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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC546C A1 | - | ![]() | 9119 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-BC546CA1TB | 过时的 | 1 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | - | 420 @ 2mA,5V | - | ||||||||||||||||||
![]() | TSM4936DC | 0.6485 | ![]() | 7799 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TSM4936 | MOSFET (金属 o化物) | (3W)(TA) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM4936DCSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n通道 | 30V | 5.9a(ta) | 36mohm @ 5.9a,10v | 3V @ 250µA | 13nc @ 10V | 610pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||
![]() | TSM650P02CX RFG | 0.7000 | ![]() | 76 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TSM650 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 4.1A(TC) | 1.8V,4.5V | 65mohm @ 3A,4.5V | 800MV @ 250µA | 5.1 NC @ 4.5 V | ±10V | 515 pf @ 10 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||
![]() | BC847BW | 0.0357 | ![]() | 8663 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC847 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BC847BWTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 18,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||
TSM080N03PQ56 RLG | 1.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM080 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 73A(TC) | 4.5V,10V | 8mohm @ 14a,10v | 2.5V @ 250µA | 14.4 NC @ 10 V | ±20V | 843 pf @ 15 V | - | 69W(TC) | ||||||||||||
![]() | TSM4953DCS RLG | 1.6600 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TSM4953 | MOSFET (金属 o化物) | 2.5W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 30V | 4.9a(ta) | 60mohm @ 4.9A,10V | 3V @ 250µA | 28nc @ 10V | 745pf @ 15V | - | |||||||||||||
![]() | TSM10N60CZ C0 | - | ![]() | 8922 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TSM10N60CZC0 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 750MOHM @ 5A,10V | 4V @ 250µA | 45.8 NC @ 10 V | ±30V | 1738 PF @ 25 V | - | 166W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM9435CS RLG | 1.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TSM9435 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 5.3A(TC) | 4.5V,10V | 60mohm @ 5.3a,10v | 3V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 551.57 pf @ 15 V | - | 5.3W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM019NH04CR RLG | 6.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | Perfet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfnu(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 35A(TA),100A (TC) | 7V,10V | 1.9mohm @ 50a,10v | 3.6V @ 250µA | 89 NC @ 10 V | ±20V | 6029 PF @ 25 V | - | 150W(TC) | ||||||||||||
TSM033NB04LCR RLG | 2.9500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerldfn | TSM033 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5.2x5.75) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 21a(21A),121A(tc) | 4.5V,10V | 3.3mohm @ 21a,10v | 2.5V @ 250µA | 79 NC @ 10 V | ±20V | 4456 pf @ 20 V | - | 3.1W(ta),107W(tc) | ||||||||||||
![]() | TSM60N750CP ROG | - | ![]() | 8667 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 6A(TC) | 10V | 750MOHM @ 3A,10V | 4V @ 250µA | 10.8 NC @ 10 V | ±30V | 554 pf @ 100 V | - | 62.5W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM060NB06CZ | 2.0942 | ![]() | 9982 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TSM060 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM060NB06CZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 60 V | (13A)(TA),111a (TC) | 7V,10V | 6mohm @ 13a,10v | 4V @ 250µA | 103 NC @ 10 V | ±20V | 6842 PF @ 30 V | - | 2W(TA),156w(tc) | |||||||||||
![]() | BC337-40-B0 B1 | - | ![]() | 4768 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | 到92 | - | 到达不受影响 | 1801-BC337-40-B0B1 | 过时的 | 1 | 45 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||
![]() | TSM085P03CV | 0.8650 | ![]() | 3740 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | TSM085 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(3.1x3.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM085P03CVTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10,000 | P通道 | 30 V | (14a)(64a ta)(TC) | 4.5V,10V | 8.5mohm @ 14a,10v | 2.5V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 3234 pf @ 15 V | - | 2.4W(ta),50W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM1NB60CW | 0.6145 | ![]() | 1762年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | TSM1 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM1NB60CWTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 600 v | 1A(TC) | 10V | 10ohm @ 500mA,10v | 4.5V @ 250µA | 6.1 NC @ 10 V | ±30V | 138 pf @ 25 V | - | 2.1W(TC) | |||||||||||
![]() | BC549B B1 | - | ![]() | 5417 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-BC549BB1 | 过时的 | 1 | 30 V | 100 ma | 15NA(icbo) | NPN | - | 200 @ 2mA,5v | - | ||||||||||||||||||
![]() | TSM60NB041PW | 18.5407 | ![]() | 3510 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM60NB041PW | Ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | n通道 | 600 v | 78A(TC) | 10V | 41MOHM @ 21.7A,10V | 4V @ 250µA | 139 NC @ 10 V | ±30V | 6120 PF @ 100 V | - | 446W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM6968DCA RVG | 1.8100 | ![]() | 318 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) | TSM6968 | MOSFET (金属 o化物) | 1.04W | 8-tssop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 6.5A(TC) | 22mohm @ 6a,4.5V | 1V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | 950pf @ 10V | - | |||||||||||||
![]() | TSM680P06DPQ56 | 1.0636 | ![]() | 4462 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM680 | MOSFET (金属 o化物) | 3.5W(TC) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM680P06DPQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2个p通道 | 60V | 12A(TC) | 68mohm @ 6a,10v | 2.5V @ 250µA | 16.4NC @ 10V | 870pf @ 30V | 标准 | |||||||||||||
![]() | TSM4NB60CP | 0.9828 | ![]() | 3962 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM4NB60CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.5OHM @ 2A,10V | 4.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±30V | 500 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM9409CS | 0.8539 | ![]() | 8597 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TSM9409 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM9409CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 60 V | 3.5A(ta) | 4.5V,10V | 155MOHM @ 3.5A,10V | 1V @ 250µA | 6 NC @ 10 V | ±20V | 540 pf @ 30 V | - | (3W)(TA) | |||||||||||
![]() | TS13005CK B0G | - | ![]() | 1228 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | TS13005 | 20 w | TO-126 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 3 a | 10µA | NPN | 1.5V @ 500mA,2.5a | 24 @ 425mA,2V | - | |||||||||||||||
![]() | TSM150NB04LCV RGG | 1.5100 | ![]() | 8805 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | TSM150 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn (3.15x3.1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 40 V | 8a(8a),36a (TC) | 4.5V,10V | 15mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | 1013 PF @ 20 V | - | 1.9W(TA),39W(tc) | |||||||||||
![]() | TSM10NC60CF | 1.6128 | ![]() | 3171 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TSM10 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM10NC60CF | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 750MOHM @ 2.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1652 PF @ 50 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM4N70CI C0G | - | ![]() | 7046 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220AB | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 700 v | 3.5A(TC) | 10V | 3.3ohm @ 2a,10v | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±30V | 595 pf @ 25 V | - | 56W(TC) | ||||||||||||
![]() | TSM018NB03CR | 1.8542 | ![]() | 9217 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM018 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM018NB03CRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 29A(ta),194a(tc) | 4.5V,10V | 1.8mohm @ 29a,10v | 2.5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 7252 PF @ 15 V | - | 3.1W(TA),136W(tc) | |||||||||||
![]() | TSM036N03PQ56 | 0.8059 | ![]() | 9690 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM036 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM036N03PQ56TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 22a(22A),124A (TC) | 4.5V,10V | 3.6mohm @ 22a,10v | 2.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2530 pf @ 15 V | - | 2.6W(TA),83W(tc) | |||||||||||
![]() | TSM70N900CP ROG | 1.9252 | ![]() | 2446 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM70 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 700 v | 4.5A(TC) | 10V | 900MOHM @ 1.5A,10V | 4V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 V | ±30V | 482 PF @ 100 V | - | 50W(TC) | |||||||||||
![]() | BC849BW RFG | 0.0368 | ![]() | 3390 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BC849 | 200兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5v | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | BC857A | 0.0334 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC857 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BC857ATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 45 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 125 @ 2mA,5V | 100MHz |
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