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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压-收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM500N03CP ROG	-	RFQ	9860	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	12.5A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 8a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 4.5 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	12.5W（TC）
TSM120N06LCS RLG	2.5200	RFQ	19	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2193 PF @ 30 V	-	12.5W（TC）
TSM260P02CX6 RFG	1.3100	RFQ	47	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM260	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6.5A（TC）	1.8V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
TSM70N600CP	2.5896	RFQ	4568	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM4N60ECH C5G	-	RFQ	1356	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM4N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,750	n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	545 pf @ 25 V	-	86.2W（TC）
TQM110NB04CR RLG	2.5700	RFQ	4	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	12a（12a），54a（tc）	7V，10V	11mohm @ 12a，10v	3.8V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1352 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
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TSM15N50CZ C0G	-	RFQ	2329	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM15	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	500 v	14A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	2263 PF @ 25 V	-	-
BC548B B1	-	RFQ	9470	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC548BB1	过时的		1												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
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TSM80N1R2CH	2.5940	RFQ	5779	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CH	Ear99	8541.29.0095	15,000	n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM2NB60CP	0.8736	RFQ	8869	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2NB60CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
TSM060NB06LCZ	2.0942	RFQ	6654	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM060NB06LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	60 V	（13A）（TA），111a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 13a，10v	2.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6273 PF @ 30 V	-	2W（TA），156w（tc）
TSM340N06CP ROG	1.6600	RFQ	35	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM340	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM051N04LCP ROG	2.3100	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM051	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	16A（16A），96A （TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	44.5 NC @ 10 V	±20V	2456 pf @ 20 V	-	2.6W（TA），89W（tc）
BC546B A1	-	RFQ	7652	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546BA1TB	过时的		4,000												65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC548B A1	-	RFQ	2833	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC548BA1TB	过时的		1												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM2306CX RFG	0.6000	RFQ	147	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2306	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	30 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	57MOHM @ 3.5A，10V	3V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 V	±20V	555 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
TSM60NB380CF C0G	2.5238	RFQ	8140	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	810 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
MMBT3904 RFG	0.2100	RFQ	44	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3904		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												40 V	200 ma	50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
BC847AW	0.0357	RFQ	1971年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847WTR	Ear99	8541.21.0075	18,000												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM2314CX RFG	0.5307	RFQ	39	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2314	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	4.9A（TC）	1.8V，4.5V	33mohm @ 4.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	900 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
TSM340N06CZ C0G	-	RFQ	1736年	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM340N06CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM4NB65CH C5G	2.2300	RFQ	10	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM4NB65	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	70W（TC）
BC817-16 RFG	0.0346	RFQ	4048	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BC846A	0.0334	RFQ	7106	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000												65 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
KTC3198-y A1G	-	RFQ	7037	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
BC817-25 RFG	0.0346	RFQ	8588	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
TSM085P03C	0.8944	RFQ	9117	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM085P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	30 V	34A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3216 pf @ 15 V	-	14W（TC）
TSM480P06CZ C0G	-	RFQ	4064	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM480P06CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1	P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	66W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²