RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM70NB1R4CP	1.2804	RFQ	4373	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70NB1R4CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	700 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±30V	317 PF @ 100 V	-	28W（TC）
TSM1NB60SCT A3	-	RFQ	5578	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM1NB60SCTA3	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	500mA（TC）	10V	10ohm @ 250mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
BC856B	0.0334	RFQ	7408	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC856BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000												65 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM60NC1R5CH C5G	2.9400	RFQ	14	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	5V @ 1mA	7.6 NC @ 10 V	±20V	242 PF @ 25 V	-	39W（TC）
TSM3446CX6 RFG	0.8700	RFQ	34	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3446	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道	20 v	5.3A（TC）	2.5V，4.5V	33mohm @ 5.3a，4.5V	1V @ 250µA	8.8 NC @ 4.5 V	±12V	700 pf @ 10 V	-	2W（TA）
TSM2N7002AKCU RFG	0.3700	RFQ	5	台湾半导体公司	-	（CT）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	240mA（ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 240mA，10V	2.5V @ 250µA	0.68 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 30 V	-	298MW（TA）
TSM850N06CX	0.2725	RFQ	4709	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM850	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM850N06CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000	n通道	60 V	2.3a（3a），3a （TC）	4.5V，10V	85mohm @ 2.3a，10v	2.5V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	529 pf @ 30 V	-	1W（1W），1.7W（TC）
TSM900N06CH X0G	1.7200	RFQ	52	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）
BC337-40-B0 A1G	-	RFQ	2104	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC337-40-B0A1GTB	过时的		1												45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM60NB900CH C5G	2.9000	RFQ	55	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	4A（TC）	10V	900MOHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	9.6 NC @ 10 V	±30V	315 pf @ 100 V	-	36.8W（TC）
TSG65N068CE RVG	25.7700	RFQ	2537	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TSG65				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					3,000
TSM80N1R2CL	3.4316	RFQ	3851	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CL	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM1NB60CW RPG	1.5200	RFQ	8	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM1NB60	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
TSM60NB600CP ROG	3.3600	RFQ	6944	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	7A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	516 pf @ 100 V	-	63W（TC）
TSM052NB03CR	0.7393	RFQ	6740	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM052	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM052NB03CRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	17a（17A），90A （TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 17A，10V	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2294 pf @ 15 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
TSM056NH04LCV RGG	2.9300	RFQ	9	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	（16a）（ta），54A（tc）	4.5V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	2.2V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±16V	2076 PF @ 25 V	-	34W（TC）
TSM6NB60CI C0G	-	RFQ	4379	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.6OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±30V	872 PF @ 25 V	-	40W（TC）
TSM10N80CI C0G	-	RFQ	8795	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM10	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	800 v	9.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 4.75A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2336 PF @ 25 V	-	48W（TC）
TSM170N06CH C5G	2.2200	RFQ	29	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM170	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	60 V	38A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	46W（TC）
TSM033NA04LCR RLG	1.6100	RFQ	495	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM033	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	141a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 20 V	-	125W（TC）
BC338-40 A1	-	RFQ	9077	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-40A1TB	过时的		1												25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM2NB60CH	0.8512	RFQ	3314	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2NB60CH	Ear99	8541.29.0095	15,000	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
TSA884CX RFG	0.1683	RFQ	9610	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSA884		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000												500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 1mA，10v	50MHz
TSC966CT B0G	-	RFQ	9524	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000												400 v	300 MA	1µA	NPN	1V @ 5mA，50mA	100 @ 1mA，5V	50MHz
BC337-16-B0 A1G	-	RFQ	8294	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC337-16-B0A1GTB	过时的		1												45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSC5304EDCHC5G	-	RFQ	1912年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSC5304		35 w	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75												400 v	4 a	250µA	NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	17 @ 1A，5V	-
TSM60N1R4CP ROG	0.4523	RFQ	4261	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	3.3A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 100 V	-	38W（TC）
TSM060N03PQ33 RGG	1.5500	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	62A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	25.4 NC @ 10 V	±20V	1342 PF @ 15 V	-	40W（TC）
BC338-16 A1	-	RFQ	6366	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-16A1TB	过时的		1												25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
TSM070NH04CR RLG	2.4300	RFQ	5	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	（15a）（ta），54a （TC）	7V，10V	7mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1337 PF @ 25 V	-	46.8W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²