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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC817-25W	0.0350	RFQ	2047	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-25WTR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
TSC5802DCP ROG	-	RFQ	1747年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5802		30 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													450 v	2.5 a	250µA	NPN	3V @ 600mA，2a	50 @ 100mA，5v	-
TSM085NB03DCR RLG	2.2400	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM085	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	（12A）（ta），51a（tc）		8.5mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		1091pf @ 15V	逻辑级别门
TSM2307CX RFG	0.1576	RFQ	5123	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2307	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	565 pf @ 30 V	-	1.25W（TA）
TSM8N50CH C5G	-	RFQ	1461	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	7.2A（TC）	10V	850MOHM @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	26.6 NC @ 10 V	±30V	1595 pf @ 25 V	-	89W（TC）
BC817-16	0.0336	RFQ	8345	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-16TR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BC847C RFG	0.0337	RFQ	8417	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM60NC196CI C0G	7.8200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM60NC196CIC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	20A（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	5V @ 1mA	39 NC @ 10 V	±30V	1535 PF @ 300 V	-	70W（TC）
TSM80N1R2CP	2.6213	RFQ	5239	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM2537CQ	0.5543	RFQ	8608	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM2537	MOSFET （金属 o化物）	6.25W	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2537CQTR	Ear99	8541.29.0095	12,000	n和p通道		20V	11.6A（TC），9a （TC）		30mohm @ 6.4a，4.5V，55mohm @ 5a，4.5V	1V @ 250µA	9.1NC @ 4.5V，9.8NC @ 4.5V		677pf @ 10V，744pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
TSM950N10CW RPG	1.5600	RFQ	6	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM950	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	6.5A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	9W（TC）
TSD21501Y RMG	-	RFQ	6148	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			600兆	SOT-89	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSD2150ACYRMGTR	Ear99	8541.21.0095	1,000													50 V	3 a	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 200mA，2a	200 @ 500mA，2V	90MHz
BC550A B1G	-	RFQ	6891	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC550		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM2328CX	0.4171	RFQ	7755	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2328	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2328CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道	100 v	1.5A（TA）	10V	250MOHM @ 1.5A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 5 V	±20V	975 PF @ 25 V	-	1.38W（TA）
BC547A B1G	-	RFQ	5655	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC547		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
BC847A	0.0334	RFQ	1748年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM056NH04CV RGG	2.9000	RFQ	10	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM056NH04CVRGGTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	（16a）（ta），54A（tc）	7V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1828 PF @ 25 V	-	34W（TC）
BC338-25-B0 A1	-	RFQ	6810	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-25-B0A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM80N950CH C5G	2.7212	RFQ	1602	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	691 PF @ 100 V	-	110W（TC）
BC546B	0.0447	RFQ	5561	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC546BTB	Ear99	8541.21.0095	10,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5V	-
TSM60NB190CI	4.4264	RFQ	7507	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB190CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）
TSM80N08CZ C0G	-	RFQ	3900	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	91.5 NC @ 10 V	±20V	3905 PF @ 30 V	-	113.6W（TC）
TSM80N1R2CI	3.3572	RFQ	9129	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	25W（TC）
TSM7NC60CF C0G	1.5053	RFQ	4283	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W（TC）
BC848C	0.0337	RFQ	9340	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848CTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM110NB04LCR RLG	1.6800	RFQ	26	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	12a（12a），54a（tc）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1269 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
TSM60NC620CP ROG	3.6900	RFQ	4175	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	3（168））					5,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	498 PF @ 300 V	-	78W（TC）
BC338-40-B0 B1G	-	RFQ	6068	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-40-B0B1G	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM048NB06LCR RLG	3.8200	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM048	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM048NB06LCRRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	16A（16A），107A （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	6253 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TSM9435CS	0.4873	RFQ	2663	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9435	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM9435CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	9.52 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²