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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC548A B1G	-	RFQ	2431	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM250N02CX RFG	0.8000	RFQ	409	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM250	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.8A（TC）	1.8V，4.5V	25mohm @ 4A，4.5V	800MV @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 V	±10V	535 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
BC817-40W RFG	0.0360	RFQ	7191	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
TSM70N900CH C5G	1.9051	RFQ	4344	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	50W（TC）
TQM019NH04CR-V RLG	3.3893	RFQ	2041	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（30a）（100a ta）（TC）	7V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±20V	9044 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BC549C A1G	-	RFQ	6045	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM230N06CI C0G	-	RFQ	7078	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM230N06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	42W（TC）
BC848CW RFG	0.0368	RFQ	6348	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM60N1R4CH C5G	0.4419	RFQ	5995	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	3.3A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 100 V	-	38W（TC）
BC858B RFG	0.0343	RFQ	7245	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM036N03PQ56 RLG	1.7400	RFQ	438	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM036	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	124A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 15 V	-	83W（TC）
BC807-16 RFG	0.0342	RFQ	3766	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
TSM150NB04LCR RLG	1.4100	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	966 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
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TSM60NB260CI	4.2905	RFQ	8831	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB260CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	13A（TC）	10V	260mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	32.1W（TC）
BC848B RFG	0.0343	RFQ	4883	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM4ND60CI C0G	-	RFQ	5832	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4ND60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	3.8V @ 250µA	17.2 NC @ 10 V	±30V	582 PF @ 50 V	-	41.6W（TC）
TSM2311CX-01 RFG	-	RFQ	5218	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	TSM2311CX-01RFG	Ear99	8541.21.0095	1		P通道	20 v	4A（ta）	2.5V，4.5V	55MOHM @ 4A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±8V	640 pf @ 6 V	-	900MW（TA）
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BC338-40 A1G	-	RFQ	7817	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA		100MHz
BC848C RFG	0.0343	RFQ	2199	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
KTC3198-Y-B0 A1G	-	RFQ	5430	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-B0A1GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
TSM085P03CS RLG	2.0300	RFQ	17	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	34A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3216 pf @ 15 V	-	14W（TC）
TSM6866SDCA RVG	0.7448	RFQ	4416	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6866	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		30mohm @ 6a，4.5V	600mv @ 250µA	5NC @ 4.5V		565pf @ 8V	-
TSM60N06CP ROG	-	RFQ	4719	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	66A（TC）	10V	7.3mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4382 PF @ 30 V	-	44.6W（TC）
TSC873CW RPG	0.9200	RFQ	15	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSC873			SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，1a	80 @ 250mA，10V	-
TSM060NB06LCZ C0G	4.1700	RFQ	1146	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM060NB06LCZC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	（13A）（TA），111a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 13a，10v	2.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6273 PF @ 30 V	-	2W（TA），156w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²