9ND50CI	3.3700	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM9	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	9A（TC）	10V	900mohm @ 2.3a，10v	3.8V @ 250µA	24.5 NC @ 10 V	±30V	1116 PF @ 50 V	-	50W（TC）
TSM60NC196CI	4.2719	RFQ	1888年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NC196CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	20A（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	5V @ 1mA	39 NC @ 10 V	±30V	1535 PF @ 300 V	-	70W（TC）
TSM70N900CI	2.3232	RFQ	4666	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N900CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	20W（TC）
TSM300NB06LDCR	0.9850	RFQ	9547	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM300	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM300NB06LDCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		60V	5A（5A），24a （TC）		30mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	17NC @ 10V		966pf @ 30V	逻辑级别门
BC847A	0.0334	RFQ	1748年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM180P03C	0.6100	RFQ	5273	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM180P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	10A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	±20V	1730 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
BC338-16	0.0661	RFQ	7080	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC338-16TB	Ear99	8541.21.0075	4,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
TSM500N15C	1.2968	RFQ	9862	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM500	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM500N15CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	150 v	（4a ta），11a （TC）	10V	50MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	1123 PF @ 80 V	-	12.7W（TA）
TSM5055DCR	1.1755	RFQ	1419	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM5055	MOSFET （金属 o化物）	2.2W（TA），30W tc），2.4W ta（69W（ta）（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5055DCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		30V	（10a（ta），38a tc（38a tc），20a（ta（107a ta）（107a tc）		11.7MOHM @ 10a，10v，3.6MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	9.3nc @ 10v，49nc @ 10v		555pf @ 15V，2550pf @ 15V	-
TSM3446CX6	0.3003	RFQ	7348	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3446	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3446CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道	20 v	5.3A（TC）	2.5V，4.5V	33mohm @ 5.3a，4.5V	1V @ 250µA	12.5 NC @ 4.5 V	±12V	700 pf @ 10 V	-	2W（TA）
TSM500P02DCQ	0.4623	RFQ	7294	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM500	MOSFET （金属 o化物）	620MW（TC）	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM500P02DCQTR	Ear99	8541.21.0095	12,000	2个p通道		20V	4.7A（TC）		50mohm @ 3A，4.5V	0.8V @ 250µA	13nc @ 4.5V		1230pf @ 10V	标准
KTC3198-gr	0.0583	RFQ	2961	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-KTC3198-GRTB	Ear99	8541.21.0095	4,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
TSM150P03PQ33	0.6916	RFQ	2112	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM150P03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道	30 V	10a（10a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1829 PF @ 15 V	-	2.3W（27.8W）（27.8W tc）
TSM680P06CH	0.8645	RFQ	7551	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM680	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM680P06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	20W（TC）
TSM80N1R2CI	3.3572	RFQ	9129	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	25W（TC）
TSM060N03PQ33	0.6306	RFQ	5227	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM060N03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	（15a）（62a ta）（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	25.4 NC @ 10 V	±20V	1342 PF @ 15 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
TSM900N06CH	0.6584	RFQ	6981	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）
TSM80N1R2CP	2.6213	RFQ	5239	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM110NB04LCV	0.6661	RFQ	6248	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM110NB04LCVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	40 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1329 PF @ 20 V	-	1.9W（TA），42W（TC）
TSM600P03C	0.3994	RFQ	2567	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM600	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM600P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.1W（TC）
TSM80N400CF	5.4062	RFQ	6681	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N400CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	800 v	12A（TC）	10V	400MOHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	1848 PF @ 100 V	-	69W（TC）
TSM60NB150CF	5.7259	RFQ	5940	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB150CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 4.3A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	1765 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
TSM1NB60CP	0.7717	RFQ	1758年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM1NB60CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
TSM60NB099CF	7.8447	RFQ	8224	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB099CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	38A（TC）	10V	99MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	69W（TC）
TSM60NB190CI	4.4264	RFQ	7507	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB190CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）
TSM200N03DPQ33	0.6553	RFQ	5162	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM200	MOSFET （金属 o化物）	20W（TC）	8-pdfn（3x3）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM200N03DPQ33TR	Ear99	8541.29.0095	15,000	2 n通道		30V	20A（TC）		20mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	4.1nc @ 4.5V		345pf @ 25V	标准
TSM260P02CX6	0.5097	RFQ	6460	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM260	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM260P02CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	20 v	6.5A（TC）	1.8V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
TSM60NC620CI C0G	4.4000	RFQ	7012	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		1801-TSM60NC620CIC0G			4,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	506 PF @ 300 V	-	46W（TC）
TSM4425CS RLG	-	RFQ	4211	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM4425CSRLG	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	11A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 8 V	-	2.5W（TA）
TQM043NH04CR RLG	3.6200	RFQ	4045	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM043				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²