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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MMBT2222A	0.0305	RFQ	8271	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2222		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-MMBT222222ATR	Ear99	8541.21.0075	6,000													40 V	600 MA	10NA（ICBO）	NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
TSM250NB06LCV RGG	1.5500	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM250	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	6A（6A），27a （TC）	4.5V，10V	25mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1307 PF @ 30 V	-	1.9W（TA），42W（TC）
TSM180N03C	0.4273	RFQ	1155	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM180N03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	9A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
BC817-16W RFG	0.0360	RFQ	2711	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
TSM8588CS	0.7120	RFQ	2787	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM8588	MOSFET （金属 o化物）	1.4W（ta），5.7W（TC）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM8588CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n和p通道互补		60V	2.5a（5a），5a（tc），2a ta（2a ta），4a tc（4a tc）		103mohm @ 2.5a，10v，180mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	9.4NC @ 10V，9NC @ 10V		527pf @ 30v，436pf @ 30V	-
TSM60N600CH C5G	0.7222	RFQ	7903	台湾半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	743 PF @ 100 V	-	83W（TC）
TSM025NB04LCR RLG	3.6400	RFQ	272	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM025	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	24A（24A），161a （TC）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 24A，10V	2.5V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	6435 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），136W（tc）
BC857B	0.0334	RFQ	5457	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC857BTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM180P03CS RLG	1.4400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	10A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	23 NC @ 4.5 V	±20V	1730 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
TSM9N90ECZ C0G	-	RFQ	7210	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	9A（TC）	10V	1.4OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	2470 pf @ 25 V	-	89W（TC）
TSM4NB65CP	0.9828	RFQ	6816	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM950N10CW	0.6307	RFQ	1292	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM950	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM950N10CWTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	6.5A（TC）	4.5V，10V	95MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	9W（TC）
TSM900N10CH	0.9822	RFQ	7460	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N10CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	100 v	15A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	50W（TC）
TSM900N06CW	0.3581	RFQ	5045	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N06CWTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	4.17W（TC）
TSM4800N15CX6	0.4537	RFQ	4450	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM4800	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4800N15CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道	150 v	1.4A（TC）	6V，10V	480MOHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 10 V	-	2.1W（TC）
TSM090N03ECP	0.7000	RFQ	6718	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM090	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM090N03ECPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	50A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	40W（TC）
BC337-40 A1G	-	RFQ	7827	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC337		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	4,000													45 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TQM150NB04CR RLG	2.2900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	7V，10V	15mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1044 PF @ 20 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
TSM70N380CI C0G	6.7100	RFQ	8331	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	18.8 NC @ 10 V	±30V	981 PF @ 100 V	-	125W（TC）
TSM2NB60CH C5G	-	RFQ	4910	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	600 v	2A（TC）	10V	4.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 250µA	9.4 NC @ 10 V	±30V	249 pf @ 25 V	-	44W（TC）
TSC5804DCP ROG	-	RFQ	1296	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5804		45 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													450 v	5 a	250µA	NPN	2V @ 1a，3.5a	25 @ 200ma，3v	-
TSM60NB260CI C0G	4.2501	RFQ	9034	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	13A（TC）	10V	260mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	32.1W（TC）
TSM4800N15CX6 RFG	1.1700	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM4800	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	150 v	1.4A（TC）	6V，10V	480MOHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±20V	332 PF @ 10 V	-	2.1W（TC）
BC846CW	0.0357	RFQ	6807	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846CWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM2302CX RFG	0.8700	RFQ	26	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM2302	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	3.9a（TC）	2.5V，4.5V	65MOHM @ 3.2A，4.5V	1.2V @ 250µA	7.8 NC @ 4.5 V	±8V	587 PF @ 10 V	-	1.5W（TC）
BC550A A1G	-	RFQ	1001	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC550		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM70N750CH	2.1535	RFQ	4836	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N750CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	700 v	6A（TC）	10V	750MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	10.7 NC @ 10 V	±30V	555 pf @ 100 V	-	62.5W（TC）
TSM3N80CI C0G	-	RFQ	8601	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM3N80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	3A（TC）	10V	4.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	696 pf @ 25 V	-	94W（TC）
TSM076NH04DCR RLG	2.5200	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM076N	MOSFET （金属 o化物）	55.6W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		40V	14a（TA），34A （TC）		7.6mohm @ 17a，10v	3.6V @ 250µA	19nc @ 10V		1217pf @ 25V	-
TSM250NB06CV	0.6661	RFQ	1841年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM250	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM250NB06CVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	60 V	6A（6A），28a （TC）	7V，10V	25mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 30 V	-	1.9W（TA），42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²