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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM2N7002KCU	0.3700	RFQ	2256	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM2N7002KCUTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	240mA（ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 240mA，10V	2.5V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 30 V	-	298MW（TA）
TSM6N50CH C5G	-	RFQ	7205	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	5.6a（ta）	10V	1.4OHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	90W（TC）
TSM060N03PQ33	0.6306	RFQ	5227	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM060N03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	（15a）（62a ta）（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	25.4 NC @ 10 V	±20V	1342 PF @ 15 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
BSS84 RFG	0.4000	RFQ	20	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	150mA（ta）	4.5V，10V	8ohm @ 150mA，10v	2V @ 250µA	1.9 NC @ 10 V	±20V	37 pf @ 30 V	-	357MW（TA）
TSM2N100CH C5G	-	RFQ	1005	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2N100	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	5.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	77W（TC）
TSM045NB06CR RLG	3.8400	RFQ	2686	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM045	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM045NB06CRRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	16A（16A），104a（tc）	10V	5mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	6870 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TSM10N60CI C0G	-	RFQ	8807	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM10N60CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	50W（TC）
TSM4ND60CI C0G	-	RFQ	5832	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4ND60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	3.8V @ 250µA	17.2 NC @ 10 V	±30V	582 PF @ 50 V	-	41.6W（TC）
TSM3N100CP ROG	-	RFQ	2852	台湾半导体公司	-	（CT）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	1000 v	2.5A（TC）	10V	6ohm @ 1.25A，10V	5.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	664 pf @ 25 V	-	99W（TC）
TSM60NB260CI	4.2905	RFQ	8831	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB260CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	260mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	32.1W（TC）
TSM150P03PQ33	0.6916	RFQ	2112	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM150P03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道	30 V	10a（10a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1829 PF @ 15 V	-	2.3W（27.8W）（27.8W tc）
MMBT3906	0.0288	RFQ	3818	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3906		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-MMBT3906TR	Ear99	8541.21.0075	9,000													40 V	200 ma	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
TSM4NB60CI C0G	1.1907	RFQ	7682	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4NB60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM80N1R2CP	2.6213	RFQ	5239	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM7NC60CF C0G	1.5053	RFQ	4283	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W（TC）
TSM950N10CW RPG	1.5600	RFQ	6	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM950	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	6.5A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	9W（TC）
TSM3N80CZ C0G	-	RFQ	7386	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM3N80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	3A（TC）	10V	4.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	696 pf @ 25 V	-	94W（TC）
TSM4459CS RLG	-	RFQ	9718	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 9A，10V	3V @ 250µA	78.4 NC @ 4.5 V	±20V	6205 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
TSM110NB04LCV	0.6661	RFQ	6248	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM110NB04LCVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	40 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1329 PF @ 20 V	-	1.9W（TA），42W（TC）
TSM260P02CX RFG	1.1500	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6.5A（TC）	1.8V，2.5V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	标准	1.56W（TC）
TSM3457CX6	0.3881	RFQ	6115	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3457	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3457CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	9.52 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	2W（TA）
TSM60N380CZ C0G	2.2400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	20.5 NC @ 10 V	±30V	1040 pf @ 100 V	-	125W（TC）
TSA874CW RPG	0.2072	RFQ	9133	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSA874		1 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 10mA，10v	50MHz
TQM250NB06DCR RLG	3.5800	RFQ	7	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM250	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA），58W（tc）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6A（6A），30a （TC）		25mohm @ 6a，10v	3.8V @ 250µA	24NC @ 10V		1398pf @ 30V	-
BC857A RFG	0.0343	RFQ	9208	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
TSM80N400CF C0G	5.3552	RFQ	4195	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	12A（TC）	10V	400MOHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	1848 PF @ 100 V	-	69W（TC）
TSM032NH04LCR RLG	3.8200	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	25a（25A），81a（tc）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	2.2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	3007 PF @ 25 V	-	115W（TC）
TSM3443CX6 RFG	0.9700	RFQ	11	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3443	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.7a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	640 pf @ 10 V	-	2W（TA）
TSM4NB60CH	0.9576	RFQ	6893	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB60CH	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BC847C RFG	0.0337	RFQ	8417	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²