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晶体管（（888）

参考图片	产品编号	（（（）	数量	ECAD	可用数量	（kg）	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
	TSM2314CX RFG	0.5307	RFQ		39	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2314	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	4.9A（TC）	1.8V，4.5V	33mohm @ 4.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	900 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
	TSM7NC65CF C0G	1.5053	RFQ		4379	0.00000000	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W（TC）
	TSM085P03C	0.8944	RFQ		9117	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM085P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	34A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3216 pf @ 15 V	-	14W（TC）
	BC338-16 A1	-	RFQ		6366	0.00000000	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-16A1TB	过时的		1												25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
	BC817-25 RFG	0.0346	RFQ		8588	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
	TSM2308CX RFG	0.8900	RFQ		11	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2308	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	3A（3A）	4.5V，10V	156mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±20V	511 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
	BC549B A1G	-	RFQ		1262	0.00000000	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
	BC817-16 RFG	0.0346	RFQ		4048	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
	BC548B B1G	-	RFQ		8060	0.00000000	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
	KTC3198-y A1G	-	RFQ		7037	0.00000000	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
	TSM680P06CP ROG	1.6100	RFQ		27	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM680	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	20W（TC）
	BC846A	0.0334	RFQ		7106	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000												65 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
	TSM060NB06CZ C0G	4.1700	RFQ		5072	0.00000000	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM060NB06CZC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	60 V	（13A）（TA），111a （TC）	7V，10V	6mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	6842 PF @ 30 V	-	2W（TA），156w（tc）
	TSM060N03ECP	0.7524	RFQ		6182	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM060N03ECPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 25 V	-	54W（TC）
	TQM076NH04DCR RLG	4.0900	RFQ		8230	0.00000000	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM076				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
	TSM150NB04CR RLG	1.4800	RFQ		5	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	10V	15mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1092 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
	TQM130NB06CR RLG	2.9100	RFQ		3	0.00000000	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM130	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	10A（10A），50A （TC）	7V，10V	13mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2234 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
	TQM025NB04CR RLG	6.0900	RFQ		5	0.00000000	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM025	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	24A（24A），157a （TC）	7V，10V	2.5MOHM @ 24A，10V	3.8V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±20V	6670 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），136W（tc）

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