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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TSM210N02CX RFG | 0.7900 | ![]() | 135 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TSM210 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6.7A(TC) | 1.8V,4.5V | 25mohm @ 4A,4.5V | 800MV @ 250µA | 4 NC @ 4.5 V | ±10V | 600 pf @ 10 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM05N03CW | 0.5075 | ![]() | 2585 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | TSM05 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM05N03CWTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 5A(5A) | 4.5V,10V | 60mohm @ 5a,10v | 3V @ 250µA | 7 NC @ 5 V | ±20V | 555 pf @ 15 V | - | (3W)(TA) | |||||||||||
![]() | TSM4946DC | 0.7284 | ![]() | 4904 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TSM4946 | MOSFET (金属 o化物) | 2.4W(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM4946DCSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n通道 | 60V | 4.5A(ta) | 55MOHM @ 4.5A,10V | 3V @ 250µA | 30nc @ 10V | 910pf @ 24V | 标准 | |||||||||||||
![]() | TSM500N03CP ROG | - | ![]() | 9860 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 12.5A(TC) | 4.5V,10V | 50mohm @ 8a,10v | 3V @ 250µA | 7 NC @ 4.5 V | ±20V | 270 pf @ 25 V | - | 12.5W(TC) | ||||||||||||
![]() | BC337-16 B1 | - | ![]() | 7520 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | 到92 | - | 到达不受影响 | 1801-BC337-16B1 | 过时的 | 1 | 45 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM4N60ECP ROG | 1.1500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM4N60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.5OHM @ 2A,10V | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 545 pf @ 25 V | - | 86.2W(TC) | |||||||||||
![]() | BC856B RFG | 0.0343 | ![]() | 3590 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC856 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 220 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM10N60CI C0 | - | ![]() | 3796 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TSM10N60CIC0 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 750MOHM @ 5A,10V | 4V @ 250µA | 45.8 NC @ 10 V | ±30V | 1738 PF @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM60NB190CF | 3.9416 | ![]() | 7009 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM60NB190CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 600 v | 18A(TC) | 10V | 190MOHM @ 3.7A,10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±30V | 1311 pf @ 100 V | - | 59.5W(TC) | |||||||||||
![]() | BC549A A1G | - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | BC549 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | - | 110 @ 2mA,5V | - | |||||||||||||||
TSM160P04LCRHRLG | - | ![]() | 1572年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM160 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 40 V | 51A(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±20V | 2712 PF @ 20 V | - | 69W(TC) | ||||||||||||
![]() | TSM240N03CX RFG | 0.9000 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TSM240 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6.5A(TC) | 4.5V,10V | 24mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 4.1 NC @ 4.5 V | ±20V | 345 pf @ 25 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | KTC3198-BL-B0 B1G | - | ![]() | 7665 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-KTC3198-BL-B0B1G | 过时的 | 1 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 3000 @ 150mA,6v | 80MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC846A RFG | 0.0343 | ![]() | 5008 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC846 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||
KTC3198-Y B1G | - | ![]() | 7526 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | KTC3198 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 70 @ 2mA,6v | 80MHz | ||||||||||||||||
![]() | TSM60NB190CM2 | 4.3298 | ![]() | 4719 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM60NB190CM2TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,400 | n通道 | 600 v | 18A(TC) | 10V | 190mohm @ 6a,10v | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±30V | 1273 PF @ 100 V | - | 150.6W(TC) | |||||||||||
![]() | TSC873CT A3G | - | ![]() | 2910 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 1 w | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TSC873CTA3G | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 400 v | 1 a | 1ma | NPN | 1V @ 250mA,1a | 80 @ 250mA,10V | - | |||||||||||||||
![]() | BC849CW | 0.0357 | ![]() | 3155 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC849 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BC849CWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 420 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TQM076NH04DCR RLG | 4.0900 | ![]() | 8230 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | TQM076 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT2907A RFG | 0.0342 | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBT2907 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||
![]() | BC338-16-B0 A1G | - | ![]() | 8632 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-BC338-16-B0A1GTB | 过时的 | 1 | 25 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BC848AW | 0.0357 | ![]() | 4512 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC848 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BC848WTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC807-16W RFG | 0.0466 | ![]() | 5484 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC807 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,1V | 80MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM2N60ECP ROG | - | ![]() | 8884 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM2 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 2A(TC) | 10V | 4ohm @ 1A,10V | 5V @ 250µA | 9.5 NC @ 10 V | ±30V | 362 PF @ 25 V | - | 52.1W(TC) | |||||||||||
![]() | TSC5302DCHC5G | - | ![]() | 2426 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | TSC5302 | 25 w | TO-251(IPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | 400 v | 2 a | 1µA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 250mA,1a | 10 @ 400mA,5V | - | |||||||||||||||
![]() | BC550A B1 | - | ![]() | 2181 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-BC550AB1 | 过时的 | 1 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | - | 110 @ 2mA,5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | TSM340N06CP ROG | 1.6600 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM340 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 30A(TC) | 4.5V,10V | 34mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 16.6 NC @ 10 V | ±20V | 1180 pf @ 30 V | - | 66W(TC) | |||||||||||
![]() | KTC3198-y A1G | - | ![]() | 7037 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | KTC3198 | 500兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 70 @ 2mA,6v | 80MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM260P02CX6 RFG | 1.3100 | ![]() | 47 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | TSM260 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-26 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 6.5A(TC) | 1.8V,4.5V | 26mohm @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 19.5 NC @ 4.5 V | ±10V | 1670 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM15N50CZ C0G | - | ![]() | 2329 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TSM15 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 500 v | 14A(TC) | 10V | 440MOHM @ 7A,10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±30V | 2263 PF @ 25 V | - | - |
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