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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM70N10CP ROG	-	RFQ	4883	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	70A（TC）	10V	13mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 30 V	-	120W（TC）
TSM2N7002KCX RFG	-	RFQ	7633	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
BC338-25 A1	-	RFQ	2708	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-25A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，5V	100MHz
TSM60N1R4CH C5G	0.4419	RFQ	5995	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	3.3A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 100 V	-	38W（TC）
TSM7P06CP ROG	1.2100	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	7A（TC）	4.5V，10V	180MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	15.6W（TC）
TSM80N1R2CP ROG	5.4300	RFQ	7707	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM4N80CZ C0G	-	RFQ	3483	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM4N80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	955 pf @ 25 V	-	38.7W（TC）
KTC3198-Y-B0 B1G	-	RFQ	9128	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-B0B1G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
TSM088NA03CR RLG	-	RFQ	1070	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM088	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	61A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 13a，10v	2.5V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 15 V	-	56W（TC）
TSM070NB04CR RLG	2.0200	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM070	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（15a）（ta），75a tc（TC）	10V	7mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2403 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
TSM4459CS RLG	-	RFQ	9718	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	17A（TA）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 9A，10V	3V @ 250µA	78.4 NC @ 4.5 V	±20V	6205 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
TSM061NA03CV RGG	-	RFQ	7974	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM061	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	66A（TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	19.3 NC @ 10 V	±20V	1136 PF @ 15 V	-	44.6W（TC）
TSM6963SDCA RVG	1.9300	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6963	MOSFET （金属 o化物）	1.14W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5A（TC）		30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1500pf @ 10V	-
TSC873CT B0G	-	RFQ	5899	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSC873CTB0G	Ear99	8541.29.0095	2,000													400 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，1a	80 @ 250mA，10V	-
TSM240N03CX6 RFG	0.8800	RFQ	11	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM240	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	1.56W（TC）
TSM3N90CZ C0G	-	RFQ	8691	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM3N90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	2.5A（TC）	10V	5.1OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	748 pf @ 25 V	-	94W（TC）
TSM8588CS RLG	1.6200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM8588	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（ta），5.7W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道互补		60V	2.5a（5a），5a（tc），2a ta（2a ta），4a tc（4a tc）		103mohm @ 2.5a，10v，180mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	9.4NC @ 10V，9NC @ 10V		527pf @ 30v，436pf @ 30V	-
TSM045NB06CR RLG	3.8400	RFQ	2686	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM045	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM045NB06CRRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	16A（16A），104a（tc）	10V	5mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	6870 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TSM2323CX RFG	0.5200	RFQ	14	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2323	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.7a（ta）	1.8V，4.5V	39MOHM @ 4.7A，4.5V	1V @ 250µA	12.5 NC @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
TSM260P02CX RFG	1.1500	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装			MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	6.5A（TC）	1.8V，2.5V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	标准	1.56W（TC）
BC817-25W	0.0350	RFQ	2047	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-25WTR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
TSM250NB06DCR RLG	2.6000	RFQ	17	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM250	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），48W（tc）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	（7a ta），30a （TC）		25mohm @ 7a，10v	4V @ 250µA	22nc @ 10V		1461pf @ 30V	-
TSM2N7002KCU	0.3700	RFQ	2256	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM2N7002KCUTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	240mA（ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 240mA，10V	2.5V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 30 V	-	298MW（TA）
BC546A B1	-	RFQ	2238	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546AB1	过时的		1													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM056NH04CV RGG	2.9000	RFQ	10	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM056NH04CVRGGTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	（16a）（ta），54A（tc）	7V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1828 PF @ 25 V	-	34W（TC）
TSM300NB06LDCR RLG	2.2400	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM300	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	5A（5A），24a （TC）		30mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	17NC @ 10V		966pf @ 30V	逻辑级别门
TSM025NH04LCR RLG	5.0500	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM025NH04LCRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	63.3 NC @ 10 V	±16V	4179 PF @ 25 V	-	136W（TC）
BC548A A1	-	RFQ	3861	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC548AA1TB	过时的		1													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
KTC3198-GR-M0 A2G	-	RFQ	1916年	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Gr-M0A2GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 150mA，6v	80MHz
TSM05N03CW RPG	1.3200	RFQ	25	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM05	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	555 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²