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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC337-40 B1	-	RFQ	3889	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-40B1	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM1NB60CP ROG	1.7300	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM1NB60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
TSC5304EDCP ROG	-	RFQ	5632	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5304		35 w	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	4 a	250µA	NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	17 @ 1A，5V	-
TSM10NC65CF C0G	3.3400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM10	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	10A（TC）	10V	900MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1650 PF @ 50 V	-	45W（TC）
TSM110NB04CR RLG	1.6800	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	12a（12a），54a（tc）	10V	11mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1443 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
TSM70N380CP ROG	6.6600	RFQ	14	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	700 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	18.8 NC @ 10 V	±30V	981 PF @ 100 V	-	125W（TC）
TSM4NB60CH	0.9576	RFQ	6893	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB60CH	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM4459CS RLG	-	RFQ	9718	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 9A，10V	3V @ 250µA	78.4 NC @ 4.5 V	±20V	6205 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
TSM190N08CZ C0G	9.6300	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	190a（TC）	10V	4.2MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 30 V	-	250W（TC）
TSM4NB60CI C0G	1.1907	RFQ	7682	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4NB60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TQM056NH04CR RLG	2.9900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM056	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	17a（17a），54A（tc）	7V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2912 PF @ 25 V	-	78.9W（TC）
TSM60NB099PW	9.1589	RFQ	3826	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB099PW	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道	600 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 11.7a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	329W（TC）
TSM9435CS	0.4873	RFQ	2663	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9435	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM9435CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	9.52 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
TSM048NB06LCR RLG	3.8200	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM048	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM048NB06LCRRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	16A（16A），107A （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	6253 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
BSS84 RFG	0.4000	RFQ	20	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	150mA（ta）	4.5V，10V	8ohm @ 150mA，10v	2V @ 250µA	1.9 NC @ 10 V	±20V	37 pf @ 30 V	-	357MW（TA）
TSM60NC165CI C0G	9.1600	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM60NC165CIC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	5V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±30V	1857 PF @ 300 V	-	89W（TC）
TSM085NB03DCR	0.9944	RFQ	8310	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM085	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM085NB03DCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		30V	（12A）（ta），51a（tc）		8.5mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		1091pf @ 15V	逻辑级别门
TSM6N50CH C5G	-	RFQ	7205	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	5.6a（ta）	10V	1.4OHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	90W（TC）
TSM035NB04CZ	4.1700	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM035	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	18A（18A），157A（tc）		3.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	6990 pf @ 20 V	-	2W（TA），156w（tc）
TSM1N45CT B0G	-	RFQ	5598	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	4.25V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2W（TC）
KTC3198-BL-M0 A2G	-	RFQ	7823	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-BL-M0A2GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	3000 @ 150mA，6v	80MHz
TSM180P03C	0.6100	RFQ	5273	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM180P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	10A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	±20V	1730 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
TSM8N70CI C0G	-	RFQ	3987	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	8A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	2006 PF @ 25 V	-	40W（TC）
BC337-16-B0 A1	-	RFQ	6563	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-16-B0A1TB	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
MMBT3906L-UA RFG	-	RFQ	9915	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23	-				1801-MMBT3906L-UARFG	过时的		1													40 V	200 ma	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
TSA874CW	0.2013	RFQ	6190	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSA874		1 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSA874CWTR	Ear99	8541.29.0075	5,000													500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 1mA，10v	50MHz
TSM089N08LCR	2.1142	RFQ	5536	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM089	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM089N08LCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	80 V	12a（12A），67a（tc）	4.5V，10V	8.9mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	6119 PF @ 40 V	-	2.6W（TA），83W（tc）
TSM150P03PQ33	0.6916	RFQ	2112	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM150P03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		P通道	30 V	10a（10a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1829 PF @ 15 V	-	2.3W（27.8W）（27.8W tc）
TSM043NB04LCZ	1.7791	RFQ	7779	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM043	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM043NB04LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	40 V	16a（16A），124A （TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4387 PF @ 20 V	-	2W（TA），125W（125W）（TC）
TSM480P06CH	0.9337	RFQ	8510	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM480	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM480P06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²