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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
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TSA1036CX RFG	-	RFQ	8685	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSA1036		225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												60 V	600 MA	10NA（ICBO）	PNP	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
BC337-40-B0 B1	-	RFQ	4768	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-40-B0B1	过时的		1												45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM10N06CP ROG	-	RFQ	9023	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	10a（10a）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	10.5 NC @ 4.5 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	45W（TC）
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TSM5NC50CF	1.1466	RFQ	3086	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM5	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5NC50CF	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.38OHM @ 1.7A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	586 pf @ 50 V	-	40W（TC）
BC548C B1G	-	RFQ	5507	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
BC550A A1G	-	RFQ	1001	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC550		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM900N06CW RPG	0.8900	RFQ	5107	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	4.17W（TC）
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BC547A A1	-	RFQ	5168	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547AA1TB	过时的		1												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
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BC337-25 A1	-	RFQ	8834	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC337-25A1TB	过时的		1												45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，5V	100MHz
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TSM080N03EPQ56 RLG	1.5600	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM080	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	55A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	54W（TC）
TSM085N03PQ33 RGG	1.4800	RFQ	8	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	52A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V	817 PF @ 15 V	-	37W（TC）
TSM085NB03CV RGG	1.5100	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	（11a）（ta），58a tc（58a tc）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 11A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1101 PF @ 15 V	-	1.92W（ta），52W（tc）
BC337-40 A1	-	RFQ	3711	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC337-40A1TB	过时的		1												45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²