RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM8N80CI C0G	2.6700	RFQ	995	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM8N80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1921 PF @ 25 V	-	40.3W（TC）
TSM9434CS RLG	1.6200	RFQ	5919	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM9434	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	20 v	6.4A（TC）	2.5V，4.5V	40mohm @ 6.4a，4.5V	1V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1020 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
KTC3198-BL-M0 A2G	-	RFQ	7823	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-BL-M0A2GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	3000 @ 150mA，6v	80MHz
TSM900N06CP ROG	1.3700	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）
TSM650P02CX	0.2435	RFQ	6711	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM650P02CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	20 v	4.1A（TC）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	0.8V @ 250µA	6.4 NC @ 4.5 V	±10V	515 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
TSM085NB03DCR	0.9944	RFQ	8310	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM085	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM085NB03DCRTR	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）		30V	（12A）（ta），51a（tc）		8.5mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	20NC @ 10V		1091pf @ 15V	逻辑级别门
TSC873CT B0G	-	RFQ	5899	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSC873CTB0G	Ear99	8541.29.0095	2,000													400 v	1 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，1a	80 @ 250mA，10V	-
TSM70N10CP ROG	-	RFQ	4883	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	70A（TC）	10V	13mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 30 V	-	120W（TC）
TSM180N03PQ33 RGG	0.4140	RFQ	6813	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	25A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 12a，10v	2.5V @ 250µA	4.1 NC @ 4.5 V	±20V	345 pf @ 25 V	-	21W（TC）
BC807-40 RFG	0.0445	RFQ	8446	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
BC549B B1G	-	RFQ	7186	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC549		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM8N50CH C5G	-	RFQ	1461	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道	500 v	7.2A（TC）	10V	850MOHM @ 3.6A，10V	4V @ 250µA	26.6 NC @ 10 V	±30V	1595 pf @ 25 V	-	89W（TC）
TSM060NB06LCZ C0G	4.1700	RFQ	1146	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1801-TSM060NB06LCZC0G	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	（13A）（TA），111a （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 13a，10v	2.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	6273 PF @ 30 V	-	2W（TA），156w（tc）
TSM250NB06CV RGG	1.5500	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM250	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	6A（6A），28a （TC）	7V，10V	25mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 30 V	-	1.9W（TA），42W（TC）
TSM085P03CS RLG	2.0300	RFQ	17	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	34A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3216 pf @ 15 V	-	14W（TC）
TQM056NH04CR RLG	2.9900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM056	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	17a（17a），54A（tc）	7V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2912 PF @ 25 V	-	78.9W（TC）
TSA874CW	0.2013	RFQ	6190	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSA874		1 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSA874CWTR	Ear99	8541.29.0075	5,000													500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 1mA，10v	50MHz
BC858B RFG	0.0343	RFQ	7245	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM70N380CP ROG	6.6600	RFQ	14	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	700 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 3.3A，10V	4V @ 250µA	18.8 NC @ 10 V	±30V	981 PF @ 100 V	-	125W（TC）
BC548A B1G	-	RFQ	2431	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
BC338-40 B1G	-	RFQ	8302	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC338		625兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,000													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM680P06CH	0.8645	RFQ	7551	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM680	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM680P06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		P通道	60 V	18A（TC）	4.5V，10V	68mohm @ 6a，10v	2.2V @ 250µA	16.4 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 30 V	-	20W（TC）
BC550A B1G	-	RFQ	6891	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC550		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM120N06LCR RLG	1.5122	RFQ	4314	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM120	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	54A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	36.5 NC @ 10 V	±20V	2116 pf @ 30 V	-	69W（TC）
TSM4425CS RLG	-	RFQ	4211	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM4425CSRLG	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	11A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 8 V	-	2.5W（TA）
TSM055N03PQ56	0.7033	RFQ	5653	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM055	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x5.8）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM055N03PQ56TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	11.1 NC @ 4.5 V	±20V	1160 pf @ 25 V	-	74W（TC）
TSM180P03C	0.6100	RFQ	5273	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM180	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM180P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	10A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	14.6 NC @ 4.5 V	±20V	1730 pf @ 15 V	-	2.5W（TC）
TSM3N90CZ C0G	-	RFQ	8691	台湾半导体公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM3N90	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	900 v	2.5A（TC）	10V	5.1OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	748 pf @ 25 V	-	94W（TC）
KTC3198-Y-M0 A2G	-	RFQ	5263	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-KTC3198-Y-M0A2GTB	过时的		1													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	120 @ 150mA，6v	80MHz
BSS138 RFG	0.3700	RFQ	64	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	260mA ta）	4.5V，10V	2.5OHM @ 260mA，10V	1.6V @ 250µA	2 NC @ 10 V	±20V	32 pf @ 25 V	-	357MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²