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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC546A B1G	-	RFQ	3874	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000												65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM7ND65CI	3.3700	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.8A，10V	3.8V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1124 PF @ 50 V	-	50W（TC）
TSM042N03C	0.8059	RFQ	8384	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM042	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM042N03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	7W（TC）
TSM60NB1R4CH C5G	2.3500	RFQ	7155	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	7.12 NC @ 10 V	±30V	257.3 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
TSM230N06CP ROG	2.0100	RFQ	105	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM230	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	34A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	104W（TC）
TSM3446CX6	0.3003	RFQ	7348	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3446	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3446CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000	n通道	20 v	5.3A（TC）	2.5V，4.5V	33mohm @ 5.3a，4.5V	1V @ 250µA	12.5 NC @ 4.5 V	±12V	700 pf @ 10 V	-	2W（TA）
TSM4N80CZ C0G	-	RFQ	3483	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM4N80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	800 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	955 pf @ 25 V	-	38.7W（TC）
TSM60NC620CP ROG	3.6900	RFQ	4175	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	3（168））					5,000	n通道	600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	498 PF @ 300 V	-	78W（TC）
TSM2N7002KCX RFG	-	RFQ	7633	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
TSM60NC196CI	4.2719	RFQ	1888年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NC196CI	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	600 v	20A（TC）	10V	196mohm @ 9.5a，10V	5V @ 1mA	39 NC @ 10 V	±30V	1535 PF @ 300 V	-	70W（TC）
TSM3443CX6	0.3395	RFQ	2478	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3443	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3443CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000	P通道	20 v	4.7a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	640 pf @ 10 V	-	2W（TA）
TSM220NB06CR RLG	1.6800	RFQ	12	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM220	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	8a（8a ta），35A （TC）	10V	22mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1454 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），68W（tc）
TSM019NH04LCR RLG	6.3000	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	35A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±16V	6282 PF @ 25 V	-	150W（TC）
TSM043NH04LCR RLG	3.4600	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TSM043	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	20A（20A），54A （TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 27a，10v	2.2V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±16V	2480 pf @ 25 V	-	100W（TC）
KTC3198-Y	0.0583	RFQ	2280	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-KTC3198-YTB	Ear99	8541.21.0095	4,000												50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz
TSM4NB65CH	0.9576	RFQ	7165	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CH	Ear99	8541.29.0095	15,000	n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM70N380CH	3.2649	RFQ	2406	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N380CH	Ear99	8541.29.0095	15,000	n通道	700 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	18.8 NC @ 10 V	±30V	981 PF @ 100 V	-	125W（TC）
TSM4N90CI C0G	-	RFQ	6687	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4N90	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	900 v	4A（TC）	10V	4ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	955 pf @ 25 V	-	38.7W（TC）
TSM048NB06LCR RLG	3.8200	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM048	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM048NB06LCRRLGTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	16A（16A），107A （TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	6253 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TQM043NH04CR RLG	3.6200	RFQ	4045	台湾半导体公司	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				TQM043				-	rohs3符合条件	（1 （无限）					2,500
TSM150NB04LCR RLG	1.4100	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	966 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
TSM120N10PQ56 RLG	-	RFQ	6381	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	58A（TC）	10V	12mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	3902 PF @ 30 V	-	36W（TC）
TSM80N400CF	5.4062	RFQ	6681	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N400CF	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	800 v	12A（TC）	10V	400MOHM @ 2.7a，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±30V	1848 PF @ 100 V	-	69W（TC）
TSM9ND50CI	3.3700	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM9	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	500 v	9A（TC）	10V	900mohm @ 2.3a，10v	3.8V @ 250µA	24.5 NC @ 10 V	±30V	1116 PF @ 50 V	-	50W（TC）
TSM7N65ACI C0G	-	RFQ	5093	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.45OHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	27.8 NC @ 10 V	±30V	1406 PF @ 25 V	-	40W（TC）
TSM1NB60CH	0.7448	RFQ	1962年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM1NB60CH	Ear99	8541.29.0095	15,000	n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
TSM260P02CX6	0.5097	RFQ	6460	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM260	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM260P02CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000	P通道	20 v	6.5A（TC）	1.8V，4.5V	26mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	19.5 NC @ 4.5 V	±10V	1670 pf @ 15 V	-	1.56W（TC）
BC338-25-B0 A1	-	RFQ	6810	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-25-B0A1TB	过时的		1												25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
BC547B A1	-	RFQ	1117	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547BA1TB	过时的		1												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM22P10CZ C0G	-	RFQ	8487	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM22P10CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1	P通道	100 v	22a（TC）	4.5V，10V	140mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±25V	2250 pf @ 30 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²