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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
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TSM650N15CS RLG	2.4192	RFQ	8973	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	9A（TC）	6V，10V	65MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1783 PF @ 75 V	-	12.5W（TC）
BC337-40 A1G	-	RFQ	7827	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC337		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM6968DCA RVG	1.8100	RFQ	318	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6968	MOSFET （金属 o化物）	1.04W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6.5A（TC）		22mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 4.5V		950pf @ 10V	-
BC547C A1G	-	RFQ	1886年	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC547		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
BC549C B1	-	RFQ	3929	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC549CB1	过时的		1													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
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TSM250NB06LCV RGG	1.5500	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM250	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	6A（6A），27a （TC）	4.5V，10V	25mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1307 PF @ 30 V	-	1.9W（TA），42W（TC）
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TSM70N750CH C5G	2.1535	RFQ	3741	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
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TSA894CT B0G	-	RFQ	9861	台湾半导体公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TSA894		1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	10,000													500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 1mA，10v	50MHz
BC338-16-B0 A1	-	RFQ	2005	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-16-B0A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM3911DCX6 RFG	1.6300	RFQ	47	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3911	MOSFET （金属 o化物）	1.15W	SOT-26	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）		20V	2.2A（ta）		140MOHM @ 2.2a，4.5V	950mv @ 250µA	15.23nc @ 4.5V		882.51pf @ 6V	-
TSM13N50ACI C0G	-	RFQ	2469	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	13A（TC）	10V	480MOHM @ 6.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1965 pf @ 25 V	-	52W（TC）
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TSM4N90CZ C0G	1.7900	RFQ	977	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM4N90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	4A（TC）	10V	4ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	955 pf @ 25 V	-	38.7W（TC）
TSM130NB06LCR RLG	2.0200	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM130	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	10A（10A），51A （TC）	4.5V，10V	13mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2175 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
TSM70N1R4CH C5G	0.4482	RFQ	8249	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	700 v	3.3A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 100 V	-	38W（TC）
TSM70N600CP ROG	5.1100	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM150P04LCS RLG	2.6700	RFQ	25	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	22a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2783 PF @ 20 V	-	12.5W（TC）
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TQM070NH04LCR RLG	2.7600	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM070	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（16a）（ta），54A（tc）	4.5V，10V	7mohm @ 27a，10v	2.2V @ 250µA	34.5 NC @ 10 V	±16V	2169 PF @ 25 V	-	46.8W（TC）
BC337-25 A1G	-	RFQ	3269	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC337		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,000													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，5V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²