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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC338-25-B0 A1	-	RFQ	6810	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-25-B0A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM9434CS RLG	1.6200	RFQ	5919	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9434	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	20 v	6.4A（TC）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.4a，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
TSM060NB06LCZ C0G	4.1700	RFQ	1146	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM060NB06LCZC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	（13A）（TA），111a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 13a，10v	2.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6273 PF @ 30 V	-	2W（TA），156w（tc）
TQM150NB04DCR RLG	3.1900	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM150	MOSFET （金属 o化物）	2.4W（ta），48W（tc）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	（9A）（ta），39A （TC）		15mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	18NC @ 10V		1135pf @ 20V	-
TSM150P03PQ33 RGG	1.6100	RFQ	9	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	36a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1829 PF @ 15 V	-	27.8W（TC）
TSM3N100CP ROG	-	RFQ	2852	台湾半导体公司	-	（CT）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM3	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	1000 v	2.5A（TC）	10V	6ohm @ 1.25A，10V	5.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	664 pf @ 25 V	-	99W（TC）
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TSC873CW RPG	0.9200	RFQ	15	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSC873			SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，1a	80 @ 250mA，10V	-
TSM4ND60CI C0G	-	RFQ	5832	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4ND60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	3.8V @ 250µA	17.2 NC @ 10 V	±30V	582 PF @ 50 V	-	41.6W（TC）
BC858B RFG	0.0343	RFQ	7245	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM4NB60CI C0G	1.1907	RFQ	7682	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4NB60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM9435CS	0.4873	RFQ	2663	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9435	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM9435CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	9.52 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
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TSM085P03CV RGG	2.0100	RFQ	82	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3234 pf @ 15 V	-	50W（TC）
BC338-40 B1G	-	RFQ	8302	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM1N45DCS RL	-	RFQ	9728	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM1N	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM1N45DCSRL	过时的	0000.00.0000	1	2 n 通道（双）			500mA（ta）		4.25ohm @ 250mA，10V	4.9V @ 250mA				-
TSM110NB04LDCR	1.1455	RFQ	5240	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），48W（tc）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM110NB04LDCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		40V	10a（10A），48a tc（TC）		11mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		1269pf @ 20V	-
TSM60NB099PW C1G	15.1800	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 11.7a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	329W（TC）
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TSM300NB06CR RLG	1.5000	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM300	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	6A（6A），27a （TC）	10V	30mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1110 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
KTC3198-Y-B0 B1G	-	RFQ	9128	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-B0B1G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
BC549B B1G	-	RFQ	7186	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC549		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
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TSM4NB65CI	1.1907	RFQ	6270	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	25W（TC）
TSM220NB06CR RLG	1.6800	RFQ	12	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM220	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	8a（8a ta），35A （TC）	10V	22mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1454 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
BSS123W RFG	0.4300	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	160mA（TA）	4.5V，10V	5ohm @ 160mA，10v	2.5V @ 250µA	2 NC @ 10 V	±20V	30 pf @ 50 V	-	298MW（TA）
TSM2N100CH C5G	-	RFQ	1005	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2N100	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	5.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	77W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²