SIC
close

2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2） 噪声图（ db typ @ f）
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J351R，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J351 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 60 V 3.5A（ta） 4V，10V 134mohm @ 1A，10V 2V @ 1mA 15.1 NC @ 10 V +10V，-20V 660 pf @ 10 V - 2W（TA）
SSM3K15ACTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACTC，L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-101，SOT-883 SSM3K15 MOSFET （金属 o化物） CST3C 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 3.6OHM @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 13.5 pf @ 3 V - 500MW（TA）
TK290P60Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y，RQ 1.7400
RFQ
 ECAD 1946年 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK290P60 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 11.5A（TC） 10V 290MOHM @ 5.8A，10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 PF @ 300 V - 100W（TC）
TK290P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK290P65Y，RQ 1.9500
RFQ
 ECAD 7937 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK290P65 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 11.5A（TC） 10V 290MOHM @ 5.8A，10V 4V @ 450µA 25 NC @ 10 V ±30V 730 PF @ 300 V - 100W（TC）
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK380P65Y，RQ 1.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK380P65 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 9.7a（TC） 10V 380MOHM @ 4.9A，10V 4V @ 360µA 20 nc @ 10 V ±30V 590 pf @ 300 V - 80W（TC）
TK560P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK560P65Y，RQ 1.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK560P65 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 7A（TC） 10V 560MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 60W（TC）
TK560A60Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A60Y，S4X 1.5300
RFQ
 ECAD 1059 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK560A60 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 7A（TC） 10V 560MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 30W
TK560A65Y,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK560A65Y，S4X 1.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSV 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK560A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 7A（TC） 10V 560MOHM @ 3.5A，10V 4V @ 240µA 14.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 30W
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J358R，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3J358 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 6a（6a） 1.8V，8V 22.1mohm @ 6a，8v 1V @ 1mA 38.5 NC @ 8 V ±10V 1331 PF @ 10 V - 1W（ta）
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K345R，LF 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-23-3平线 SSM3K345 MOSFET （金属 o化物） SOT-23F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 4A（ta） 1.5V，4.5V 33MOHM @ 4A，4.5V 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 V ±8V 410 pf @ 10 V - 1W（ta）
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35AMFV，L3F 0.2300
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 SSM3K35 MOSFET （金属 o化物） VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 n通道 20 v 250mA（ta） 1.2V，4.5V 1.1OHM @ 150mA，4.5V 1V @ 100µA 0.34 NC @ 4.5 V ±10V 36 pf @ 10 V - 500MW（TA）
RN2104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2104MFV，L3F -
RFQ
 ECAD 2607 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2104 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） RN2104MFVL3F Ear99 8541.21.0075 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 47科姆斯 47科姆斯
TK3R1P04PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK3R1P04PL，RQ 1.1600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK3R1P04 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 58A（TC） 4.5V，10V 3.1MOHM @ 29A，10V 2.4V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4670 pf @ 20 V - 87W（TC）
TK4R4P06PL,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL，RQ 1.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK4R4P06 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 58A（TC） 4.5V，10V 4.4mohm @ 29a，10v 2.5V @ 500µA 48.2 NC @ 10 V ±20V 3280 pf @ 30 V - 87W（TC）
HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1B04FU-Y，LF 0.2700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 HN1B04 200MW US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150mA 100NA（ICBO） NPN，PNP 250mv @ 10mA，100mA / 300mv @ 10mA，100mA 120 @ 2mA，6v 150MHz
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113（TE85L，F） 0.7000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MT3S113 800MW S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 11.8db 5.3V 100mA NPN 200 @ 30mA，5v 12.5GHz 1.45db @ 1GHz
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P（TE12L，F） 0.9900
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-243AA MT3S113 1.6W PW-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0075 1,000 10.5db 5.3V 100mA NPN 200 @ 30mA，5v 7.7GHz 1.45db @ 1GHz
SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3H137TU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 3-SMD，平坦的铅 SSM3H137 MOSFET （金属 o化物） UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 34 v 2A（TA） 4V，10V 240MOHM @ 1A，10V 1.7V @ 1mA 3 NC @ 10 V ±20V 119 pf @ 10 V - 800MW（TA）
SSM3K15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15F，LF 0.2300
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3K15 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 4ohm @ 10mA，4V 1.5V @ 100µA ±20V 7.8 pf @ 3 V - 200mw（ta）
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1307 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250 MHz 10 kohms 47科姆斯
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309，LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1309 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 5mA，5V 250 MHz 47科姆斯 22 KOHMS
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1311，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN1311 100兆 SC-70 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 250 MHz 10 kohms
RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1403，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN1403 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250 MHz 22 KOHMS 22 KOHMS
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2114MFV，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 7888 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN2114 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 50 @ 10mA，5V 1 kohms 10 kohms
RN2401,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2401，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2401 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 30 @ 10mA，5V 200 MHz 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN2402,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2402，LF 0.2200
RFQ
 ECAD 6149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2402 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 10 kohms 10 kohms
TK160F10N1L,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L，LQ 2.8400
RFQ
 ECAD 1592年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK160F10 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM（W） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 160a（ta） 6V，10V 2.4mohm @ 80a，10v 3.5V @ 1mA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W（TC）
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE，LF 0.4900
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SOT-563，SOT-666 SSM6J216 MOSFET （金属 o化物） ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 4,000 P通道 12 v 4.8A（ta） 1.5V，4.5V 32MOHM @ 3.5A，4.5V 1V @ 1mA 12.7 NC @ 4.5 V ±8V 1040 pf @ 12 V - 700MW（TA）
SSM6L12TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L12TU，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6L12 MOSFET （金属 o化物） 500MW UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n和p通道 30V，20V 500mA（ta） 145MOHM @ 500mA，4.5V，260MOHM @ 250mA，4V 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V，218pf @ 10V -
SSM6N67NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N67NU，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6N67 MOSFET （金属 o化物） 2W（TA） 6 µdfn （2x2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 4A（ta） 39.1MOHM @ 2A，4.5V 1V @ 1mA 3.2nc @ 4.5V 310pf @ 15V 逻辑水平门，1.8V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭