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晶体管（（888）

参考图片	产品编号	（（（）	数量	ECAD	可用数量	（kg）	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
	TSM13N50ACZ C0G	-	RFQ		9596	0.00000000	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	13A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1965 pf @ 25 V	-	52W（TC）
	TSM060NB06CZ C0G	4.1700	RFQ		5072	0.00000000	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM060NB06CZC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	（13A）（TA），111a （TC）	7V，10V	6mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	6842 PF @ 30 V	-	2W（TA），156w（tc）
	TQM130NB06CR RLG	2.9100	RFQ		3	0.00000000	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM130	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	10A（10A），50A （TC）	7V，10V	13mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2234 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
	TSM033NA04LCR RLG	1.6100	RFQ		495	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM033	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	141a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 20 V	-	125W（TC）
	BC546A A1	-	RFQ		7405	0.00000000	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546AA1TB	过时的		1													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
	TSM2N60ECP ROG	-	RFQ		8884	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±30V	362 PF @ 25 V	-	52.1W（TC）
	TSM3446CX6 RFG	0.8700	RFQ		34	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3446	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.3A（TC）	2.5V，4.5V	33mohm @ 5.3a，4.5V	1V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 V	±12V	700 pf @ 10 V	-	2W（TA）
	TSM680P06CZ C0G	-	RFQ		4105	0.00000000	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM680P06CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	42W（TC）
	TSM240N03CX RFG	0.9000	RFQ		76	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM240	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	1.56W（TC）
	TSM250N02DCQ RFG	1.0100	RFQ		4	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM250	MOSFET （金属 o化物）	620MW（TC）	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	5.8A（TC）		25mohm @ 4A，4.5V	800MV @ 250µA	11NC @ 4.5V		775pf @ 10V	标准
	TSM5055DCR RLG	2.6700	RFQ		5	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM5055	MOSFET （金属 o化物）	2.2W（TA），30W tc），2.4W ta（69W（ta）（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	（10a（ta），38a tc（38a tc），20a（ta（107a ta）（107a tc）		11.7MOHM @ 10a，10v，3.6MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	9.3nc @ 10v，49nc @ 10v		555pf @ 15V，2550pf @ 15V	-
	BC847B	0.0334	RFQ		1440	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
	TSM60NB380CF C0G	2.5238	RFQ		8140	0.00000000	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	810 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
	TSM033NB04CR RLG	2.9400	RFQ		3	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM033	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	21a（21A），121A（tc）	10V	3.3mohm @ 21a，10v	4V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	5022 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），107W（tc）
	KTC3198-GR-B0 B1G	-	RFQ		8960	0.00000000	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-GR-B0B1G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	200 @ 150mA，6v	80MHz
	BC337-40-B0 A1G	-	RFQ		2104	0.00000000	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC337-40-B0A1GTB	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
	BC338-25 A1G	-	RFQ		7385	0.00000000	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，5V	100MHz
	TSM4N60ECP ROG	1.1500	RFQ		7	0.00000000	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	545 pf @ 25 V	-	86.2W（TC）

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