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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM5ND50CI	1.2259	RFQ	6096	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5ND50CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	500 v	5A（TC）		1.5OHM @ 1.6A，10V	3.8V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	603 PF @ 50 V	-	42W（TC）
TSM650P03CX	0.2806	RFQ	2315	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM650P03CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	30 V	4.1A（TC）	2.5V，10V	65MOHM @ 4A，10V	900mv @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±12V	810 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
TSM160N10LCR	1.8515	RFQ	7173	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM160	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM160N10LCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	8a（8a ta），46a（tc）	4.5V，10V	16mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	4431 PF @ 50 V	-	2.6W（TA），83W（tc）
TSG65N195CE RVG	10.8700	RFQ	7675	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TSG65				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000
TSM4NC50CP	0.8190	RFQ	6074	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NC50CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	500 v	4A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.7A，10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	453 pf @ 50 V	-	83W（TC）
TSM4953DC	0.6389	RFQ	8135	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM4953	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4953DCSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2个p通道		30V	4.9a（ta）		60mohm @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	28nc @ 10V		745pf @ 15V	标准
TSM2NB60CH	0.8512	RFQ	3314	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2NB60CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
TQM076NH04DCR RLG	4.0900	RFQ	8230	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM076				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
TSM60NB900CH	1.2444	RFQ	9004	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB900CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	4A（TC）	10V	900MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 100 V	-	36.8W（TC）
MMBT3904 RFG	0.2100	RFQ	44	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3904		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 ma	50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
TSM480P06CH X0G	2.1700	RFQ	9	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM480	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM680P06CP ROG	1.6100	RFQ	27	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM680	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	20W（TC）
TSC5804DCHC5G	-	RFQ	5877	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSC5804		45 W	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75													450 v	5 a	250µA	NPN	2V @ 1a，3.5a	25 @ 200ma，3v	-
TSM10N60CI C0	-	RFQ	3796	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM10N60CIC0	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	50W（TC）
TSM4946DC	0.7284	RFQ	4904	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM4946	MOSFET （金属 o化物）	2.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4946DCSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n通道		60V	4.5A（ta）		55MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	30nc @ 10V		910pf @ 24V	标准
BC849AW RFG	0.0368	RFQ	4483	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM4925DCS RLG	2.7300	RFQ	3462	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM4925	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	7.1a（ta）		25mohm @ 7.1a，10v	3V @ 250µA	33nc @ 10V		1900pf @ 15V	-
TSM60NB380CP	2.2100	RFQ	7950	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
TSC5304EDCHC5G	-	RFQ	1912年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSC5304		35 w	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75													400 v	4 a	250µA	NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	17 @ 1A，5V	-
TSM070NH04CV RGG	2.2500	RFQ	9	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM070NH04CVRGGCT	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	（14a）（TA），54A （TC）	7V，10V	7mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	1233 PF @ 25 V	-	36W（TC）
TSC966CW	0.2336	RFQ	6690	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSC966		1 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSC966CWTR	Ear99	8541.29.0075	5,000													400 v	300 MA	1µA	NPN	500mv @ 5mA，50mA	100 @ 1mA，5V	50MHz
TSM4NB65CH C5G	2.2300	RFQ	10	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM4NB65	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	70W（TC）
TSM900N06CH X0G	1.7200	RFQ	52	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）
TSM60NB041PW C1G	28.2500	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道	600 v	78A（TC）	10V	41MOHM @ 21.7A，10V	4V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 100 V	-	446W（TC）
TSM22P10CI C0G	-	RFQ	8891	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM22P10CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	100 v	22a（TC）	4.5V，10V	140mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±25V	2250 pf @ 30 V	-	48W（TC）
TSM340N06CZ C0G	-	RFQ	1736年	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM340N06CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM480P06CZ C0G	-	RFQ	4064	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM480P06CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM7NC65CF C0G	1.5053	RFQ	4379	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W（TC）
TSM4N90CZ C0G	1.7900	RFQ	977	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM4N90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	4A（TC）	10V	4ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	955 pf @ 25 V	-	38.7W（TC）
BC338-16 A1	-	RFQ	6366	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-16A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²