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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM60NB099CF C0G	12.8700	RFQ	905	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	38A（TC）	10V	99MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	69W（TC）
TSM500N15C	1.2968	RFQ	9862	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM500	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM500N15CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	150 v	（4a ta），11a （TC）	10V	50MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	1123 PF @ 80 V	-	12.7W（TA）
BC546B	0.0447	RFQ	5561	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC546BTB	Ear99	8541.21.0095	10,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM60NB380CH C5G	2.1663	RFQ	3692	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
TSM500P02DCQ RFG	1.1900	RFQ	83	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM500	MOSFET （金属 o化物）	620MW	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.7A（TC）		50mohm @ 3A，4.5V	800MV @ 250µA	9.6nc @ 4.5V		1230pf @ 10V	-
MMBT3906 RFG	0.2100	RFQ	110	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3906		350兆	SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 ma	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
TSC5802DCP ROG	-	RFQ	1747年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5802		30 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													450 v	2.5 a	250µA	NPN	3V @ 600mA，2a	50 @ 100mA，5v	-
BSS123W RFG	0.4300	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	100 v	160mA（TA）	4.5V，10V	5ohm @ 160mA，10v	2.5V @ 250µA	2 NC @ 10 V	±20V	30 pf @ 50 V	-	298MW（TA）
BC338-40-B0 A1	-	RFQ	4614	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-40-B0A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
KTC3198-Y-B0 B1G	-	RFQ	9128	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-B0B1G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
BC857C RFG	0.0343	RFQ	4570	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
KTC3198-BL A1G	-	RFQ	7523	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
TSM60N1R4CH C5G	0.4419	RFQ	5995	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	3.3A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 100 V	-	38W（TC）
BC338-16	0.0661	RFQ	7080	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC338-16TB	Ear99	8541.21.0075	4,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
ktc3198-gr a1g	-	RFQ	9205	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
BC850CW RFG	0.0368	RFQ	3245	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC850		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM160P02CS RLG	1.7200	RFQ	3	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM160	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	20 v	11A（TC）	1.8V，4.5V	16mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±10V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TC）
MMBT2222A RFG	0.2400	RFQ	8	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
TSM088NA03CR RLG	-	RFQ	1070	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM088	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	61A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 13a，10v	2.5V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 15 V	-	56W（TC）
TSM60NC165CI C0G	9.1600	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM60NC165CIC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	5V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±30V	1857 PF @ 300 V	-	89W（TC）
BC849AW	0.0361	RFQ	6118	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC849AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSD21501Y RMG	-	RFQ	6148	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			600兆	SOT-89	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSD2150ACYRMGTR	Ear99	8541.21.0095	1,000													50 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	200 @ 500mA，2V	90MHz
BC848CW	0.0357	RFQ	8489	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848CWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TQM032NH04CR RLG	4.0300	RFQ	1619年	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	23A（23A），81A （TC）	7V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	3.6V @ 250µA	67.5 NC @ 10 V	±20V	4344 PF @ 25 V	-	115W（TC）
TSM056NH04LCR RLG	3.0100	RFQ	5	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	18A（18A），54A（tc）	4.5V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	2.2V @ 250µA	30.4 NC @ 10 V	±16V	1940 pf @ 25 V	-	78.9W（TC）
TSM300NB06LDCR RLG	2.2400	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM300	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	5A（5A），24a （TC）		30mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	17NC @ 10V		966pf @ 30V	逻辑级别门
TSC5304EDCP ROG	-	RFQ	5632	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5304		35 w	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	4 a	250µA	NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	17 @ 1A，5V	-
TSC873CW RPG	0.9200	RFQ	15	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSC873			SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，1a	80 @ 250mA，10V	-
BC848B	0.0334	RFQ	3664	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BC846B RFG	0.2200	RFQ	33	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²