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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM60NB380CF	2.5238	RFQ	7234	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	810 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
TSM1NB60CH	0.7448	RFQ	1962年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM1NB60CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
TSM7P06CP	0.4877	RFQ	9946	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM7P06CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	60 V	7A（TC）	4.5V，10V	180MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	15.6W（TC）
TSM60NB099PW C1G	15.1800	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 11.7a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	329W（TC）
TSM2NB65CH X0G	-	RFQ	5652	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	65W（TC）
TSM60NB1R4CH	1.0097	RFQ	2300	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB1R4CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	7.12 NC @ 10 V	±30V	257.3 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
TSM2N7002KCX RFG	-	RFQ	7633	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
TSM60N600CP ROG	-	RFQ	4669	台湾半导体公司	-	（CT）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
BC547B A1	-	RFQ	1117	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547BA1TB	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TQM043NH04CR RLG	3.6200	RFQ	4045	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM043				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
TSM5055DCR	1.1755	RFQ	1419	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM5055	MOSFET （金属 o化物）	2.2W（TA），30W tc），2.4W ta（69W（ta）（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5055DCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		30V	（10a（ta），38a tc（38a tc），20a（ta（107a ta）（107a tc）		11.7MOHM @ 10a，10v，3.6MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	9.3nc @ 10v，49nc @ 10v		555pf @ 15V，2550pf @ 15V	-
TSM70N900CP	1.9252	RFQ	4507	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N900CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	50W（TC）
TSM200N03DPQ33	0.6553	RFQ	5162	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM200	MOSFET （金属 o化物）	20W（TC）	8-pdfn（3x3）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM200N03DPQ33TR	Ear99	8541.29.0095	15,000	2 n通道		30V	20A（TC）		20mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	4.1nc @ 4.5V		345pf @ 25V	标准
TSM056NH04LCR RLG	3.0100	RFQ	5	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	18A（18A），54A（tc）	4.5V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	2.2V @ 250µA	30.4 NC @ 10 V	±16V	1940 pf @ 25 V	-	78.9W（TC）
KTC3198-Y	0.0583	RFQ	2280	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-KTC3198-YTB	Ear99	8541.21.0095	4,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
TSM70N750CP	2.1762	RFQ	9537	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N750CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
BC849AW	0.0361	RFQ	6118	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC849AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM120N06LCR RLG	1.5122	RFQ	4314	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	54A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	36.5 NC @ 10 V	±20V	2116 pf @ 30 V	-	69W（TC）
TSM60NB190CF C0G	7.2200	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	18A（TC）	10V	190MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1311 pf @ 100 V	-	59.5W（TC）
TSM4NB65CI	1.1907	RFQ	6270	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	25W（TC）
TSM035NB04LCZ	1.6825	RFQ	7136	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM035	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM035NB04LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	40 V	18A（18A），157A（tc）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±20V	6350 pf @ 20 V	-	2W（TA），156w（tc）
TSM60NB380CH	2.1663	RFQ	8075	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
TSM056NH04CV RGG	2.9000	RFQ	10	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM056NH04CVRGGTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	（16a）（ta），54A（tc）	7V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1828 PF @ 25 V	-	34W（TC）
BC847A	0.0334	RFQ	1748年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BC848C	0.0337	RFQ	9340	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848CTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BC338-25-B0 A1	-	RFQ	6810	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-25-B0A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM80N950CH C5G	2.7212	RFQ	1602	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	691 PF @ 100 V	-	110W（TC）
TSM60NB190CI	4.4264	RFQ	7507	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB190CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）
BC546B	0.0447	RFQ	5561	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC546BTB	Ear99	8541.21.0095	10,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM80N08CZ C0G	-	RFQ	3900	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	91.5 NC @ 10 V	±20V	3905 PF @ 30 V	-	113.6W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²