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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM9434CS	0.6218	RFQ	7118	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9434	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM9434CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	20 v	6.4A（TC）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.4a，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
TSM4NB65CI	1.1907	RFQ	6270	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	25W（TC）
TSC5304EDCP ROG	-	RFQ	5632	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5304		35 w	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													400 v	4 a	250µA	NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	17 @ 1A，5V	-
TSM1NB60CP ROG	1.7300	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM1NB60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
TSM10NC65CF C0G	3.3400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM10	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	10A（TC）	10V	900MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±30V	1650 PF @ 50 V	-	45W（TC）
TSM110NB04CR RLG	1.6800	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	12a（12a），54a（tc）	10V	11mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1443 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
BC858C RFG	0.0343	RFQ	4999	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM60NC620CI C0G	4.4000	RFQ	7012	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		1801-TSM60NC620CIC0G			4,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	506 PF @ 300 V	-	46W（TC）
TSM35N10CP ROG	1.6271	RFQ	8011	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM35	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	32A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1598 PF @ 30 V	-	83.3W（TC）
TSA874CW RPG	0.2072	RFQ	9133	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSA874		1 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 10mA，10v	50MHz
BC807-40 RFG	0.0445	RFQ	8446	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
TSM60NB150CF C0G	10.4800	RFQ	15	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 4.3A，10V	4V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	1765 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
TSM230N06CP ROG	2.0100	RFQ	105	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM230	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	34A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	104W（TC）
TSM150P03PQ33 RGG	1.6100	RFQ	9	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	36a（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	29.3 NC @ 10 V	±20V	1829 PF @ 15 V	-	27.8W（TC）
TSC4505CX RFG	1.2300	RFQ	12	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSC4505		225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													400 v	300 MA	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，10v	20MHz
BC807-40	0.0435	RFQ	1172	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC807-40TR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
TQM019NH04CR-V RLG	3.3893	RFQ	2041	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（30a）（100a ta）（TC）	7V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	134 NC @ 10 V	±20V	9044 PF @ 25 V	-	150W（TC）
TSM230N06CI C0G	-	RFQ	7078	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM230N06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	42W（TC）
BC858B RFG	0.0343	RFQ	7245	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM036N03PQ56 RLG	1.7400	RFQ	438	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM036	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	124A（TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 15 V	-	83W（TC）
TSM150NB04LCR RLG	1.4100	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	966 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
TSM4NB65CH	0.9576	RFQ	7165	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BC338-16-B0 B1G	-	RFQ	2392	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-16-B0B1G	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
BC858A	0.0334	RFQ	8548	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC858ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
TSM4ND60CI C0G	-	RFQ	5832	台湾半导体公司	-	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4ND60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	3.8V @ 250µA	17.2 NC @ 10 V	±30V	582 PF @ 50 V	-	41.6W（TC）
BC338-40 B1G	-	RFQ	8302	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
BC338-40 A1G	-	RFQ	7817	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA		100MHz
BC848C RFG	0.0343	RFQ	2199	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM085P03CS RLG	2.0300	RFQ	17	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	34A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3216 pf @ 15 V	-	14W（TC）
TSM6866SDCA RVG	0.7448	RFQ	4416	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6866	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		30mohm @ 6a，4.5V	600mv @ 250µA	5NC @ 4.5V		565pf @ 8V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²