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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM500N15CS RLG	2.9700	RFQ	3	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道	150 v	（4a ta），11a （TC）	10V	50MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	1123 PF @ 80 V	-	12.7W（TA）
TSM210N06CZ C0G	-	RFQ	1104	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	210a（TC）	10V	3.1MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7900 PF @ 30 V	-	250W（TC）
TSM150NB04LCV	0.5871	RFQ	9527	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM150NB04LCVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	40 V	8a（8a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1013 PF @ 20 V	-	1.9W（TA），39W（tc）
TSM70N600CH	2.5626	RFQ	9453	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
BC337-16-B0 B1	-	RFQ	5258	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-16-B0B1	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM080NB03CR RLG	0.7500	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM080	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14a（14A），59A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1097 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），55.6W（TC）
TSM650N15CR RLG	5.0100	RFQ	1475	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	24A（TC）	6V，10V	65MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1829 PF @ 75 V	-	96W（TC）
BC846BW RFG	0.0368	RFQ	5033	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM090N03CP	0.7000	RFQ	7888	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM090	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM090N03CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	55A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	40W（TC）
TSM2NB60CP ROG	1.9800	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
BC546A A1G	-	RFQ	7834	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM4N70CP ROG	-	RFQ	2351	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	700 v	3.5A（TC）	10V	3.3ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	595 pf @ 25 V	-	56W（TC）
TSM301K12CQ RFG	0.8200	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM301	MOSFET （金属 o化物）		6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	94mohm @ 2.8a，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	10 NC @ 5 V	±12V	5.2 pf @ 6 V	-	6.5W（TC）
TSM60NC620CH C5G	3.6900	RFQ	1910	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1801-TSM60NC620CHC5G			15,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	501 PF @ 300 V	-	78W（TC）
TQM019NH04LCR RLG	6.8600	RFQ	6557	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM019				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
BC338-25 B1	-	RFQ	4709	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-25B1	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM3911DCX6	0.6205	RFQ	9638	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3911	MOSFET （金属 o化物）	1.15W（TA）	SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3911DCX6TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2个p通道		20V	2.2A（ta）		140MOHM @ 2.2a，4.5V	0.95V @ 250µA	15.23nc @ 4.5V		882.51pf @ 6V	标准
TSM2309CX	0.2768	RFQ	9552	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2309CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	60 V	3.1A（TC）	4.5V，10V	190MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	1.56W（TC）
TSM10NB60CI C0G	-	RFQ	9827	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	10A（TC）	10V	750MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1820 PF @ 25 V	-	50W（TC）
TSB772CK C0G	0.1589	RFQ	3138	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	TSB772		10 W	TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	50													30 V	3 a	1µA	PNP	500mv @ 200mA，2a	100 @ 1A，2V	80MHz
TSM70NB1R4CP ROG	1.2804	RFQ	9411	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	700 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±30V	317 PF @ 100 V	-	28W（TC）
TSM076NH04LDCR RLG	2.5200	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM076N	MOSFET （金属 o化物）	55.6W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		40V	14a（TA），34A （TC）		7.6mohm @ 17a，10v	2.2V @ 250µA	22.4NC @ 10V		1344pf @ 25V	-
TSC966CT A3G	-	RFQ	3816	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000													400 v	300 MA	1µA	NPN	1V @ 5mA，50mA	100 @ 1mA，5V	50MHz
TSM4NB60CZ C0G	-	RFQ	5481	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BC337-25-B0 B1G	-	RFQ	8513	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC337-25-B0B1G	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM80N950CP ROG	5.6900	RFQ	6190	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	800 v	6A（TC）	10V	950MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	19.6 NC @ 10 V	±30V	691 PF @ 100 V	-	110W（TC）
TSM4NB65CI C0G	1.1907	RFQ	6549	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4NB65	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	70W（TC）
TSM043NB04CZ	3.5400	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM043	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	16a（16A），124A （TC）		4.3mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	4928 pf @ 20 V	-	2W（TA），125W（125W）（TC）
BC848AW RFG	0.0361	RFQ	1226	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC848		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TQM250NB06CR RLG	2.5000	RFQ	1	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM250	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	（7a ta），32a （TC）	7V，10V	25mohm @ 7a，10v	3.8V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1396 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），68W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²