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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM340N06CH	0.7953	RFQ	8065	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM340	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM340N06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	60 V	30A（TC）	4.5V，10V	34mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 30 V	-	40W（TC）
TSM085NB03CV RGG	1.5100	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	（11a）（ta），58a tc（58a tc）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 11A，10V	2.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1101 PF @ 15 V	-	1.92W（ta），52W（tc）
TSM150NB04LCV RGG	1.5100	RFQ	8805	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	8a（8a），36a （TC）	4.5V，10V	15mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	1013 PF @ 20 V	-	1.9W（TA），39W（tc）
TQM070NH04CR RLG	2.7600	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TQM070	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	（16a）（ta），54A（tc）	7V，10V	7mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	28.5 NC @ 10 V	±20V	2006 PF @ 25 V	-	46.8W（TC）
TSM60NB099CZ	7.8920	RFQ	8258	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB099CZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 11.3a，10v	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	2587 PF @ 100 V	-	298W（TC）
TSM018NB03CR	1.8542	RFQ	9217	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM018	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM018NB03CRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	29A（ta），194a（tc）	4.5V，10V	1.8mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7252 PF @ 15 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
TSM680P06DPQ56	1.0636	RFQ	4462	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM680	MOSFET （金属 o化物）	3.5W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM680P06DPQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2个p通道		60V	12A（TC）		68mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	16.4NC @ 10V		870pf @ 30V	标准
TSM090N03ECP	0.7000	RFQ	6718	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM090	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM090N03ECPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	40W（TC）
TSM190N08CZ	5.2624	RFQ	6909	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM190N08CZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	75 v	（17a）（190a （TC）（TC）	10V	4.2MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 30 V	-	（2W）（250W）（TC）
TSM160P02CS	0.6916	RFQ	3163	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM160	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM160P02CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	20 v	11A（TC）	1.8V，4.5V	16mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±10V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TC）
TSM6968DCA	0.7714	RFQ	7202	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6968	MOSFET （金属 o化物）	1.04W（TA）	8-tssop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM6968DCATR	Ear99	8541.29.0095	12,000	2 n通道		20V	6.5A（TA）		22mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	20NC @ 4.5V		950pf @ 10V	标准
TSM180N03PQ33	0.4140	RFQ	6335	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM180N03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	21W（TC）
TSM950N10CW	0.6307	RFQ	1292	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM950	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM950N10CWTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	6.5A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	9W（TC）
BC847BW	0.0357	RFQ	8663	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847BWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BC857A	0.0334	RFQ	7729	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC857ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
BC548B	0.0447	RFQ	1251	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC548BTB	Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC338-40	0.0661	RFQ	8239	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC338-40TB	Ear99	8541.21.0075	4,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
BC849BW	0.0357	RFQ	3344	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC849BWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BC807-25W	0.0453	RFQ	4294	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC807		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC807-25WTR	Ear99	8541.21.0095	6,000													45 v	500 MA	100µA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	80MHz
TSM4806C	0.3866	RFQ	9557	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM4806	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4806CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	20 v	28a（28a）	1.8V，4.5V	20mohm @ 20a，4.5V	1V @ 250µA	12.3 NC @ 4.5 V	±8V	961 PF @ 15 V	-	2W（TA）
TSM2309CX	0.2768	RFQ	9552	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2309CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	60 V	3.1A（TC）	4.5V，10V	190MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	1.56W（TC）
TSM090N03CP	0.7000	RFQ	7888	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM090	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM090N03CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	55A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	7.5 NC @ 4.5 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	40W（TC）
TSM9409CS	0.8539	RFQ	8597	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9409	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM9409CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	60 V	3.5A（ta）	4.5V，10V	155MOHM @ 3.5A，10V	1V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±20V	540 pf @ 30 V	-	（3W）（TA）
TSM900N10CH	0.9822	RFQ	7460	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N10CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	100 v	15A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	50W（TC）
TSM1NB60SCT B0	-	RFQ	5827	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM1NB60SCTB0	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	500mA（TC）	10V	10ohm @ 250mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
BC846BW	0.0361	RFQ	5103	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846BWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM16ND50CI	3.1438	RFQ	8196	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM16	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM16ND50CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	500 v	16A（TC）	10V	350MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2551 PF @ 50 V	-	59.5W（TC）
TSM480P06CI C0G	-	RFQ	8557	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM480P06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	27W（TC）
TSM2309CX RFG	0.8000	RFQ	87	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2309	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	3.1A（TC）	4.5V，10V	190MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	1.56W（TC）
TSM040N03CP	0.8900	RFQ	9375	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM040	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM040N03CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	90A（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 24A，10V	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	88W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²