晶体管(2488)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
TPCC8136.LQ	-	询价	7165	东芝半导体和存储	U-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCC8136	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	-		1（无限制）	264-TPCC8136.LQTR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	9.4A（塔）	1.8V、4.5V	16毫欧@9.4A，4.5V	1.2V@1mA	36nC@5V	±12V	2350pF@10V	-	700mW（Ta）、18W（Tc）
2SC2229-Y(T6MIT1FM	-	询价	第1667章	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体	2SC2229		800毫W	TO-92MOD	下载		1（无限制）	2SC2229YT6MIT1FM	EAR99	8541.21.0075	1													150伏	50毫安	100nA（ICBO）	NPN	500mV@1mA、10mA	70@10mA，5V	120兆赫
SSM3K35CTC，L3F	0.3200	询价	109	东芝半导体和存储	U-MOSⅢ	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		CST3C	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000		N沟道	20V	250mA（塔）	1.2V、4.5V	1.1欧姆@150mA，4.5V	1V@100μA	0.34nC@4.5V	±10V	10V时为36pF	-	500毫W（塔）
SSM3K35MFV(TPL3)	-	询价	8872	东芝半导体和存储	π-MOSVI	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-723	SSM3K35	MOSFET（金属O化物）		VESM	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000		N沟道	20V	180mA（塔）	1.2V、4V	3欧姆@50mA，4V	1V@1mA		±10V	9.5pF@3V	-	150毫W（塔）
RN1309(TE85L,F)	0.2700	询价	895	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SC-70、SOT-323	RN1309		100毫W	SC-70	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@250μA，5mA	70@10mA，5V	250兆赫	47欧姆	22欧姆
TK6A80E,S4X	1.8900	询价	15	东芝半导体和存储	π-MOSVIII	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	TK6A80	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	6A（塔）	10V	1.7欧姆@3A，10V	4V@600μA	32nC@10V	±30V	1350pF@25V	-	45W（温度）
2SC3665-Y,T2NSF(J	-	询价	3531	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3665		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
RN1704，LF	0.3000	询价	210	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353	RN1704		200毫W	无人艇	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	47k欧姆	47k欧姆
2SC3665-Y(T2NSW,FM	-	询价	1068	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	SC-71	2SC3665		1W	MSTM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													120V	800毫安	100nA（ICBO）	NPN	1V@50mA、500mA	80@100mA，5V	120兆赫
2SA1244-Y(Q)	-	询价	第1152章	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	2SA1244		1W	PW-模具	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	200													50V	5A	1μA（ICBO）	国民党	400mV@150mA，3A	120@1A，1V	60兆赫
TPN6R003NL,LQ	0.8800	询价	9982	东芝半导体和存储	U-MOSVIII-H	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPN6R003	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.1x3.1)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	27A（温度）	4.5V、10V	6毫欧@13.5A，10V	2.3V@200μA	17nC@10V	±20V	1400pF@15V	-	700mW（Ta）、32W（Tc）
SSM6L16FETE85LF	0.3800	询价	29	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	150℃（TA）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6L16	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 和 P 沟道		20V	100毫安		3欧姆@10mA，4V	1.1V@100μA	-		9.3pF@3V	-
TPH1R306PL1,LQ	2.4200	询价	9668	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerTDFN		MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5.75)	-		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	60V	100A（温度）	4.5V、10V	1.34mOhm@50A，10V	2.5V@1mA	91nC@10V	±20V	8100pF@30V	-	960mW（Ta）、210W（Tc）
SSM6J808R，LF	0.6400	询价	5	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	6-SMD，写入	SSM6J808	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP-F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	7A（塔）	4V、10V	35毫欧@2.5A，10V	2V@100μA	10V时为24.2nC	+10V，-20V	10V时为1020pF	-	1.5W（塔）
TPCA8A02-H(TE12LQM	-	询价	8734	东芝半导体和存储	U-MOSV-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPCA8A02	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	34A（塔）	4.5V、10V	5.3毫欧@17A，10V	2.3V@1mA	36nC@10V	±20V	10V时为3430pF	-	1.6W（Ta）、45W（Tc）
TK290P60Y,RQ	1.7400	询价	1946年	东芝半导体和存储	DTMOSV	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	TK290P60	MOSFET（金属O化物）		DPAK	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	11.5A（温度）	10V	290毫欧@5.8A，10V	4V@450μA	25nC@10V	±30V	730 pF @ 300 V	-	100W（温度）
RN2109CT(TPL3)	-	询价	8190	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的		表面贴装	SC-101、SOT-883	RN2109		50毫W	CST3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	10,000													20V	50毫安	500纳安	PNP - 预偏置	150mV@250μA，5mA	100@10mA，5V		47欧姆	22欧姆
SSM6P15FE(TE85L,F)	0.4200	询价	7	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	SSM6P15	MOSFET（金属O化物）	150毫W	ES6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）		30V	100毫安		12欧姆@10mA，4V	1.7V@100μA	-		9.1pF@3V	逻辑电平门
TPCC8005-H(TE12LQM	-	询价	7033	东芝半导体和存储	U-MOSVI-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-VDFN 裸露焊盘	TPCC8005	MOSFET（金属O化物）		8-TSON 高级 (3.3x3.3)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	26A（塔）	4.5V、10V	6.4毫欧@13A，10V	2.3V@500μA	35nC@10V	±20V	2900pF@10V	-	700mW（Ta）、30W（Tc）
TW140Z120C,S1F	10.2200	询价	120	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	175℃	通孔	TO-247-4		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L(X)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道	1200伏	20A（温度）	18V	191毫欧@10A，18V	5V@1mA	24nC@18V	+25V，-10V	800V时为691pF	-	107W（温度）
TPC8062-H,LQ(CM	-	询价	2139	东芝半导体和存储	U-MOSVII-H	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	TPC8062	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	18A（塔）	4.5V、10V	5.8毫欧@9A，10V	2.3V@300μA	34nC@10V	±20V	2900pF@10V	-	1W（塔）
2SA1987-O(Q)	3.4500	询价	1	东芝半导体和存储	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3PL	2SA1987		180W	TO-3P(L)	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0075	100													230伏	15A	5μA（ICBO）	国民党	3V@800mA，8A	80@1A，5V	30兆赫兹
2SA1930,Q(J	-	询价	3454	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	2SA1930		2W	TO-220NIS	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	1													180伏	2A	5μA（ICBO）	国民党	1V@100mA，1A	100@100mA，5V	200兆赫
TPCF8402(TE85L,F,M	-	询价	3491	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-SMD，写入	TPCF8402	MOSFET（金属O化物）	330毫W	VS-8 (2.9x1.5)	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	4,000	N 和 P 沟道		30V	4A、3.2A		50mOhm@2A，10V	2V@1mA	10nC@10V		470pF@10V	逻辑电平门
TPH7R204PL,LQ	0.6500	询价	22	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH7R204	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	48A（温度）	4.5V、10V	9.7毫欧@15A，4.5V	2.4V@200μA	24nC@10V	±20V	2040pF@20V	-	69W（温度）
2SK3342(TE16L1,NQ)	-	询价	3368	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	2SK3342	MOSFET（金属O化物）		PW-模具	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	250伏	4.5A（塔）	10V	1欧姆@2.5A，10V	3.5V@1mA	10nC@10V	±20V	440pF@10V	-	20W（温度）
RN1908,LXHF(CT	0.3600	询价	6	东芝半导体和存储	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	RN1908		200毫W	美国6号	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0075	3,000													50V	100毫安	500纳安	2 NPN - 预偏置（双）	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	22k欧姆	47k欧姆
TPH3R704PL,L1Q	0.9400	询价	60	东芝半导体和存储	U-MOSIX-H	卷带式 (TR)	的积极	175℃	表面贴装	8-PowerVDFN	TPH3R704	MOSFET（金属O化物）		8-SOP 高级 (5x5)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	92A（温度）	4.5V、10V	3.7毫欧@46A，10V	2.4V@200μA	27nC@10V	±20V	2500pF@20V	-	960mW（Ta）、81W（Tc）
TK16A45D(STA4,Q,M)	-	询价	9568	东芝半导体和存储	-	管子	的积极	-	通孔	TO-220-3全包	TK16A45	MOSFET（金属O化物）		TO-220SIS	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	450伏	16A		270毫欧@8A，10V	-				-	-
RN2102MFV,L3XHF(CT	0.3400	询价	6	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-723	RN2102		150毫W	VESM	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	8,000													50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@500μA，5mA	50@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2488)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²