RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM055N03EPQ56 RLG	1.5100	RFQ	137	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM055	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 25 V	-	74W（TC）
TSM4800N15CX6	0.4537	RFQ	4450	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM4800	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4800N15CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道	150 v	1.4A（TC）	6V，10V	480MOHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 10 V	-	2.1W（TC）
TSM080N03EPQ56 RLG	1.5600	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM080	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	55A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	54W（TC）
TSM4NB65CP ROG	2.1200	RFQ	34	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4NB65	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	70W（TC）
TSM70N600CH C5G	5.3600	RFQ	125	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
BC849BW	0.0357	RFQ	3344	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC849BWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	100MHz
TSM018NB03CR	1.8542	RFQ	9217	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM018	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM018NB03CRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	29A（ta），194a（tc）	4.5V，10V	1.8mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7252 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TSC966CT A3G	-	RFQ	3816	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000													400 v	300 MA	1µA	NPN	1V @ 5mA，50mA	100 @ 1mA，5V	50MHz
TSM051N04LCP	1.0258	RFQ	8075	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM051	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM051N04LCPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	16A（16A），96A （TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	44.5 NC @ 10 V	±20V	2456 pf @ 20 V	-	2.6W（TA），89W（tc）
TSM1N45DCS RLG	-	RFQ	1275	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道	450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	4.9V @ 250mA	6.5 NC @ 10 V	±50V	185 pf @ 25 V	-	900MW（TA）
BC546B B1	-	RFQ	5949	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546BB1	过时的		1													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5V	-
TSC5802DCHC5G	-	RFQ	1117	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSC5802		30 W	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75													450 v	2.5 a	250µA	NPN	3V @ 600mA，2a	50 @ 100mA，5v	-
TSM80N1R2CI C0G	3.3572	RFQ	3417	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	25W（TC）
TSM3N80CH C5G	-	RFQ	7734	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM3N80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道	800 v	3A（TC）	10V	4.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	696 pf @ 25 V	-	94W（TC）
BC337-16 A1G	-	RFQ	2922	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC337		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
TSM70N900CI C0G	2.3232	RFQ	8829	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	50W（TC）
TSM9N90ECZ C0G	-	RFQ	7210	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	9A（TC）	10V	1.4OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2470 pf @ 25 V	-	89W（TC）
TSM680P06DPQ56 RLG	2.4100	RFQ	16	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM680	MOSFET （金属 o化物）	3.5W	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		60V	12A（TC）		68mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	16.4NC @ 10V		870pf @ 30V	-
BC550A A1	-	RFQ	6984	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC550AA1TB	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM3457CX6 RFG	0.9900	RFQ	11	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3457	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	2W（TA）
TSM170N06CP ROG	2.2200	RFQ	119	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM170	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	38A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	900 pf @ 25 V	-	46W（TC）
TSM9409CS RLG	2.0100	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9409	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	155MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	（3W）（TA）
BC857B	0.0334	RFQ	5457	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC857BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM70N600CI	3.0142	RFQ	8316	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	32W（TC）
TSM085NB03CV	0.5871	RFQ	1476	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM085NB03CVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	（11a）（ta），58a tc（58a tc）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 11A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1101 PF @ 15 V	-	1.92W（ta），52W（tc）
BC338-16 B1G	-	RFQ	4326	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
TQM110NB04DCR RLG	3.7100	RFQ	4	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM110	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA），58W（tc）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	10A（10A），50A （TC）		11mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	26NC @ 10V		1354pf @ 20V	-
TSM60NC980CH C5G	3.0700	RFQ	13	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1801-TSM60NC980CHC5G	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	5V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 300 V	-	57W（TC）
BC548B	0.0447	RFQ	1251	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC548BTB	Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5V	-
TSM043NH04CR RLG	3.4600	RFQ	5	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TSM043	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	20A（20A），54A （TC）	7V，10V	4.3mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2531 PF @ 25 V	-	100W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²