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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM6963SDCA RVG	1.9300	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6963	MOSFET （金属 o化物）	1.14W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5A（TC）		30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1500pf @ 10V	-
TSM60NB600CF	1.9333	RFQ	6500	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB600CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	528 pf @ 100 V	-	41.7W（TC）
TSM70N900CI	2.3232	RFQ	4666	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N900CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	20W（TC）
TSM05N03CW RPG	1.3200	RFQ	25	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM05	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	555 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
BC337-40-B0 A1	-	RFQ	8251	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-40-B0A1TB	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM85N10CZ C0G	-	RFQ	7131	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	81A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	154 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 30 V	-	210W（TC）
TSM8N80CI C0G	2.6700	RFQ	995	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM8N80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1921 PF @ 25 V	-	40.3W（TC）
TSM60NB1R4CH C5G	2.3500	RFQ	7155	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	7.12 NC @ 10 V	±30V	257.3 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
TSM060NB06LCZ C0G	4.1700	RFQ	1146	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM060NB06LCZC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	（13A）（TA），111a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 13a，10v	2.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6273 PF @ 30 V	-	2W（TA），156w（tc）
TSM6866SDCA RVG	0.7448	RFQ	4416	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6866	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		30mohm @ 6a，4.5V	600mv @ 250µA	5NC @ 4.5V		565pf @ 8V	-
TSM085P03CS RLG	2.0300	RFQ	17	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	34A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3216 pf @ 15 V	-	14W（TC）
TSC873CW RPG	0.9200	RFQ	15	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSC873			SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，1a	80 @ 250mA，10V	-
TSM061NA03CV RGG	-	RFQ	7974	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM061	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	66A（TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	19.3 NC @ 10 V	±20V	1136 PF @ 15 V	-	44.6W（TC）
TSM300NB06LCV RGG	1.5100	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM300	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	5A（5A），24a （TC）	4.5V，10V	30mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	962 PF @ 30 V	-	1.9W（TA），39W（tc）
BC550C A1	-	RFQ	9975	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC550CA1TB	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM025NH04LCR RLG	5.0500	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM025NH04LCRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	63.3 NC @ 10 V	±16V	4179 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TSM300NB06DCR RLG	2.2400	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM300	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6a（6a），25a tc（25a））		30mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17NC @ 10V		1079pf @ 30V	-
TSM055N03PQ56 RLG	1.5100	RFQ	110	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM055	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	74W（TC）
BC548A A1	-	RFQ	3861	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC548AA1TB	过时的		1													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM052N06PQ56 RLG	-	RFQ	6174	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	100A（TC）	10V	5.2MOHM @ 20A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	3686 pf @ 30 V	-	83W（TC）
BC337-25 B1	-	RFQ	9978	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-25B1	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
BC817-40W	0.0350	RFQ	4430	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-40WTR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
BC338-40-B0 A1	-	RFQ	4614	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-40-B0A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSC5802DCP ROG	-	RFQ	1747年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5802		30 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													450 v	2.5 a	250µA	NPN	3V @ 600mA，2a	50 @ 100mA，5v	-
TSM3481CX6	0.4844	RFQ	3551	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3481	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3481CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	30 V	5.7A（ta）	4.5V，10V	48mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	18.09 NC @ 10 V	±20V	1047.98 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
TSM085NB03DCR RLG	2.2400	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM085	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	（12A）（ta），51a（tc）		8.5mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		1091pf @ 15V	逻辑级别门
TSM2N100CH C5G	-	RFQ	1005	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2N100	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	1000 v	1.85A（TC）	10V	8.5ohm @ 900mA，10v	5.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	77W（TC）
TSM500P02DCQ	0.4623	RFQ	7294	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM500	MOSFET （金属 o化物）	620MW（TC）	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM500P02DCQTR	Ear99	8541.21.0095	12,000	2个p通道		20V	4.7A（TC）		50mohm @ 3A，4.5V	0.8V @ 250µA	13nc @ 4.5V		1230pf @ 10V	标准
TSM340N06CH X0G	1.8500	RFQ	15	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM340	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM019NH04LCR RLG	6.3000	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	35A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±16V	6282 PF @ 25 V	-	150W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²