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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM500P02CX	0.3167	RFQ	1455	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM500	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM500P02CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	20 v	4.7A（TC）	1.8V，4.5V	50mohm @ 3A，4.5V	0.8V @ 250µA	9.6 NC @ 4.5 V	±10V	850 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
TSM1NB60SCT B0	-	RFQ	5827	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM1NB60SCTB0	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	500mA（TC）	10V	10ohm @ 250mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
TQM076NH04LDCR RLG	3.9300	RFQ	1	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM076	MOSFET （金属 o化物）	55.6W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n通道		40V	（15a）（TA），40a （TC）		7.6mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	34NC @ 10V		2006pf @ 25V	标准
TSM70N750CH C5G	2.1535	RFQ	3741	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
TSM1N45CT A3G	-	RFQ	6448	台湾半导体公司	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	4.25V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2W（TC）
TSM8588CS	0.7120	RFQ	2787	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM8588	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（ta），5.7W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM8588CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n和p通道互补		60V	2.5a（5a），5a（tc），2a ta（2a ta），4a tc（4a tc）		103mohm @ 2.5a，10v，180mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	9.4NC @ 10V，9NC @ 10V		527pf @ 30v，436pf @ 30V	-
TSM480P06CP	0.7104	RFQ	5988	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM480	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM480P06CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	-
KTC3198-O-B0 B1G	-	RFQ	2976	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-O-B0B1G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 150mA，6v	80MHz
TSM301K12CQ RFG	0.8200	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM301	MOSFET （金属 o化物）		6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	94mohm @ 2.8a，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	10 NC @ 5 V	±12V	5.2 pf @ 6 V	-	6.5W（TC）
BC846AW	0.0357	RFQ	8712	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BC848A RFG	0.0343	RFQ	8465	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BC850BW RFG	0.0368	RFQ	8258	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC850		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM70N600CH	2.5626	RFQ	9453	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
BC546C A1	-	RFQ	9119	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546CA1TB	过时的		1													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM036N03PQ56	0.8059	RFQ	9690	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM036	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM036N03PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	22a（22A），124A （TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 15 V	-	2.6W（TA），83W（tc）
TSM2NB60CP ROG	1.9800	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
TS13005CK C0G	0.5700	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	TS13005			TO-126	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													400 v	3 a	10µA	NPN	1V @ 200mA，1a	24 @ 425mA，2V	-
TSM080N03PQ56 RLG	1.4000	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM080	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	73A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	14.4 NC @ 10 V	±20V	843 pf @ 15 V	-	69W（TC）
TSM3457CX6 RFG	0.9900	RFQ	11	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3457	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	2W（TA）
TSM9409CS RLG	2.0100	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9409	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	155MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	（3W）（TA）
TSM1N45DCS RLG	-	RFQ	1275	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道	450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	4.9V @ 250mA	6.5 NC @ 10 V	±50V	185 pf @ 25 V	-	900MW（TA）
TSC742CZ C0G	-	RFQ	3386	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSC742		70 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50													420 v	5 a	250µA	NPN	1.5V @ 1A，3.5A	48 @ 100mA，5V	-
TSM4N70CH C5G	-	RFQ	4904	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	700 v	3.5A（TC）	10V	3.3ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	595 pf @ 25 V	-	56W（TC）
TQM025NH04CR RLG	6.3900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）					5,000		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	7V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	3.6V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	5691 PF @ 25 V	-	136W（TC）
BC338-40-B0 B1	-	RFQ	6406	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	-			到达不受影响	1801-BC338-40-B0B1	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM051N04LCP	1.0258	RFQ	8075	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM051	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM051N04LCPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	16A（16A），96A （TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 16A，10V	2.5V @ 250µA	44.5 NC @ 10 V	±20V	2456 pf @ 20 V	-	2.6W（TA），89W（tc）
TSM2309CX RFG	0.8000	RFQ	87	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.1A（TC）	4.5V，10V	190MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	1.56W（TC）
TSM8568CS	1.0909	RFQ	6232	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM8568	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM8568CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n和p通道		30V	15A（TC），13A （TC）		16mohm @ 8a，10v，24mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	7NC @ 4.5V，11NC @ 4.5V		646pf @ 15V，1089pf @ 15V	-
TSM8N70CI C0	-	RFQ	1981	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM8N70CIC0	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	8A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	2006 PF @ 25 V	-	40W（TC）
TSM60NB190CI C0G	8.1000	RFQ	749	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²