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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM2537CQ RFG	1.4300	RFQ	22	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM2537	MOSFET （金属 o化物）	6.25W	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道		20V	11.6A（TC），9a （TC）		30mohm @ 6.4a，4.5V，55mohm @ 5a，4.5V	1V @ 250µA	9.1NC @ 4.5V，9.8NC @ 4.5V		677pf @ 10V，744pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
KTC3198-O-M0 B2G	-	RFQ	8074	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-O-M0B2G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 150mA，6v	80MHz
BC337-16-B0 B1	-	RFQ	5258	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC337-16-B0B1	过时的		1													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM190N08CZ	5.2624	RFQ	6909	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM190N08CZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	75 v	（17a）（190a （TC）（TC）	10V	4.2MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 30 V	-	（2W）（250W）（TC）
TSM020N04LCR RLG	1.3900	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM020	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	170a（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 27a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7942 PF @ 20 V	-	104W（TC）
TSM150NB04LCV	0.5871	RFQ	9527	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM150NB04LCVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	40 V	8a（8a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1013 PF @ 20 V	-	1.9W（TA），39W（tc）
TSM340N06CI C0G	-	RFQ	5863	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM340N06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	27W（TC）
TSM950N10CW	0.6307	RFQ	1292	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM950	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM950N10CWTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	6.5A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	9W（TC）
BC857A	0.0334	RFQ	7729	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC857ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
BC807-25 RFG	0.0342	RFQ	3739	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
TSM2NB60CH C5G	-	RFQ	4910	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
TSM60N750CP ROG	-	RFQ	8667	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	10.8 NC @ 10 V	±30V	554 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
BC546A	0.0447	RFQ	7433	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC546ATB	Ear99	8541.21.0095	5,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM6963SDCA	0.8294	RFQ	8786	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6963	MOSFET （金属 o化物）	1.14W（TA）	8-tssop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM6963SDCATR	Ear99	8541.29.0095	12,000	2个p通道		20V	4.5A（ta）		30mohm @ 4.5A，4.5V	1V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1500pf @ 10V	标准
TSM200N03DPQ33 RGG	1.6900	RFQ	14	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM200	MOSFET （金属 o化物）	20W	8-pdfn（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		30V	20A（TC）		20mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	4NC @ 4.5V		345pf @ 25V	-
TSM70N1R4CP ROG	0.4660	RFQ	1475	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	700 v	3.3A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 100 V	-	38W（TC）
BC847BW RFG	0.0368	RFQ	4018	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM043NB04CZ	3.5400	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM043	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	40 V	16a（16A），124A （TC）		4.3mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	4928 pf @ 20 V	-	2W（TA），125W（125W）（TC）
TSM70NB1R4CP ROG	1.2804	RFQ	9411	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	700 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±30V	317 PF @ 100 V	-	28W（TC）
TSM650N15CS RLG	2.4192	RFQ	8973	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	150 v	9A（TC）	6V，10V	65MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1783 PF @ 75 V	-	12.5W（TC）
BC546C B1	-	RFQ	7110	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546CB1	过时的		1													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
BC550A A1	-	RFQ	6984	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC550AA1TB	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
BC817-16W	0.0350	RFQ	9715	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-16WTR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
TSM60NB380CP ROG	4.3200	RFQ	392	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	9.5A（TC）	10V	380MOHM @ 2.85a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	795 pf @ 100 V	-	83W（TC）
TSM4953DCS RLG	1.6600	RFQ	23	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM4953	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）		30V	4.9a（ta）		60mohm @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	28nc @ 10V		745pf @ 15V	-
BC849BW	0.0357	RFQ	3344	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC849BWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BC846CW	0.0357	RFQ	6807	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846CWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM680P06DPQ56	1.0636	RFQ	4462	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM680	MOSFET （金属 o化物）	3.5W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM680P06DPQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2个p通道		60V	12A（TC）		68mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	16.4NC @ 10V		870pf @ 30V	标准
TSM025NB04CR RLG	3.5500	RFQ	752	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM025	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	24A（24A），161a （TC）	10V	2.5MOHM @ 24A，10V	4V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±20V	7150 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TSM70N600ACL	3.1215	RFQ	7932	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3短领先，i²pak	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-262S（i2pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600ACL	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²