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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM230N06CP ROG	2.0100	RFQ	105	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM230	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	34A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	104W（TC）
TSM60N600CI C0G	0.9062	RFQ	4036	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM120N06LCR RLG	1.5122	RFQ	4314	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	54A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	36.5 NC @ 10 V	±20V	2116 pf @ 30 V	-	69W（TC）
TSM230N06CI C0G	-	RFQ	7078	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM230N06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	42W（TC）
TSM6502CR RLG	2.3700	RFQ	9	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM6502	MOSFET （金属 o化物）	40W	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道		60V	24A（TC），18A （TC）		34mohm @ 5.4a，10v，68mohm @ 4a，10v	2.5V @ 250µA	10.3nc @ 4.5V，9.5nc @ 4.5V		1159pf @ 30v，930pf @ 30v	-
TSM7ND65CI	3.3700	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	活跃	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.8A，10V	3.8V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1124 PF @ 50 V	-	50W（TC）
BC858C RFG	0.0343	RFQ	4999	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM950N10CW RPG	1.5600	RFQ	6	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM950	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	6.5A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	9W（TC）
TSM3N90CZ C0G	-	RFQ	8691	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM3N90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	2.5A（TC）	10V	5.1OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	748 pf @ 25 V	-	94W（TC）
TSM4NB60CI	1.1907	RFQ	6597	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB60CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	25W（TC）
TSM032NH04LCR RLG	3.8200	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	25a（25A），81a（tc）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	2.2V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±16V	3007 PF @ 25 V	-	115W（TC）
BC338-25 A1	-	RFQ	2708	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-25A1TB	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，5V	100MHz
MMBT2222A RFG	0.2400	RFQ	8	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
TSM2N7002KCX	0.1121	RFQ	5815	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2N7002KCXTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 300mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	30 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
TSM70N10CP ROG	-	RFQ	4883	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	70A（TC）	10V	13mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 30 V	-	120W（TC）
TSM80N08CZ C0G	-	RFQ	3900	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	91.5 NC @ 10 V	±20V	3905 PF @ 30 V	-	113.6W（TC）
TSM80N1R2CH C5G	2.5940	RFQ	7637	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
TSM60N06CP ROG	-	RFQ	4719	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	66A（TC）	10V	7.3mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	4382 PF @ 30 V	-	44.6W（TC）
TSM025NH04CR RLG	5.0500	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	7V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	3794 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TSM340N06CH X0G	1.8500	RFQ	15	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM340	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSM70N600ACL X0G	3.1215	RFQ	5045	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3短领先，i²pak	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-262S（i2pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM22P10CZ C0G	-	RFQ	8487	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM22P10CZC0G	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	100 v	22a（TC）	4.5V，10V	140mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±25V	2250 pf @ 30 V	-	125W（TC）
KTC3198-Y-M0 A2G	-	RFQ	5263	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-M0A2GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
TSM9434CS	0.6218	RFQ	7118	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9434	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM9434CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	20 v	6.4A（TC）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.4a，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
TQM032NH04CR RLG	4.0300	RFQ	1619年	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	23A（23A），81A （TC）	7V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	3.6V @ 250µA	67.5 NC @ 10 V	±20V	4344 PF @ 25 V	-	115W（TC）
TSM6866SDCA RVG	0.7448	RFQ	4416	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6866	MOSFET （金属 o化物）	1.6W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6a（6a）		30mohm @ 6a，4.5V	600mv @ 250µA	5NC @ 4.5V		565pf @ 8V	-
TSM60NB380CH C5G	2.1663	RFQ	3692	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
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TSM60NC390CI C0G	6.8200	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11A（TC）	10V	390MOHM @ 3.8A，10V	5V @ 1mA	21.3 NC @ 10 V	±20V	832 PF @ 25 V	-	78W（TC）
TSM60NC620CP ROG	3.6900	RFQ	4175	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252（DPAK）	下载	rohs3符合条件	3（168））					5,000		n通道	600 v	7A（TC）	10V	620MOHM @ 2.4a，10V	5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	498 PF @ 300 V	-	78W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²