晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPH1R306PL1,LQ	2.4200	询价	9668	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	-		1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道					60V	100A（温度）	4.5V、10V	1.34mOhm@50A，10V	2.5V@1mA	91nC@10V	±20V	8100pF@30V	-	960mW（Ta）、210W（Tc）
SSM6J808R，LF	0.6400	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J808		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道					40V	7A（塔）	4V、10V	35毫欧@2.5A，10V	2V@100μA	10V时为24.2nC	+10V，-20V	10V时为1020pF	-	1.5W（塔）
TK5P60W5,RVQ	1.3300	询价	第1789章	东芝半导体和存储	DTMOSIV	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		DPAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					600伏	4.5A（塔）	10V	990毫欧@2.3A，10V	4.5V@230μA	11.5nC@10V	±30V	370 pF @ 300 V	-	60W（温度）
RN2412TE85LF	0.2900	询价	6971	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN2412			200毫W	S-迷你型	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	200兆赫	22欧姆
2SA1162-O,LXHF	0.3900	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		125°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	70@2mA，6V	80兆赫
RN2114(TE85L,F)	0.2800	询价	5009	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN2114			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	1欧姆	10欧姆
RN1673(TE85L,F)	-	询价	6017	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1673			300毫W	美国6号	-		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	-	47k欧姆	-
TW048N65C,S1F	16.3200	询价	17号	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		175℃	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					650伏	40A（温度）	18V	65毫欧@20A，18V	5V@1.6mA	41nC@18V	+25V，-10V	1362 pF @ 400 V	-	132W（温度）
RN1116(TE85L,F)	0.2800	询价	73	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SC-75、SOT-416	RN1116			100毫W	SSM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	4.7欧姆	10欧姆
RN1413，LF	0.1900	询价	2	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	RN1413			200毫W	S-迷你型	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	47欧姆
2SC4793(LBSAN,F,M)	-	询价	3354	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SC4793			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																		230伏	1A		1μA（ICBO）	NPN	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	100兆赫兹
RFM04U6P(TE12L,F)	1.5493	询价	7126	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	16V		表面贴装	TO-243AA	RFM04U6	470兆赫	场效应管		PW-MINI	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	1,000	N沟道		2A	500毫安	4.3W	13.3分贝											-			6V
RN4901，LF	-	询价	2952	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN4901			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000																		50V	100毫安		500纳安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	30@10mA，5V	200兆赫、250兆赫	4.7k欧姆	4.7k欧姆
2SA1837,NSEIKIF(J	-	询价	1887年	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1837			2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1																		230伏	1A		1μA（ICBO）	国民党	1.5V@50mA、500mA	100@100mA，5V	70兆赫兹
TPC8208(TE12L,Q,M)	-	询价	2448	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8208		MOSFET（金属O化物）	450毫W	8-SOP (5.5x6.0)	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）						20V	5A		50mOhm@2.5A，4V	1.2V@200μA	9.5nC@5V		780pF@10V	逻辑电平门
RN1908,LF(CT	0.2800	询价	3	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1908			200毫W	美国6号	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
2SC5200-O(S1,F	3.0100	询价	21	东芝半导体和存储	-	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-3PL				150W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	25																		230伏	15A		5μA（ICBO）	NPN	3V@800mA，8A	55@1A，5V	30兆赫兹
RN1903FE,LXHF(CT	0.3800	询价	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	RN1903			100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	100毫安		500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	22k欧姆
SSM3J15FS,LF	0.2500	询价	10	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	SC-75、SOT-416	SSM3J15		MOSFET（金属O化物）		SSM	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道					30V	100mA（塔）	2.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA		±20V	9.1pF@3V	-	100毫W（塔）
TK72E08N1,S1X	2.4400	询价	45	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	管子	的积极		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	TK72E08		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					80V	72A（塔）	10V	4.3毫欧@36A，10V	4V@1mA	81nC@10V	±20V	5500pF@40V	-	192W（温度）
RN2707JE(TE85L,F)	0.4800	询价	1	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	SOT-553	RN2707			100毫W	ESV	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	47k欧姆
ULN2803AFWG，C，EL	-	询价	4777	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽）	ULN2803			1.31W	18-SOP	下载		1（无限制）	EAR99	8541.29.0075	1,000																		50V	500毫安		-	8 NPN 达林顿	1.6V@500μA，350mA	1000@350mA，2V	-
RN2702，LF	0.3000	询价	7882	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN2702			200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		500纳安	2 PNP - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	50@10mA，5V	200兆赫	10k欧姆	10k欧姆
HN1A01FE-GR,LXHF	0.4500	询价	7	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	HN1A01			100毫W	ES6	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	150毫安		100nA（ICBO）	2 PNP（双）	300毫伏@10毫安，100毫安	200@2mA，6V	80兆赫
RN2103CT(TPL3)	-	询价	1846年	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2103			50毫W	CST3	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	10,000																		20V	50毫安		500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	100@10mA，5V		22欧姆	22欧姆
SSM6K341NU，LF	0.4600	询价	1	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	SSM6K341		MOSFET（金属O化物）		6-UDFNB (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	6A（塔）	4V、10V	36mOhm@4A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	2.5W（塔）
TK380P65Y,RQ	1.7300	询价	2	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK380P65		MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道					650伏	9.7A（温度）	10V	380毫欧@4.9A，10V	4V@360μA	20nC@10V	±30V	590 pF @ 300 V	-	80W（温度）
SSM3K341R,LXHF	0.6000	询价	17号	东芝半导体和存储	汽车、AEC-Q101、U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极		175℃	表面贴装	SOT-23-3 读写			MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道					60V	6A（塔）	4V、10V	36毫欧@5A，10V	2.5V@100μA	9.3nC@10V	±20V	550pF@10V	-	1.2W（塔）
RN1911,LXHF(CT	0.3600	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1911			200毫W	美国6号	下载		1（无限制）	EAR99	8541.21.0075	3,000																		50V	100毫安		100nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	120@1mA，5V	250兆赫	10k欧姆	-
SSM6K202FE,LF	0.4600	询价	15	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6K202		MOSFET（金属O化物）		ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	EAR99	8541.21.0095	4,000		N沟道					30V	2.3A（塔）	1.8V、4V	85毫欧@1.5A，4V	1V@1mA		±12V	270pF@10V	-	500毫W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²