RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM900N10CH X0G	0.9822	RFQ	2384	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75	n通道	100 v	15A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	50W（TC）
TSM6NB60CZ C0G	-	RFQ	5009	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.6OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±30V	872 PF @ 25 V	-	40W（TC）
BC847CW RFG	0.0368	RFQ	9761	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM110NB04LCV RGG	1.5500	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1329 PF @ 20 V	-	1.9W（TA），42W（TC）
TSM4NB60CP	0.9828	RFQ	3962	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB60CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM680P06CP	0.7098	RFQ	6313	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM680	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM680P06CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	20W（TC）
TSM180N03C	0.4273	RFQ	1155	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM180N03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
TSM70N600ACL	3.1215	RFQ	7932	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3短领先，i²pak	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-262S（i2pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N600ACL	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	700 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM2N60ECH C5G	-	RFQ	4618	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM2	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,750	n通道	600 v	2A（TC）	10V	4ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±30V	362 PF @ 25 V	-	52.1W（TC）
BC547B A1G	-	RFQ	3049	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC547		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM60NB041PW	18.5407	RFQ	3510	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB041PW	Ear99	8541.29.0095	12,000	n通道	600 v	78A（TC）	10V	41MOHM @ 21.7A，10V	4V @ 250µA	139 NC @ 10 V	±30V	6120 PF @ 100 V	-	446W（TC）
TSM2301ACX RFG	1.0200	RFQ	265	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2301	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	P通道	20 v	2.8A（TC）	2.5V，4.5V	130MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V	480 pf @ 15 V	-	700MW（TA）
TSM340N06CI C0G	-	RFQ	5863	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM340N06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1	n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	27W（TC）
TSM5NC50CZ	1.2558	RFQ	6263	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM5	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5NC50CZ	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.38OHM @ 2.5A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	586 pf @ 50 V	-	89W（TC）
TSM9435CS RLG	1.2100	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9435	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道	30 V	5.3A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	5.3W（TC）
TSM7N90CZ C0G	-	RFQ	9040	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM7N90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	900 v	7A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	40.3W（TC）
TSM018NB03CR RLG	1.4800	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM018	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	29A（ta），194a（tc）	4.5V，10V	1.8mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7252 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TSM60NB1R4CP ROG	1.0363	RFQ	4695	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	3A（TC）	10V	1.4OHM @ 900mA，10V	4V @ 250µA	7.12 NC @ 10 V	±30V	257.3 pf @ 100 V	-	28.4W（TC）
TSM70N380CI C0G	6.7100	RFQ	8331	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道	700 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	18.8 NC @ 10 V	±30V	981 PF @ 100 V	-	125W（TC）
TSM038N04LCP	1.5504	RFQ	3715	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM038	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM038N04LCPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	40 V	（19a（ta），135a（tc）	4.5V，10V	3.8mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5509 PF @ 20 V	-	2.6W（ta），125W（tc）
TSM038N04LCP ROG	3.0900	RFQ	480	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM038	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	40 V	135a（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	5509 PF @ 20 V	-	125W（TC）
TSM120N06LCP ROG	2.1400	RFQ	54	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	70A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2118 PF @ 30 V	-	125W（TC）
TSM4NB60CP ROG	2.1200	RFQ	9	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4NB60	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	600 v	4A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM060N03ECP ROG	1.7200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	30 V	70A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 25 V	-	54W（TC）
BC847B RFG	0.2200	RFQ	21	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000												45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM301K12CQ RFG	0.8200	RFQ	7	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM301	MOSFET （金属 o化物）		6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.5A（ta）	1.8V，4.5V	94mohm @ 2.8a，4.5V	500mv @ 250µA（250µA））	10 NC @ 5 V	±12V	5.2 pf @ 6 V	-	6.5W（TC）
TSM170N06PQ56	0.9676	RFQ	7242	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM170	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM170N06PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	60 V	8a（8a ta），44a（tc）	4.5V，10V	17mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1556 pf @ 30 V	-	2.6W（ta），73.5W（TC）
TSM650P02CX RFG	0.7000	RFQ	76	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.1A（TC）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	800MV @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	±10V	515 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
TSM500P02CX RFG	0.9100	RFQ	155	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM500	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	P通道	20 v	4.7A（TC）	1.8V，4.5V	50mohm @ 3A，4.5V	800MV @ 250µA	9.6 NC @ 4.5 V	±10V	850 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
TSM900N06CP	0.5530	RFQ	1716年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N06CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²