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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM1NB60SCT B0	-	RFQ	5827	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM1NB60SCTB0	Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	600 v	500mA（TC）	10V	10ohm @ 250mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
TSM070NB04LCR RLG	2.0200	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM070	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	（15a）（ta），75a tc（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	2151 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
BC807-25 RFG	0.0342	RFQ	3739	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
TSM340N06CI C0G	-	RFQ	5863	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM340N06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	27W（TC）
BC548B A1G	-	RFQ	8319	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC548C A1	-	RFQ	6297	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC548CA1TB	过时的		1												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
BC546C A1G	-	RFQ	5925	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM060N03ECP ROG	1.7200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 25 V	-	54W（TC）
TSM038N04LCP ROG	3.0900	RFQ	480	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM038	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	135a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5509 PF @ 20 V	-	125W（TC）
TSM500P02CX RFG	0.9100	RFQ	155	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM500	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.7A（TC）	1.8V，4.5V	50mohm @ 3A，4.5V	800MV @ 250µA	9.6 NC @ 4.5 V	±10V	850 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
BC850AW RFG	0.0368	RFQ	2689	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC850		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM4NB65CP ROG	2.1200	RFQ	34	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4NB65	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	70W（TC）
BC550A A1	-	RFQ	6984	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC550AA1TB	过时的		1												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
BC550C B1	-	RFQ	1335	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC550CB1	过时的		1												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM3N90CI C0G	-	RFQ	2448	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM3N90	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	900 v	2.5A（TC）	10V	5.1OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	748 pf @ 25 V	-	94W（TC）
TQM056NH04LCR RLG	2.9700	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM056	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	17a（17a），54A（tc）	4.5V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	2.2V @ 250µA	45.6 NC @ 10 V	±16V		-	78.9W（TC）
BC549C B1G	-	RFQ	8163	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC549		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM150P04LC	1.1755	RFQ	7311	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM150P04LCSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	40 V	（9a）（22A）（22A）（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2783 PF @ 20 V	-	2.2W（TA），12.5W（tc）
TSM8N80CZ C0G	-	RFQ	5494	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM8N80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	800 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1921 PF @ 25 V	-	40.3W（TC）
TSC5303DCHC5G	-	RFQ	5752	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSC5303		30 W	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75												400 v	3 a	10µA	NPN	700mv @ 100mA，400mA	15 @ 1A，5V	-
TSM60N900CP ROG	0.5910	RFQ	6265	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	900mohm @ 2.3a，10v	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	480 pf @ 100 V	-	50W（TC）
TSM2N60SCW RPG	1.5900	RFQ	108	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	600mA（TC）	10V	5ohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	435 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
TSM089N08LCR RLG	4.4200	RFQ	1630	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM089	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	80 V	67A（TC）	4.5V，10V	8.9mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	6119 PF @ 40 V	-	83W（TC）
BC847B RFG	0.2200	RFQ	21	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BC546B B1G	-	RFQ	9933	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000												65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC849BW	0.0357	RFQ	3344	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC849BWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSA894CT A3	-	RFQ	9523	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSA894CTA3	Ear99	8541.29.0075	2,000												500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 1mA，10v	50MHz
TQM025NH04CR RLG	6.3900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					5,000	n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	7V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	5691 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TSM2309CX RFG	0.8000	RFQ	87	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	60 V	3.1A（TC）	4.5V，10V	190MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	1.56W（TC）
TSM900N06CW RPG	0.8900	RFQ	5107	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	4.17W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²