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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM018NB03CR RLG	1.4800	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM018	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	29A（ta），194a（tc）	4.5V，10V	1.8mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7252 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TSM8N70CI C0	-	RFQ	1981	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM8N70CIC0	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	8A（TC）	10V	900MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	2006 PF @ 25 V	-	40W（TC）
TQM070NH04CR RLG	2.7600	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM070	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（16a）（ta），54A（tc）	7V，10V	7mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	2006 PF @ 25 V	-	46.8W（TC）
TSM900N06CP	0.5530	RFQ	1716年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N06CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）
TSM5NC50CZ	1.2558	RFQ	6263	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5NC50CZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.38OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	586 pf @ 50 V	-	89W（TC）
TSM085NB03CV RGG	1.5100	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（11a）（ta），58a tc（58a tc）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 11A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1101 PF @ 15 V	-	1.92W（ta），52W（tc）
TSM1N45CT A3G	-	RFQ	6448	台湾半导体公司	-	（CT）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	4.25V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	235 pf @ 25 V	-	2W（TC）
TSM10N80CZ C0G	-	RFQ	5364	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM10	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	9.5A（TC）	10V	1.05OHM @ 4.75A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2336 PF @ 25 V	-	290W（TC）
TSM038N04LCP	1.5504	RFQ	3715	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM038	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM038N04LCPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	（19a（ta），135a（tc）	4.5V，10V	3.8mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5509 PF @ 20 V	-	2.6W（ta），125W（tc）
TSM7N90CZ C0G	-	RFQ	9040	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM7N90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	40.3W（TC）
TSM180N03PQ33	0.4140	RFQ	6335	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM180N03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	21W（TC）
TSM320N03CX RFG	0.9000	RFQ	198	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM320	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	5.5A（TC）	2.5V，4.5V	32MOHM @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	±12V	792 PF @ 15 V	-	1.8W（TC）
TQM025NH04LCR-V RLG	3.0535	RFQ	7698	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±16V	6228 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TSM056NH04CR RLG	3.0100	RFQ	5	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	18A（18A），54A（tc）	7V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	27.3 NC @ 10 V	±20V	1942 PF @ 25 V	-	78.9W（TC）
TQM076NH04LDCR RLG	3.9300	RFQ	1	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM076	MOSFET （金属 o化物）	55.6W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n通道		40V	（15a）（TA），40a （TC）		7.6mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	34NC @ 10V		2006pf @ 25V	标准
TSM1N45DCS RLG	-	RFQ	1275	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道	450 v	500mA（TC）	10V	4.25ohm @ 250mA，10V	4.9V @ 250mA	6.5 NC @ 10 V	±50V	185 pf @ 25 V	-	900MW（TA）
TSM032NH04CR RLG	3.8200	RFQ	5	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	25a（25A），81a（tc）	7V，10V	3.2MOHM @ 40a，10v	3.6V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	2896 pf @ 25 V	-	115W（TC）
BC547C B1	-	RFQ	6204	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547CB1	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM680P06CP	0.7098	RFQ	6313	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM680	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM680P06CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	20W（TC）
TS13002ACT B0G	-	RFQ	4605	台湾半导体公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TS13002		600兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000													400 v	300 MA	1µA	NPN	1.5V @ 20mA，200mA	25 @ 100mA，10v	4MHz
TSM480P06CP	0.7104	RFQ	5988	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM480	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM480P06CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	-
BC850CW	0.0357	RFQ	4701	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC850		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC850CWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSC5802DCHC5G	-	RFQ	1117	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSC5802		30 W	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75													450 v	2.5 a	250µA	NPN	3V @ 600mA，2a	50 @ 100mA，5v	-
TSM680P06CH X0G	2.0100	RFQ	11	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM680	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	20W（TC）
BC856A	0.0334	RFQ	7177	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC856ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													65 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
KTC3198-O-M0 B2G	-	RFQ	8074	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-O-M0B2G	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 150mA，6v	80MHz
TSM150P04LC	1.1755	RFQ	7311	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM150P04LCSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	40 V	（9a）（22A）（22A）（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2783 PF @ 20 V	-	2.2W（TA），12.5W（tc）
TSM8N80CZ C0G	-	RFQ	5494	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM8N80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1921 PF @ 25 V	-	40.3W（TC）
TSC5303DCHC5G	-	RFQ	5752	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSC5303		30 W	TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75													400 v	3 a	10µA	NPN	700mv @ 100mA，400mA	15 @ 1A，5V	-
TSM60N900CP ROG	0.5910	RFQ	6265	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	900mohm @ 2.3a，10v	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	480 pf @ 100 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²