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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SK2847（f）	-	RFQ	1737年	东芝半导体和存储	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	2SK2847		MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					900 v	8a（8a）	10V	1.4OHM @ 4A，10V	4V @ 1mA	58 NC @ 10 V	±30V	2040 pf @ 25 V	-	85W（TC）
TK17A80W，S4X	3.8400	RFQ	28	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK17A80		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					800 v	17A（TA）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 850µA	32 NC @ 10 V	±20V	2050 pf @ 300 V	-	45W（TC）
TK16G60W5，RVQ	3.2100	RFQ	1	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
SSM3K7002KF，LXHF	0.4000	RFQ	17	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					60 V	400mA（TA）	4.5V，10V	1.5OHM @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	40 pf @ 10 V	-	270MW（TA）
TK5R3E08QM，S1X	1.5800	RFQ	98	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的		175°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					80 V	120A（TC）	6V，10V	5.3MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 700µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 40 V	-	150W（TC）
RN1511（TE85L，F）	0.4700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-74A，SOT-753	RN1511			300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		100NA（ICBO）	2（NPN- 预偏（双重）（）（）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
TPH3R203NL，L1Q	1.2500	RFQ	18	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH3R203		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	47A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 23.5A，10V	2.3V @ 300µA	21 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	1.6W（TA），44W（tc）
SSM6K405TU，LF	0.3700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K405		MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					20 v	2A（TA）	1.5V，4V	126mohm @ 1A，4V	1V @ 1mA	3.4 NC @ 4 V	±10V	195 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TK5A60D（sta4，Q，m）	1.5700	RFQ	3980	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	5A（5A）	10V	1.43OHM @ 2.5A，10V	4.4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	35W（TC）
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SSM6L12TU，LF	0.5100	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6L12		MOSFET （金属 o化物）	500MW	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道						30V，20V	500mA（ta）		145MOHM @ 500mA，4.5V，260MOHM @ 250mA，4V	1.1V @ 100µA	-		245pf @ 10V，218pf @ 10V	-
RN1903，LXHF（ct	0.3600	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1903			200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50V	100mA		500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
TK6Q65W，S1Q	1.4000	RFQ	8899	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TK6Q65		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	75		n通道					650 v	5.8A（ta）	10V	1.05OHM @ 2.9a，10V	3.5V @ 180µA	11 NC @ 10 V	±30V	390 pf @ 300 V	-	60W（TC）
SSM3J304T（TE85L，F）	-	RFQ	9160	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J304		MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道					20 v	2.3a（ta）	1.8V，4V	127MOHM @ 1A，4V	-	6.1 NC @ 4 V	±8V	335 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SSM6J505NU，LF	0.5100	RFQ	19	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	SSM6J505		MOSFET （金属 o化物）		6-udfnb（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					12 v	12a（12a）	1.2V，4.5V	12MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	37.6 NC @ 4.5 V	±6V	2700 PF @ 10 V	-	1.25W（TA）
TK16E60W5，S1VX	3.1200	RFQ	9278	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK16E60		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
TPCC8065-H，LQ s	-	RFQ	2198	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCC8065		MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	13A（TA）	4.5V，10V	11.4mohm @ 6.5a，10v	2.3V @ 200µA	20 nc @ 10 V	±20V	1350 pf @ 10 V	-	700MW（TA），18W （TC）
TPCA8109（TE12L1，V。	-	RFQ	3844	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8109		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-		（1 （无限）	264-TPCA8109（TE12L1VTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道					30 V	24A（24A）	4.5V，10V	9mohm @ 12a，10v	2V @ 500µA	56 NC @ 10 V	+20V，-25V	2400 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），30W（TC）
2SK2544（f）	-	RFQ	7521	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK2544		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	6a（6a）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1300 pf @ 10 V	-	80W（TC）
TPH1110FNH，L1Q	1.8400	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1110		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					250 v	10a（10a）	10V	112MOHM @ 5A，10V	4V @ 300µA	11 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	1.6W（TA），57W（tc）
TK13E25D，S1X（s	2.2900	RFQ	4902	东芝半导体和存储	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK13E25		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					250 v	13A（TA）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	3.5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	102W（TC）
SSM6N7002BFU，LF	-	RFQ	3756	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N7002		MOSFET （金属 o化物）	300MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						60V	200mA		2.1ohm @ 500mA，10v	3.1V @ 250µA	-		17pf @ 25V	逻辑级别门
TK11P65W，RQ	1.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK11P65		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					650 v	11.1a（ta）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	3.5V @ 450µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
TPH9R00CQ5，LQ	2.5500	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）				5,000		n通道					150 v	108a（TA），64A（tc）	8V，10V	9mohm @ 32a，10v	4.5V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 75 V	-	3W（3W），210W（TC）
2SA1020-O te6，F，M）	-	RFQ	3483	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020			900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1																		50 V	2 a		1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
SSM6N7002KFU，LXH	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N7002		MOSFET （金属 o化物）	285MW（TA）	US6	下载		（1 （无限）	264-SSM6N7002KFULXHCT	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						60V	300mA（TA）		1.5OHM @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		40pf @ 10V	-
SSM6N24TU，LF	0.4500	RFQ	7409	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6N24		MOSFET （金属 o化物）	500MW（TA）	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						30V	500mA（ta）		145mohm @ 500mA，4.5V	1.1V @ 100µA	-		245pf @ 10V	-
TK34A10N1，S4X	1.5500	RFQ	9909	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK34A10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	34A（TC）	10V	9.5Mohm @ 17a，10v	4V @ 500µA	38 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 50 V	-	35W（TC）
TK13A55DA （STA4，QM）	2.8600	RFQ	3819	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK13A55		MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					550 v	12.5A（TA）	10V	480MOHM @ 6.3a，10V	4V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	45W（TC）
3SK291（TE85L，F）	-	RFQ	4341	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12.5 v		表面安装	SC-61AA	3SK291	800MHz	MOSFET		smq	-	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	22.5dB											2.5dB			6 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²