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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM650N15CR	2.4192	RFQ	5903	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM650N15CRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	150 v	（4A）（24A）（24A）TC）	6V，10V	65MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	1829 PF @ 75 V	-	2.6W（ta），96W（tc）
TSM080NB03CR RLG	0.7500	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM080	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	14a（14A），59A （TC）	4.5V，10V	8mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1097 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），55.6W（TC）
TSM6968DCA RVG	1.8100	RFQ	318	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6968	MOSFET （金属 o化物）	1.04W	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	6.5A（TC）		22mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	15nc @ 4.5V		950pf @ 10V	-
TSM60NB260CI C0G	4.2501	RFQ	9034	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	13A（TC）	10V	260mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	32.1W（TC）
TSM70N380CP	3.2175	RFQ	7610	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N380CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	700 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	18.8 NC @ 10 V	±30V	981 PF @ 100 V	-	125W（TC）
TSM480P06CI C0G	-	RFQ	8557	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM480P06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	27W（TC）
TSM900N06CW	0.3581	RFQ	5045	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N06CWTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	4.17W（TC）
BC547C B1	-	RFQ	6204	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547CB1	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
BC546C A1	-	RFQ	9119	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546CA1TB	过时的		1													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM100N06CZ C0G	1.5800	RFQ	49	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM100	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	100A（TC）	10V	6.7MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	4382 PF @ 30 V	-	167W（TC）
TSM036N03PQ56	0.8059	RFQ	9690	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM036	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM036N03PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	22a（22A），124A （TC）	4.5V，10V	3.6mohm @ 22a，10v	2.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 15 V	-	2.6W（TA），83W（tc）
TSM033NB04LCR RLG	2.9500	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM033	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	21a（21A），121A（tc）	4.5V，10V	3.3mohm @ 21a，10v	2.5V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	4456 pf @ 20 V	-	3.1W（ta），107W（tc）
TSM210N06CZ C0G	-	RFQ	1104	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	60 V	210a（TC）	10V	3.1MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	7900 PF @ 30 V	-	250W（TC）
TSM60NB1R4CP	1.0363	RFQ	1126	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB1R4CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	7.12 NC @ 10 V	±30V	257.3 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
BC850BW RFG	0.0368	RFQ	8258	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC850		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM70N600CH	2.5626	RFQ	9453	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
BC857B	0.0334	RFQ	5457	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC857BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM70N600CI	3.0142	RFQ	8316	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	32W（TC）
BC846AW	0.0357	RFQ	8712	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BC848A RFG	0.0343	RFQ	8465	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM085NB03CV	0.5871	RFQ	1476	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM085NB03CVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	（11a）（ta），58a tc（58a tc）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 11A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1101 PF @ 15 V	-	1.92W（ta），52W（tc）
TSM040N03CP	0.8900	RFQ	9375	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM040	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM040N03CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 24A，10V	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	88W（TC）
TQM110NB04DCR RLG	3.7100	RFQ	4	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM110	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA），58W（tc）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	10A（10A），50A （TC）		11mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	26NC @ 10V		1354pf @ 20V	-
BC338-16 B1G	-	RFQ	4326	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
TSM60NC980CH C5G	3.0700	RFQ	13	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1801-TSM60NC980CHC5G	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	5V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 300 V	-	57W（TC）
BC546B B1	-	RFQ	5949	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC546BB1	过时的		1													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC548B	0.0447	RFQ	1251	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC548BTB	Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC847C	0.0337	RFQ	5870	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847CTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
BC337-16 A1G	-	RFQ	2922	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC337		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	100MHz
TSM3N80CH C5G	-	RFQ	7734	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM3N80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道	800 v	3A（TC）	10V	4.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	696 pf @ 25 V	-	94W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²