RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC850AW	0.0357	RFQ	4498	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC850		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC850AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM8568CS RLG	2.5000	RFQ	22	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM8568	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		30V	15A（TC），13A （TC）		16mohm @ 8a，10v，24mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	7NC @ 4.5V，11NC @ 4.5V		646pf @ 15V，1089pf @ 15V	-
BC337-25 B1	-	RFQ	9978	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-25B1	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM126CX RFG	0.2730	RFQ	6058	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM126	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	600 v	30mA tc）	0V，10V	800ohm @ 16mA，10v	1V @ 8µA	1.18 NC @ 4.5 V	±20V	51.42 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）
TSM061NA03CR RLG	-	RFQ	7201	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM061	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	88A（TC）	4.5V，10V	6.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1133 PF @ 15 V	-	78W（TC）
TSM60NC196CM2 RNG	9.1600	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	600 v	28a（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	5V @ 1mA	39 NC @ 10 V	±20V	1566 PF @ 300 V	-	152W（TC）
TSM085P03CV RGG	2.0100	RFQ	82	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	64A（TC）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3234 pf @ 15 V	-	50W（TC）
KTC3198-Y-B0 A1G	-	RFQ	5430	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-B0A1GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
BC847A RFG	0.0343	RFQ	6411	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM6866SDCA RVG	0.7448	RFQ	4416	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6866	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		30mohm @ 6a，4.5V	600mv @ 250µA	5NC @ 4.5V		565pf @ 8V	-
TSM110NB04LCR RLG	1.6800	RFQ	26	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	12a（12a），54a（tc）	4.5V，10V	11mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1269 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
TSM080N03PQ56	0.5916	RFQ	3960	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM080	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM080N03PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（14A）（ta），73A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	14.4 NC @ 10 V	±20V	843 pf @ 15 V	-	2.6W（TA），69w（tc）
BC817-40W RFG	0.0360	RFQ	7191	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
TQM019NH04CR-V RLG	3.3893	RFQ	2041	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（30a）（100a ta）（TC）	7V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±20V	9044 PF @ 25 V	-	150W（TC）
TSM900N06CH	0.6584	RFQ	6981	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）
TSM3481CX6	0.4844	RFQ	3551	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3481	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3481CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	30 V	5.7A（ta）	4.5V，10V	48mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	18.09 NC @ 10 V	±20V	1047.98 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
BC848C	0.0337	RFQ	9340	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848CTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM070NB04CR RLG	2.0200	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM070	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（15a）（ta），75a tc（TC）	10V	7mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2403 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
TSM4NB60CI	1.1907	RFQ	6597	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB60CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	25W（TC）
TSM70N600ACL X0G	3.1215	RFQ	5045	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3短领先，i²pak	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-262S（i2pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
BC547C B1G	-	RFQ	6052	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC547		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
BC807-40	0.0435	RFQ	1172	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC807-40TR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
BC547C A1	-	RFQ	5767	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547CA1TB	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
MMBT3904T RSG	0.2400	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	MMBT3904		150兆	SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 ma	50NA（iCBO）	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC338-16-B0 B1G	-	RFQ	2392	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-16-B0B1G	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM10NC65CF C0G	3.3400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM10	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	10A（TC）	10V	900MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1650 PF @ 50 V	-	45W（TC）
TSM85N10CZ C0G	-	RFQ	7131	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM85	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	81A（TC）	10V	10mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	154 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 30 V	-	210W（TC）
TSM6963SDCA RVG	1.9300	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6963	MOSFET （金属 o化物）	1.14W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	4.5A（TC）		30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1500pf @ 10V	-
TSM1N45CT B0G	-	RFQ	5598	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	4.25V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2W（TC）
TSM600P03C	0.3994	RFQ	2567	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM600	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM600P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.1W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²