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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM250N02CX RFG	0.8000	RFQ	409	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM250	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	20 v	5.8A（TC）	1.8V，4.5V	25mohm @ 4A，4.5V	800MV @ 250µA	7.7 NC @ 4.5 V	±10V	535 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
BC817-25W	0.0350	RFQ	2047	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC817		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC817-25WTR	Ear99	8541.21.0075	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
TSM230N06CI C0G	-	RFQ	7078	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM230N06CIC0G	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	60 V	50A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 25 V	-	42W（TC）
BC848A	0.0334	RFQ	7604	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM055N03EPQ56 RLG	1.5100	RFQ	137	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM055	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 25 V	-	74W（TC）
TSM3N80CH C5G	-	RFQ	7734	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM3N80	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,750		n通道	800 v	3A（TC）	10V	4.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	696 pf @ 25 V	-	94W（TC）
TSM1NB60SCT B0G	-	RFQ	6913	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	500mA（TC）	10V	10ohm @ 250mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
TSM130NB06CR RLG	2.0200	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	TSM130	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5.2x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	10A（10A），51A （TC）	10V	13mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2380 pf @ 30 V	-	3.1W（TA），83W（tc）
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TSM8568CS	1.0909	RFQ	6232	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM8568	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM8568CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	n和p通道		30V	15A（TC），13A （TC）		16mohm @ 8a，10v，24mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	7NC @ 4.5V，11NC @ 4.5V		646pf @ 15V，1089pf @ 15V	-
TSM020N04LCR RLG	1.3900	RFQ	5	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM020	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	170a（TC）	4.5V，10V	2mohm @ 27a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	7942 PF @ 20 V	-	104W（TC）
KTC3198-O-M0 A2G	-	RFQ	2333	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-O-M0A2GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 150mA，6v	80MHz
TSM5NC50CF	1.1466	RFQ	3086	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM5	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM5NC50CF	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.38OHM @ 1.7A，10V	4.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	586 pf @ 50 V	-	40W（TC）
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TSM160P02CS	0.6916	RFQ	3163	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM160	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM160P02CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	20 v	11A（TC）	1.8V，4.5V	16mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±10V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TC）
BC547A A1	-	RFQ	5168	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547AA1TB	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
BC807-40W RFG	0.0466	RFQ	5267	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC807		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	80MHz
BC847BW RFG	0.0368	RFQ	4018	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
BC846BW	0.0361	RFQ	5103	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC846		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC846BWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM3457CX6 RFG	0.9900	RFQ	11	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3457	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	5A（5A）	4.5V，10V	60mohm @ 5a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	551.57 pf @ 15 V	-	2W（TA）
TQM110NB04DCR RLG	3.7100	RFQ	4	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM110	MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA），58W（tc）	8-pdfnu（5x6）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		40V	10A（10A），50A （TC）		11mohm @ 10a，10v	3.8V @ 250µA	26NC @ 10V		1354pf @ 20V	-
TSM2N7000KCT B0G	-	RFQ	6666	台湾半导体公司	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TSM2N7000	MOSFET （金属 o化物）		到92	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000		n通道	60 V	300mA（TA）	5V，10V	5ohm @ 100mA，10v	2.5V @ 250µA	0.4 NC @ 4.5 V	±20V	60 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
BC807-16W	0.0453	RFQ	5318	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC807		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC807-16WTR	Ear99	8541.21.0095	6,000													45 v	500 MA	100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	80MHz
TSM60NC980CH C5G	3.0700	RFQ	13	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1801-TSM60NC980CHC5G	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	4A（TC）	10V	980MOHM @ 1.5A，10V	5V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	330 pf @ 300 V	-	57W（TC）
TSM6NB60CZ C0G	-	RFQ	5009	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	6A（TC）	10V	1.6OHM @ 3A，10V	4.5V @ 250µA	18.3 NC @ 10 V	±30V	872 PF @ 25 V	-	40W（TC）
TSM4435BCS RLG	-	RFQ	7715	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	9.1a（ta）	4.5V，10V	21mohm @ 9.1a，10v	3V @ 250µA	3.2 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
TSM6968DCA	0.7714	RFQ	7202	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	TSM6968	MOSFET （金属 o化物）	1.04W（TA）	8-tssop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM6968DCATR	Ear99	8541.29.0095	12,000	2 n通道		20V	6.5A（TA）		22mohm @ 6a，4.5V	1V @ 250µA	20NC @ 4.5V		950pf @ 10V	标准
TSM480P06CP ROG	1.6100	RFQ	18	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM480	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	66W（TC）
TSC966CW RPG	0.6500	RFQ	470	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSC966			SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500													400 v	300 MA	1µA	NPN	500mv @ 5mA，50mA	100 @ 1mA，5V	-
TSM80N1R2CL C0G	3.4316	RFQ	3905	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3短领先，i²pak	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-262S（i2pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²