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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM80N1R2CL	3.4316	RFQ	3851	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CL	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM2NB60CP	0.8736	RFQ	8869	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2NB60CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
TSM60NC980CP ROG	3.0700	RFQ	5100	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	5V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 300 V	-	57W（TC）
BC856B	0.0334	RFQ	7408	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC856BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000												65 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM340N06CP ROG	1.6600	RFQ	35	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM340	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM120N06LC	1.0840	RFQ	7952	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM120N06LCSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	10a（10a），23a（tc）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2193 PF @ 30 V	-	2.2W（TA），12.5W（tc）
TSM60NB099CZ C0G	12.9500	RFQ	9088	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	600 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 11.3a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	298W（TC）
TSM260P02CX6 RFG	1.3100	RFQ	47	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM260	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	6.5A（TC）	1.8V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
TSM60NB190CZ C0G	7.4900	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）
TSM1NB60SCT A3	-	RFQ	5578	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM1NB60SCTA3	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	500mA（TC）	10V	10ohm @ 250mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
TQM032NH04LCR RLG	4.0200	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM032	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	23A（23A），81A （TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	2.2V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±16V		-	115W（TC）
TSM060N03PQ33 RGG	1.5500	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	62A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	25.4 NC @ 10 V	±20V	1342 PF @ 15 V	-	40W（TC）
TSM5NC50CF C0G	1.1466	RFQ	9875	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM5	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.38OHM @ 1.7A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	586 pf @ 50 V	-	40W（TC）
BC337-16-B0 A1G	-	RFQ	8294	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC337-16-B0A1GTB	过时的		1												45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
BC550B A1	-	RFQ	6216	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC550BA1TB	过时的		1												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM160N10LCR RLG	3.8300	RFQ	11	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM160	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	46A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	4431 PF @ 50 V	-	83W（TC）
TSM850N06CX RFG	0.7900	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM850	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	60 V	3A（TC）	4.5V，10V	85mohm @ 2.3a，10v	2.5V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	529 pf @ 30 V	-	1.7W（TC）
MMBT2907A RFG	0.0342	RFQ	1221	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2907		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
TSM210N02CX RFG	0.7900	RFQ	135	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM210	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	6.7A（TC）	1.8V，4.5V	25mohm @ 4A，4.5V	800MV @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±10V	600 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
TSM130NB06LCR	-	RFQ	9671	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM130	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	10A（10A），51A （TC）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2175 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
TSM150P04LCS RLG	2.6700	RFQ	25	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	40 V	22a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2783 PF @ 20 V	-	12.5W（TC）
TQM043NH04LCR RLG	3.5800	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM043	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	20A（20A），54A （TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 27a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±16V	2480 pf @ 25 V	-	100W（TC）
TSM2N7000KCT A3G	-	RFQ	7157	台湾半导体公司	-	（CT）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	TSM2N7000	MOSFET （金属 o化物）		到92	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000	n通道	60 V	300mA（TA）	5V，10V	5ohm @ 100mA，10v	2.5V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	60 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
BC548C B1	-	RFQ	2889	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC548CB1	过时的		1												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
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KTC3198-O B1G	-	RFQ	7703	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000												50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
TSM650P03CX RFG	0.8100	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	30 V	4.1A（TC）	2.5V，10V	65MOHM @ 4A，10V	900mv @ 250µA	6.4 NC @ 4.5 V	±12V	810 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
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BC549A A1G	-	RFQ	7750	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²