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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM6N50CP ROG	-	RFQ	6211	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	500 v	5.6a（ta）	10V	1.4OHM @ 2.8a，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	900 pf @ 25 V	-	90W（TC）
TSM4NB60CH X0G	0.9576	RFQ	2750	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM4NB60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM70N900CI C0G	2.3232	RFQ	8829	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	50W（TC）
TSM043NH04CR RLG	3.4600	RFQ	5	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TSM043	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	20A（20A），54A （TC）	7V，10V	4.3mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2531 PF @ 25 V	-	100W（TC）
TSM900N10CH X0G	0.9822	RFQ	2384	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	100 v	15A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	50W（TC）
TSM60NB1R4CP	1.0363	RFQ	1126	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB1R4CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	7.12 NC @ 10 V	±30V	257.3 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
TSM1N45CW RPG	-	RFQ	9504	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	4.25V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2W（TC）
BC846AW	0.0357	RFQ	8712	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BC549A A1	-	RFQ	2940	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC549AA1TB	过时的		1													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
BC847C	0.0337	RFQ	5870	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847CTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM250NB06LDCR RLG	1.0500	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM250	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），48W（tc）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6A（6A），29A （TC）		25mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	23nc @ 10V		1314pf @ 30V	-
TSM10N06CP ROG	-	RFQ	9023	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	10a（10a）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10.5 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	45W（TC）
TSM70N750CH C5G	2.1535	RFQ	3741	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
TSA884CX	0.1560	RFQ	1439	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSA884		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSA884CXTR	Ear99	8541.21.0095	12,000													500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 1mA，10v	50MHz
TSC741CZ C0G	-	RFQ	7062	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSC741		60 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													450 v	2.5 a	250µA	NPN	2V @ 600mA，2a	50 @ 100mA，5v	-
TSC497CX	0.1607	RFQ	8692	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSC497		500兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSC497CXTR			12,000													300 v	500 MA	100NA	NPN	300mv @ 25mA，250mA	100 @ 1mA，10v	75MHz
TSM170N06CP ROG	2.2200	RFQ	119	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM170	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	38A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	46W（TC）
BC848A RFG	0.0343	RFQ	8465	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM15N50CI C0G	-	RFQ	6447	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM15	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	500 v	14A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	2263 PF @ 25 V	-	-
TSM340N06CH	0.7953	RFQ	8065	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM340	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM340N06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	40W（TC）
MMBT3904L-UA RFG	-	RFQ	4856	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23	-				1801-MMBT3904L-UARFG	过时的		1													40 V	200 ma	50NA	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
TSM650N15CS RLG	2.4192	RFQ	8973	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	9A（TC）	6V，10V	65MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1783 PF @ 75 V	-	12.5W（TC）
TSM9409CS RLG	2.0100	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9409	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	155MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	（3W）（TA）
BC547C A1G	-	RFQ	1886年	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC547		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
BC337-16 A1G	-	RFQ	2922	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC337		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
TSA1765CW RPG	-	RFQ	1290	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSA1765		2 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													560 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 1mA，10v	50MHz
TSM3401CX RFG	1.2500	RFQ	23	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM3401	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	3A（3A）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	2.7 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	1.25W（TA）
BC338-16 B1	-	RFQ	3511	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-16B1	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSA894CT B0G	-	RFQ	9861	台湾半导体公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TSA894		1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	10,000													500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 1mA，10v	50MHz
BC817-25	0.0336	RFQ	5583	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-25TR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²