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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM120N06LCS RLG	2.5200	RFQ	19	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	23A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2193 PF @ 30 V	-	12.5W（TC）
TSM060N03ECP	0.7524	RFQ	6182	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM060N03ECPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 25 V	-	54W（TC）
TSM150NB04CR RLG	1.4800	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	10V	15mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1092 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
TQM130NB06CR RLG	2.9100	RFQ	3	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM130	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	10A（10A），50A （TC）	7V，10V	13mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	2234 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
TSM60N380CI C0G	1.1018	RFQ	2621	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	20.5 NC @ 10 V	±30V	1040 pf @ 100 V	-	125W（TC）
TSM170N06CH	0.9530	RFQ	9155	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM170	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM170N06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	60 V	38A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	46W（TC）
BC548C A1G	-	RFQ	9171	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM60NB380CP	2.2100	RFQ	7950	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB380CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
TSM042N03CS RLG	1.8300	RFQ	16	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM042	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	7W（TC）
BC337-40 B1G	-	RFQ	8486	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC337		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM4946DC	0.7284	RFQ	4904	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM4946	MOSFET （金属 o化物）	2.4W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4946DCSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n通道		60V	4.5A（ta）		55MOHM @ 4.5A，10V	3V @ 250µA	30nc @ 10V		910pf @ 24V	标准
TSM210N02CX RFG	0.7900	RFQ	135	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM210	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	6.7A（TC）	1.8V，4.5V	25mohm @ 4A，4.5V	800MV @ 250µA	4 NC @ 4.5 V	±10V	600 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
BC848BW	0.0361	RFQ	5870	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848BWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BC548B B1G	-	RFQ	8060	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM05N03CW	0.5075	RFQ	2585	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM05	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM05N03CWTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	555 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
TSM4N60ECP ROG	1.1500	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	545 pf @ 25 V	-	86.2W（TC）
TSM60NB190CF	3.9416	RFQ	7009	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB190CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	190MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1311 pf @ 100 V	-	59.5W（TC）
BC337-16 B1	-	RFQ	7520	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-16B1	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM10N60CI C0	-	RFQ	3796	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM10N60CIC0	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	45.8 NC @ 10 V	±30V	1738 PF @ 25 V	-	50W（TC）
TSM160P04LCRHRLG	-	RFQ	1572年	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM160	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	51A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2712 PF @ 20 V	-	69W（TC）
TSM240N03CX RFG	0.9000	RFQ	76	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM240	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	1.56W（TC）
BC546B A1G	-	RFQ	1446	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM2312CX RFG	0.5900	RFQ	190	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2312	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	4.9A（TC）	1.8V，4.5V	33mohm @ 4.9a，4.5V	1V @ 250µA	11.2 NC @ 4.5 V	±8V	500 pf @ 10 V	-	750MW（TA）
TSC873CT A3G	-	RFQ	2910	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSC873CTA3G	Ear99	8541.29.0095	2,000													400 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，1a	80 @ 250mA，10V	-
BC846A RFG	0.0343	RFQ	5008	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC846		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
KTC3198-BL-B0 B1G	-	RFQ	7665	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-BL-B0B1G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	3000 @ 150mA，6v	80MHz
BC849CW	0.0357	RFQ	3155	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC849CWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TQM076NH04DCR RLG	4.0900	RFQ	8230	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM076				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
TSM024NA04LCR RLG	1.5500	RFQ	27	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM024	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	170a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	4224 PF @ 20 V	-	125W（TC）
TSM130NB06LCR	-	RFQ	9671	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM130	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	10A（10A），51A （TC）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2175 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），83W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²