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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM80N1R2CH C5G	2.5940	RFQ	7637	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM9434CS	0.6218	RFQ	7118	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9434	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM9434CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	20 v	6.4A（TC）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.4a，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
TSM60N06CP ROG	-	RFQ	4719	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	66A（TC）	10V	7.3mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4382 PF @ 30 V	-	44.6W（TC）
TSM036N03PQ56 RLG	1.7400	RFQ	438	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM036	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	124A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 15 V	-	83W（TC）
TSM025NH04CR RLG	5.0500	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	7V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	3794 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TQM250NB06DCR RLG	3.5800	RFQ	7	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM250	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA），58W（tc）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6A（6A），30a （TC）		25mohm @ 6a，10v	3.8V @ 250µA	24NC @ 10V		1398pf @ 30V	-
TSM8N50CH C5G	-	RFQ	1461	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	7.2A（TC）	10V	850MOHM @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	26.6 NC @ 10 V	±30V	1595 pf @ 25 V	-	89W（TC）
TSM4425CS RLG	-	RFQ	4211	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM4425CSRLG	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	11A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 8 V	-	2.5W（TA）
TQM043NH04CR RLG	3.6200	RFQ	4045	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM043				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
TSM60NC165CI	5.0046	RFQ	7786	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NC165CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	24A（TC）	10V	165mohm @ 11.3a，10v	5V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±30V	1857 PF @ 300 V	-	89W（TC）
TSM126CX RFG	0.2730	RFQ	6058	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM126	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	600 v	30mA tc）	0V，10V	800ohm @ 16mA，10v	1V @ 8µA	1.18 NC @ 4.5 V	±20V	51.42 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）
TSM080N03PQ56	0.5916	RFQ	3960	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM080	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM080N03PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（14A）（ta），73A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	14.4 NC @ 10 V	±20V	843 pf @ 15 V	-	2.6W（TA），69w（tc）
BC807-40	0.0435	RFQ	1172	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC807-40TR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
BC547C A1	-	RFQ	5767	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547CA1TB	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM052NB03CR RLG	0.8200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM052	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	17a（17A），90A （TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 17A，10V	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2294 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
TSM035NB04LCZ	1.6825	RFQ	7136	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM035	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM035NB04LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	40 V	18A（18A），157A（tc）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 250µA	111 NC @ 10 V	±20V	6350 pf @ 20 V	-	2W（TA），156w（tc）
KTC3198-Y-M0 A2G	-	RFQ	5263	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-M0A2GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
TQM032NH04CR RLG	4.0300	RFQ	1619年	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	23A（23A），81A （TC）	7V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	3.6V @ 250µA	67.5 NC @ 10 V	±20V	4344 PF @ 25 V	-	115W（TC）
TSM22P10CZ C0G	-	RFQ	8487	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM22P10CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	100 v	22a（TC）	4.5V，10V	140mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±25V	2250 pf @ 30 V	-	125W（TC）
TSM340N06CH X0G	1.8500	RFQ	15	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM340	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM70N600ACL X0G	3.1215	RFQ	5045	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3短领先，i²pak	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-262S（i2pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM160N10CZ C0G	2.6900	RFQ	29	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM160	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	100 v	160a（TC）	10V	5.5MOHM @ 30a，10V	4V @ 250µA	154 NC @ 10 V	±20V	9840 pf @ 30 V	-	300W（TC）
TSM70N380CH	3.2649	RFQ	2406	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N380CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	700 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	18.8 NC @ 10 V	±30V	981 PF @ 100 V	-	125W（TC）
TSM60NC390CI C0G	6.8200	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11A（TC）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 1mA	21.3 NC @ 10 V	±20V	832 PF @ 25 V	-	78W（TC）
TSM60NC620CP ROG	3.6900	RFQ	4175	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	3（168））					5,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	498 PF @ 300 V	-	78W（TC）
TSM4NB60CH	0.9576	RFQ	6893	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB60CH	Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM60NB380CH C5G	2.1663	RFQ	3692	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
TSM6866SDCA RVG	0.7448	RFQ	4416	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6866	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		30mohm @ 6a，4.5V	600mv @ 250µA	5NC @ 4.5V		565pf @ 8V	-
TSM60N600CI C0G	0.9062	RFQ	4036	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM120N06LCR RLG	1.5122	RFQ	4314	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	54A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	36.5 NC @ 10 V	±20V	2116 pf @ 30 V	-	69W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²