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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM110NB04LDCR	1.1455	RFQ	5240	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），48W（tc）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM110NB04LDCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		40V	10a（10A），48a tc（TC）		11mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		1269pf @ 20V	-
TSM8588CS RLG	1.6200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM8588	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（ta），5.7W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道互补		60V	2.5a（5a），5a（tc），2a ta（2a ta），4a tc（4a tc）		103mohm @ 2.5a，10v，180mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	9.4NC @ 10V，9NC @ 10V		527pf @ 30v，436pf @ 30V	-
TSM60NB600CP	1.6363	RFQ	2157	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB600CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	516 pf @ 100 V	-	63W（TC）
TSM2307CX RFG	0.1576	RFQ	5123	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2307	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	565 pf @ 30 V	-	1.25W（TA）
TSM2328CX	0.4171	RFQ	7755	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2328	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2328CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道	100 v	1.5A（TA）	10V	250MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 5 V	±20V	975 PF @ 25 V	-	1.38W（TA）
TSM190N08CZ C0G	9.6300	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	190a（TC）	10V	4.2MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 30 V	-	250W（TC）
BC807-25W RFG	0.0466	RFQ	4986	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC807		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
TSM018NA03CR RLG	1.4100	RFQ	69	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM018	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	185a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3479 pf @ 15 V	-	104W（TC）
TSM055N03PQ56 RLG	1.5100	RFQ	110	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM055	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	74W（TC）
BC337-40-B0 A1	-	RFQ	8251	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-40-B0A1TB	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM025NH04CR RLG	5.0500	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	7V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	3794 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TSM340N06CH X0G	1.8500	RFQ	15	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM340	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	66W（TC）
BC549A B1	-	RFQ	3106	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC549AB1	过时的		1													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM80N950CH C5G	2.7212	RFQ	1602	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	691 PF @ 100 V	-	110W（TC）
TS13002ACT A3G	-	RFQ	4091	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TS13002		600兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000													400 v	300 MA	1µA	NPN	1.5V @ 20mA，200mA	25 @ 100mA，10v	4MHz
TSM4NB65CI	1.1907	RFQ	6270	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	25W（TC）
BC817-16	0.0336	RFQ	8345	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-16TR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
TSM70N900CI	2.3232	RFQ	4666	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N900CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	20W（TC）
MMBT3906L-UA RFG	-	RFQ	9915	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	-				1801-MMBT3906L-UARFG	过时的		1													40 V	200 ma	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
TSM1N45DCS RL	-	RFQ	9728	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM1N	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM1N45DCSRL	过时的	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			500mA（ta）		4.25ohm @ 250mA，10V	4.9V @ 250mA				-
TSM1NB60CP	0.7717	RFQ	1758年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM1	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM1NB60CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
TSM085N03PQ33	0.5699	RFQ	2961	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM085N03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	（13A）（52A）（52a tc）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V	817 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），37W（TC）
TSM6502CR RLG	2.3700	RFQ	9	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM6502	MOSFET （金属 o化物）	40W	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	24A（TC），18A （TC）		34mohm @ 5.4a，10v，68mohm @ 4a，10v	2.5V @ 250µA	10.3nc @ 4.5V，9.5nc @ 4.5V		1159pf @ 30v，930pf @ 30V	-
TSM10NC60CF C0G	1.6128	RFQ	9015	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM10	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1652 PF @ 50 V	-	45W（TC）
TSM230N06CI C0G	-	RFQ	7078	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM230N06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	42W（TC）
TSM05N03CW RPG	1.3200	RFQ	25	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM05	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	555 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
TSM085NB03DCR RLG	2.2400	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM085	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	（12A）（ta），51a（tc）		8.5mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		1091pf @ 15V	逻辑级别门
TSM036N03PQ56 RLG	1.7400	RFQ	438	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM036	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	124A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 15 V	-	83W（TC）
TSM60NB1R4CH	1.0097	RFQ	2300	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB1R4CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	7.12 NC @ 10 V	±30V	257.3 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
TSM80N1R2CP ROG	5.4300	RFQ	7707	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²