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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC549C A1G	-	RFQ	6045	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BC549		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	4,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	420 @ 2mA，5V	-
TSM70N900CP	1.9252	RFQ	4507	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM70	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM70N900CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	700 v	4.5A（TC）	10V	900MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	9.7 NC @ 10 V	±30V	482 PF @ 100 V	-	50W（TC）
TSM60N380CZ C0G	2.2400	RFQ	2	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	20.5 NC @ 10 V	±30V	1040 pf @ 100 V	-	125W（TC）
TQM056NH04CR RLG	2.9900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	TQM056	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	17a（17a），54A（tc）	7V，10V	5.6mohm @ 27a，10v	3.6V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2912 PF @ 25 V	-	78.9W（TC）
BC807-16 RFG	0.0342	RFQ	3766	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC807		300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	200NA（ICBO）	PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BC850AW	0.0357	RFQ	4498	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC850		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC850AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM3443CX6	0.3395	RFQ	2478	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	TSM3443	MOSFET （金属 o化物）		SOT-26	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM3443CX6TR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	20 v	4.7a（ta）	2.5V，4.5V	60mohm @ 4.7A，4.5V	1.4V @ 250µA	9 NC @ 4.5 V	±12V	640 pf @ 10 V	-	2W（TA）
BSS84 RFG	0.4000	RFQ	20	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	60 V	150mA（ta）	4.5V，10V	8ohm @ 150mA，10v	2V @ 250µA	1.9 NC @ 10 V	±20V	37 pf @ 30 V	-	357MW（TA）
TSM7P06CP ROG	1.2100	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	60 V	7A（TC）	4.5V，10V	180MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	15.6W（TC）
BC338-25-B0 B1G	-	RFQ	1839年	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC338-25-B0B1G	过时的		1													25 v	800 MA	100NA（ICBO）	NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，5V	100MHz
TSM8N80CI C0G	2.6700	RFQ	995	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM8N80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	800 v	8A（TC）	10V	1.05OHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±30V	1921 PF @ 25 V	-	40.3W（TC）
BC847A	0.0334	RFQ	1748年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC847ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM2537CQ	0.5543	RFQ	8608	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	TSM2537	MOSFET （金属 o化物）	6.25W	6-TDFN （2x2）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM2537CQTR	Ear99	8541.29.0095	12,000	n和p通道		20V	11.6A（TC），9a （TC）		30mohm @ 6.4a，4.5V，55mohm @ 5a，4.5V	1V @ 250µA	9.1NC @ 4.5V，9.8NC @ 4.5V		677pf @ 10V，744pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
TSM4425CS RLG	-	RFQ	4211	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	TSM4425CSRLG	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	30 V	11A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 8 V	-	2.5W（TA）
TQM025NH04LCR RLG	6.3900	RFQ	5	台湾半导体公司	汽车，AEC-Q101，Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（4.9x5.75）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±16V	6228 PF @ 25 V	-	136W（TC）
TSM7P06CP	0.4877	RFQ	9946	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM7P06CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	60 V	7A（TC）	4.5V，10V	180MOHM @ 3A，10V	2.5V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	425 pf @ 30 V	-	15.6W（TC）
TSM300NB06LCV RGG	1.5100	RFQ	10	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM300	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	5A（5A），24a （TC）	4.5V，10V	30mohm @ 5a，10v	2.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	962 PF @ 30 V	-	1.9W（TA），39W（tc）
TSA874CW RPG	0.2072	RFQ	9133	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	TSA874		1 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500													500 v	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 10mA，50mA	150 @ 10mA，10v	50MHz
BC856A RFG	0.0343	RFQ	5220	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC856		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													65 v	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	100MHz
BC546B	0.0447	RFQ	5561	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC546		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC546BTB	Ear99	8541.21.0095	10,000													65 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
BC858B RFG	0.0343	RFQ	7245	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
TSM7ND65CI	3.3700	RFQ	4	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM7	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.35OHM @ 1.8A，10V	3.8V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1124 PF @ 50 V	-	50W（TC）
TSC5802DCP ROG	-	RFQ	1747年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5802		30 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													450 v	2.5 a	250µA	NPN	3V @ 600mA，2a	50 @ 100mA，5v	-
TSM60NB190CI	4.4264	RFQ	7507	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM60NB190CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	600 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1273 PF @ 100 V	-	33.8W（TC）
TSM900N10CP	0.7584	RFQ	4167	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N10CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	15A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	1480 pf @ 50 V	-	50W（TC）
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TSM80N08CZ C0G	-	RFQ	3900	台湾半导体公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	75 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	91.5 NC @ 10 V	±20V	3905 PF @ 30 V	-	113.6W（TC）
TSM80N1R2CI	3.3572	RFQ	9129	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CI	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	25W（TC）
BC847A RFG	0.0343	RFQ	6411	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC847		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSC4505CX RFG	1.2300	RFQ	12	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSC4505		225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													400 v	300 MA	10µA（ICBO）	NPN	500mv @ 1mA，10mA	100 @ 10mA，10v	20MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²