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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM650P03CX	0.2806	RFQ	2315	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM650P03CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	30 V	4.1A（TC）	2.5V，10V	65MOHM @ 4A，10V	900mv @ 250µA	8 NC @ 4.5 V	±12V	810 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
TSC873CT A3G	-	RFQ	2910	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSC873CTA3G	Ear99	8541.29.0095	2,000													400 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，1a	80 @ 250mA，10V	-
TSM10N80CI C0G	-	RFQ	8795	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM10	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	9.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 4.75A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2336 PF @ 25 V	-	48W（TC）
BC856B RFG	0.0343	RFQ	3590	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM250N02DCQ RFG	1.0100	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM250	MOSFET （金属 o化物）	620MW（TC）	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	5.8A（TC）		25mohm @ 4A，4.5V	800MV @ 250µA	11NC @ 4.5V		775pf @ 10V	标准
BC549C A1	-	RFQ	1777年	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC549CA1TB	过时的		1													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM170N06CH	0.9530	RFQ	9155	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM170	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM170N06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	60 V	38A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	46W（TC）
TSM7N90CI C0G	2.7200	RFQ	1	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM7N90	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	40.3W（TC）
TSM60NC390CH C5G	5.5100	RFQ	15	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	11A（TC）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 1mA	21.4 NC @ 10 V	±20V	818 PF @ 100 V	-	125W（TC）
TQM032NH04LCR RLG	4.0200	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM032	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	23A（23A），81A （TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	2.2V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±16V		-	115W（TC）
TSM2NB60CH	0.8512	RFQ	3314	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2NB60CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
TSM7NC60CF	1.5053	RFQ	5551	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM7NC60CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	1169 PF @ 50 V	-	44.6W（TC）
MMBT2907A	0.0336	RFQ	6801	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2907		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-MMBT2907ATR	Ear99	8541.21.0075	6,000													60 V	600 MA	50NA	PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
TSM6N60CH C5G	-	RFQ	4899	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	20.7 NC @ 10 V	±30V	1248 PF @ 25 V	-	89W（TC）
TQM033NB04CR RLG	4.7400	RFQ	4	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM033	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	21a（21A），121A（tc）	7V，10V	3.3mohm @ 21a，10v	3.8V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	4917 PF @ 20 V	-	3.1W（ta），107W（tc）
TSM5055DCR RLG	2.6700	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM5055	MOSFET （金属 o化物）	2.2W（TA），30W tc），2.4W ta（69W（ta）（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		30V	（10a（ta），38a tc（38a tc），20a（ta（107a ta）（107a tc）		11.7MOHM @ 10a，10v，3.6MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	9.3nc @ 10v，49nc @ 10v		555pf @ 15V，2550pf @ 15V	-
BC849CW RFG	0.0368	RFQ	9069	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM4436CS RLG	1.5200	RFQ	65	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM4436	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	8a（8a）	4.5V，10V	36mohm @ 4.6A，10V	3V @ 250µA	10.5 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	2.5W（TA）
TSM120N06LC	1.0840	RFQ	7952	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM120N06LCSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	10a（10a），23a（tc）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2193 PF @ 30 V	-	2.2W（TA），12.5W（tc）
TSM70N600CI C0G	3.0142	RFQ	9236	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM110NB04LDCR RLG	1.0500	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），48W（tc）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	10a（10A），48a tc（TC）		11mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		1269pf @ 20V	-
BC338-40 B1	-	RFQ	6103	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-40B1	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSC966CT B0G	-	RFQ	9524	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000													400 v	300 MA	1µA	NPN	1V @ 5mA，50mA	100 @ 1mA，5V	50MHz
TSM60N750CH C5G	-	RFQ	5304	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,875		n通道	600 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±30V	554 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
TSM10NC65CF	1.6128	RFQ	2880	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM10	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM10NC65CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	650 v	10A（TC）	10V	900MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1650 PF @ 50 V	-	45W（TC）
KTC3198-Y B1G	-	RFQ	7526	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
BC847B	0.0334	RFQ	1440	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM5ND50CI	1.2259	RFQ	6096	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5ND50CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	500 v	5A（TC）		1.5OHM @ 1.6A，10V	3.8V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±30V	603 PF @ 50 V	-	42W（TC）
BC807-16W RFG	0.0466	RFQ	5484	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC807		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
TSM160N10LCR	1.8515	RFQ	7173	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM160	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM160N10LCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	8a（8a ta），46a（tc）	4.5V，10V	16mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	4431 PF @ 50 V	-	2.6W（TA），83W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²