SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
BC338-25 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 A1 -
RFQ
ECAD 2708 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 625兆 到92 下载 到达不受影响 1801-BC338-25A1TB 过时的 1 25 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 160 @ 100mA,5V 100MHz
TSM052N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM052N06PQ56 RLG -
RFQ
ECAD 6174 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN MOSFET (金属 o化物) 8-pdfn(5x6) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 100A(TC) 10V 5.2MOHM @ 20A,10V 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V ±25V 3686 pf @ 30 V - 83W(TC)
BC337-16 B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 B1G -
RFQ
ECAD 6285 0.00000000 台湾半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) BC337 625兆 到92 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 5,000 45 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,5V 100MHz
TSM089N08LCR Taiwan Semiconductor Corporation TSM089N08LCR 2.1142
RFQ
ECAD 5536 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN TSM089 MOSFET (金属 o化物) 8-pdfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM089N08LCRTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 80 V 12a(12A),67a(tc) 4.5V,10V 8.9mohm @ 12a,10v 2.5V @ 250µA 90 NC @ 10 V ±20V 6119 PF @ 40 V - 2.6W(TA),83W(tc)
TSM045NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM045NA03CR RLG 0.8000
RFQ
ECAD 102 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN TSM045 MOSFET (金属 o化物) 8-pdfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 108a(TC) 4.5V,10V 4.5MOHM @ 18A,10V 2.5V @ 250µA 19 nc @ 10 V ±20V 1194 pf @ 15 V - 89W(TC)
BC337-16 A1 Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16 A1 -
RFQ
ECAD 3473 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 625兆 到92 下载 到达不受影响 1801-BC337-16A1TB 过时的 1 45 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 100 @ 100mA,5V 100MHz
TSM120N06LCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCP ROG 2.1400
RFQ
ECAD 54 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TSM120 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 70A(TC) 4.5V,10V 12mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 2118 PF @ 30 V - 125W(TC)
TSM6N50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM6N50CP ROG -
RFQ
ECAD 6211 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 5.6a(ta) 10V 1.4OHM @ 2.8a,10v 4V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 900 pf @ 25 V - 90W(TC)
TSM150P04LCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P04LC 1.1755
RFQ
ECAD 7311 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TSM150 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM150P04LCSTR Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 40 V (9a)(22A)(22A)(TC) 4.5V,10V 15mohm @ 9a,10v 2.5V @ 250µA 48 NC @ 10 V ±20V 2783 PF @ 20 V - 2.2W(TA),12.5W(tc)
TSM7ND60CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM7ND60CI 3.3700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 TSM7 MOSFET (金属 o化物) ITO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7A(TC) 10V 1.2OHM @ 2A,10V 3.8V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±30V 1108 PF @ 50 V - 50W(TC)
BC856A Taiwan Semiconductor Corporation BC856A 0.0334
RFQ
ECAD 7177 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BC856 200兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-BC856ATR Ear99 8541.21.0075 9,000 65 v 100 ma 100NA(ICBO) PNP 650mv @ 5mA,100mA 125 @ 2mA,5V 100MHz
TSM9435CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9435CS RLG 1.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TSM9435 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 5.3A(TC) 4.5V,10V 60mohm @ 5.3a,10v 3V @ 250µA 27 NC @ 10 V ±20V 551.57 pf @ 15 V - 5.3W(TC)
TSM018NB03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NB03CR RLG 1.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN TSM018 MOSFET (金属 o化物) 8-pdfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 29A(ta),194a(tc) 4.5V,10V 1.8mohm @ 29a,10v 2.5V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 7252 PF @ 15 V - 3.1W(TA),136W(tc)
TSM5NC50CZ Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CZ 1.2558
RFQ
ECAD 6263 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TSM5 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM5NC50CZ Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 500 v 5A(TC) 10V 1.38OHM @ 2.5A,10V 4.5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 586 pf @ 50 V - 89W(TC)
TSM60NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB1R4CP ROG 1.0363
RFQ
ECAD 4695 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TSM60 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 3A(TC) 10V 1.4OHM @ 900mA,10V 4V @ 250µA 7.12 NC @ 10 V ±30V 257.3 pf @ 100 V - 28.4W(TC)
KTC3198-O-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation KTC3198-O-B0 A1G -
RFQ
ECAD 6443 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) 500兆 到92 下载 到达不受影响 1801-KTC3198-O-B0A1GTB 过时的 1 50 V 150 ma 100NA(ICBO) NPN 250mv @ 10mA,100mA 70 @ 150mA,6v 80MHz
MMBT2222A Taiwan Semiconductor Corporation MMBT2222A 0.0305
RFQ
ECAD 8271 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBT2222 300兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-MMBT222222ATR Ear99 8541.21.0075 6,000 40 V 600 MA 10NA(ICBO) NPN 1V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V 300MHz
TSM4NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH C5G 2.2300
RFQ
ECAD 14 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA TSM4NB60 MOSFET (金属 o化物) TO-251(IPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 600 v 4A(TC) 10V 2.5OHM @ 2A,10V 4.5V @ 250µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 500 pf @ 25 V - 50W(TC)
TSM110NB04LCV RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LCV RGG 1.5500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn TSM110 MOSFET (金属 o化物) 8-pdfn (3.15x3.1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V (9A)(ta),44A (TC) 4.5V,10V 11mohm @ 9a,10v 2.5V @ 250µA 24 NC @ 10 V ±20V 1329 PF @ 20 V - 1.9W(TA),42W(TC)
TSM4NB60CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CP 0.9828
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TSM4 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM4NB60CPTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 600 v 4A(TC) 10V 2.5OHM @ 2A,10V 4.5V @ 250µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 500 pf @ 25 V - 50W(TC)
TSM2301ACX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2301ACX RFG 1.0200
RFQ
ECAD 265 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TSM2301 MOSFET (金属 o化物) SOT-23 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2.8A(TC) 2.5V,4.5V 130MOHM @ 2.8a,4.5V 1V @ 250µA 4.5 NC @ 4.5 V ±12V 480 pf @ 15 V - 700MW(TA)
TSM2N60ECH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N60ECH C5G -
RFQ
ECAD 4618 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA TSM2 MOSFET (金属 o化物) TO-251(IPAK) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,750 n通道 600 v 2A(TC) 10V 4ohm @ 1A,10V 5V @ 250µA 9.5 NC @ 10 V ±30V 362 PF @ 25 V - 52.1W(TC)
TSM038N04LCP Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N04LCP 1.5504
RFQ
ECAD 3715 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TSM038 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM038N04LCPTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V (19a(ta),135a(tc) 4.5V,10V 3.8mohm @ 19a,10v 2.5V @ 250µA 104 NC @ 10 V ±20V 5509 PF @ 20 V - 2.6W(ta),125W(tc)
TSM60NB041PW Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB041PW 18.5407
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 TSM60 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM60NB041PW Ear99 8541.29.0095 12,000 n通道 600 v 78A(TC) 10V 41MOHM @ 21.7A,10V 4V @ 250µA 139 NC @ 10 V ±30V 6120 PF @ 100 V - 446W(TC)
TSM650N15CS Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CS 2.4192
RFQ
ECAD 3026 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TSM650 MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM650N15CSTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 150 v (4A)(9a (TC) 6V,10V 65MOHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 1783 PF @ 75 V - 2.2W(TA),12.5W(tc)
BC338-25 B1 Taiwan Semiconductor Corporation BC338-25 B1 -
RFQ
ECAD 4709 0.00000000 台湾半导体公司 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) 625兆 到92 - 到达不受影响 1801-BC338-25B1 过时的 1 25 v 800 MA 100NA(ICBO) NPN 700mv @ 50mA,500mA 250 @ 100mA,5V 100MHz
TSM500N15CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM500N15CS RLG 2.9700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-sop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n通道 150 v (4a ta),11a (TC) 10V 50MOHM @ 4A,10V 4V @ 250µA 20.5 NC @ 10 V ±20V 1123 PF @ 80 V - 12.7W(TA)
TSM16ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM16ND50CI 3.1438
RFQ
ECAD 8196 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 TSM16 MOSFET (金属 o化物) ITO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM16ND50CI Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 500 v 16A(TC) 10V 350MOHM @ 4A,10V 4.5V @ 250µA 53 NC @ 10 V ±30V 2551 PF @ 50 V - 59.5W(TC)
TSM80N950CI Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950CI 3.3572
RFQ
ECAD 1680年 0.00000000 台湾半导体公司 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 TSM80 MOSFET (金属 o化物) ITO-220 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM80N950CI Ear99 8541.29.0095 4,000 n通道 800 v 6A(TC) 10V 950MOHM @ 2A,10V 4V @ 250µA 19.6 NC @ 10 V ±30V 691 PF @ 100 V - 25W(TC)
TSM60NB900CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB900CP 1.2771
RFQ
ECAD 7751 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TSM60 MOSFET (金属 o化物) TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-TSM60NB900CPTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 600 v 4A(TC) 10V 900MOHM @ 1.2A,10V 4V @ 250µA 9.6 NC @ 10 V ±30V 315 pf @ 100 V - 36.8W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库