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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC338-25 A1 | - | ![]() | 2708 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-BC338-25A1TB | 过时的 | 1 | 25 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 160 @ 100mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
TSM052N06PQ56 RLG | - | ![]() | 6174 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 100A(TC) | 10V | 5.2MOHM @ 20A,10V | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±25V | 3686 pf @ 30 V | - | 83W(TC) | ||||||||||||
BC337-16 B1G | - | ![]() | 6285 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | BC337 | 625兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 45 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | TSM089N08LCR | 2.1142 | ![]() | 5536 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM089 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM089N08LCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 80 V | 12a(12A),67a(tc) | 4.5V,10V | 8.9mohm @ 12a,10v | 2.5V @ 250µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 6119 PF @ 40 V | - | 2.6W(TA),83W(tc) | ||||||||||
TSM045NA03CR RLG | 0.8000 | ![]() | 102 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM045 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 108a(TC) | 4.5V,10V | 4.5MOHM @ 18A,10V | 2.5V @ 250µA | 19 nc @ 10 V | ±20V | 1194 pf @ 15 V | - | 89W(TC) | |||||||||||
![]() | BC337-16 A1 | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-BC337-16A1TB | 过时的 | 1 | 45 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 100 @ 100mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | TSM120N06LCP ROG | 2.1400 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 70A(TC) | 4.5V,10V | 12mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 2118 PF @ 30 V | - | 125W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM6N50CP ROG | - | ![]() | 6211 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 500 v | 5.6a(ta) | 10V | 1.4OHM @ 2.8a,10v | 4V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 900 pf @ 25 V | - | 90W(TC) | |||||||||||
![]() | TSM150P04LC | 1.1755 | ![]() | 7311 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TSM150 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM150P04LCSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 40 V | (9a)(22A)(22A)(TC) | 4.5V,10V | 15mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 250µA | 48 NC @ 10 V | ±20V | 2783 PF @ 20 V | - | 2.2W(TA),12.5W(tc) | ||||||||||
![]() | TSM7ND60CI | 3.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSM7 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 2A,10V | 3.8V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1108 PF @ 50 V | - | 50W(TC) | ||||||||||
![]() | BC856A | 0.0334 | ![]() | 7177 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BC856 | 200兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-BC856ATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 65 v | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 650mv @ 5mA,100mA | 125 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM9435CS RLG | 1.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TSM9435 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 5.3A(TC) | 4.5V,10V | 60mohm @ 5.3a,10v | 3V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 551.57 pf @ 15 V | - | 5.3W(TC) | ||||||||||
TSM018NB03CR RLG | 1.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | TSM018 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 29A(ta),194a(tc) | 4.5V,10V | 1.8mohm @ 29a,10v | 2.5V @ 250µA | 120 NC @ 10 V | ±20V | 7252 PF @ 15 V | - | 3.1W(TA),136W(tc) | |||||||||||
![]() | TSM5NC50CZ | 1.2558 | ![]() | 6263 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TSM5 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM5NC50CZ | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 500 v | 5A(TC) | 10V | 1.38OHM @ 2.5A,10V | 4.5V @ 250µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 586 pf @ 50 V | - | 89W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM60NB1R4CP ROG | 1.0363 | ![]() | 4695 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 3A(TC) | 10V | 1.4OHM @ 900mA,10V | 4V @ 250µA | 7.12 NC @ 10 V | ±30V | 257.3 pf @ 100 V | - | 28.4W(TC) | ||||||||||
![]() | KTC3198-O-B0 A1G | - | ![]() | 6443 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 500兆 | 到92 | 下载 | 到达不受影响 | 1801-KTC3198-O-B0A1GTB | 过时的 | 1 | 50 V | 150 ma | 100NA(ICBO) | NPN | 250mv @ 10mA,100mA | 70 @ 150mA,6v | 80MHz | |||||||||||||||||
![]() | MMBT2222A | 0.0305 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBT2222 | 300兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MMBT222222ATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 40 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | TSM4NB60CH C5G | 2.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | TSM4NB60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251(IPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.5OHM @ 2A,10V | 4.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±30V | 500 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM110NB04LCV RGG | 1.5500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | TSM110 | MOSFET (金属 o化物) | 8-pdfn (3.15x3.1) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 40 V | (9A)(ta),44A (TC) | 4.5V,10V | 11mohm @ 9a,10v | 2.5V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1329 PF @ 20 V | - | 1.9W(TA),42W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM4NB60CP | 0.9828 | ![]() | 3962 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM4 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM4NB60CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 2.5OHM @ 2A,10V | 4.5V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | ±30V | 500 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM2301ACX RFG | 1.0200 | ![]() | 265 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TSM2301 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2.8A(TC) | 2.5V,4.5V | 130MOHM @ 2.8a,4.5V | 1V @ 250µA | 4.5 NC @ 4.5 V | ±12V | 480 pf @ 15 V | - | 700MW(TA) | ||||||||||
![]() | TSM2N60ECH C5G | - | ![]() | 4618 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | TSM2 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251(IPAK) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,750 | n通道 | 600 v | 2A(TC) | 10V | 4ohm @ 1A,10V | 5V @ 250µA | 9.5 NC @ 10 V | ±30V | 362 PF @ 25 V | - | 52.1W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM038N04LCP | 1.5504 | ![]() | 3715 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM038 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM038N04LCPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 40 V | (19a(ta),135a(tc) | 4.5V,10V | 3.8mohm @ 19a,10v | 2.5V @ 250µA | 104 NC @ 10 V | ±20V | 5509 PF @ 20 V | - | 2.6W(ta),125W(tc) | ||||||||||
![]() | TSM60NB041PW | 18.5407 | ![]() | 3510 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM60NB041PW | Ear99 | 8541.29.0095 | 12,000 | n通道 | 600 v | 78A(TC) | 10V | 41MOHM @ 21.7A,10V | 4V @ 250µA | 139 NC @ 10 V | ±30V | 6120 PF @ 100 V | - | 446W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM650N15CS | 2.4192 | ![]() | 3026 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | TSM650 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM650N15CSTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 150 v | (4A)(9a (TC) | 6V,10V | 65MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 1783 PF @ 75 V | - | 2.2W(TA),12.5W(tc) | ||||||||||
![]() | BC338-25 B1 | - | ![]() | 4709 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | 到92 | - | 到达不受影响 | 1801-BC338-25B1 | 过时的 | 1 | 25 v | 800 MA | 100NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 50mA,500mA | 250 @ 100mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||
![]() | TSM500N15CS RLG | 2.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | (4a ta),11a (TC) | 10V | 50MOHM @ 4A,10V | 4V @ 250µA | 20.5 NC @ 10 V | ±20V | 1123 PF @ 80 V | - | 12.7W(TA) | |||||||||||
![]() | TSM16ND50CI | 3.1438 | ![]() | 8196 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSM16 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM16ND50CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 500 v | 16A(TC) | 10V | 350MOHM @ 4A,10V | 4.5V @ 250µA | 53 NC @ 10 V | ±30V | 2551 PF @ 50 V | - | 59.5W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM80N950CI | 3.3572 | ![]() | 1680年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSM80 | MOSFET (金属 o化物) | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM80N950CI | Ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n通道 | 800 v | 6A(TC) | 10V | 950MOHM @ 2A,10V | 4V @ 250µA | 19.6 NC @ 10 V | ±30V | 691 PF @ 100 V | - | 25W(TC) | ||||||||||
![]() | TSM60NB900CP | 1.2771 | ![]() | 7751 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | TSM60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252,(-d-pak) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TSM60NB900CPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 600 v | 4A(TC) | 10V | 900MOHM @ 1.2A,10V | 4V @ 250µA | 9.6 NC @ 10 V | ±30V | 315 pf @ 100 V | - | 36.8W(TC) |
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